一种用于制备表面安装器件(100)的方法，所述方法包括提供多个层，所述多个层包括B阶段的顶部层(300)和底部层(315)，以及带有开口(312)的C阶段的中间层(310)。将核心器件(305)插入至开口中，并且之后将顶部层和底部层分别放置在中间层的上面和下面。将各层固化直至各层成为C阶段的。核心器件基本上由带有少于约0.4cm3·mm/m2·大气压·天的氧渗透率的阻氧材料围绕。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻氧封装的表面安装器件背景I.领域本专利技术总体上涉及电子电路学。更具体地，本专利技术涉及阻氧封装的表面安装器件。II.详细背景因为表面安装器件(SMD)的尺寸小，它们被用于电子电路中。通常，SMD包含嵌入外壳材料如塑料或环氧树脂内的核心器件。例如，可以将带有电阻性质的核心器件嵌入外壳材料中以制备表面安装电阻器。现有SMD具有的一个缺点是用于密封核心器件的材料倾向于允许氧渗透至核心器件自身中。这可能对于特定核心器件不利。例如，如果允许氧进入核心器件，正温度系数核心器件的电阻倾向于随时间增加。在一些情况下，基极电阻可以增加到五(5)倍，这会使得核心器件不符合规格。概述在一个方面中，一种用于制备表面安装器件的方法包括提供多个层，所述多个层包括B阶段的(B-staged)第一层和限定了用于接收核心器件的开口的第二层。可以将所述核心器件插入到由第二层限定的开口内。之后可以将第二层和核心器件用B阶段的 (C-staged)第一层覆盖。之后将第一层和第二层固化直至B阶段的第一层成为C阶段的。 核心器件基本上由带有少于约0. 4cm3 · mm/m2 ·大气压·天(Icm3 ·密耳/100英寸2 ·大气压 天)的氧渗透率的阻氧材料围绕。在第二方面中，一种用于制备表面安装器件的方法包括提供基板层。该基板层包括第一和第二导电接触垫。将该核心器件固定至第一接触垫以使得核心器件的底部导电表面与第一接触垫电接触。将导电夹固定至核心器件的顶部表面和第二接触垫上以提供从核心器件的顶部表面至第二接触垫的电路。将A阶段的(A-staged)材料注入至核心器件与导电夹周围。将SMD固化直至A阶段材料成为C阶段的。备选地，可以将A阶段材料部分地固化至B阶段的水平。如果在完全固化之前需要一些中间处理则这可以是适宜的。核心器件基本上由阻氧材料围绕。在第三方面，一种用于制备表面安装器件的方法包括提供第一和第二基板层。该第一和第二基板层各自包括基本上L形的互连件(interconnect)，所述互连件限定了 沿基板的顶部表面的表面安装器件接触表面，通过基板层延伸的中间区域，以及沿基板层的底部表面延伸的核心器件接触部。将核心器件的顶部表面固定至第一基板的互连件的核心器件接触部。将核心器件的底部表面固定至第二基板的互连件的核心器件触点。将A阶段材料注入至核心器件周围并且将其固化直至该材料成为C阶段的。核心器件基本上由阻氧材料围绕。在第四方面，一种表面安装器件包括具有顶部表面和底部表面的核心器件。C阶段阻氧绝缘材料基本上密封核心器件。第一接触垫和第二接触垫设置在阻氧绝缘材料的外表面上。第一接触垫和第二接触垫被配置为分别提供由核心器件的顶部表面和核心器件的底部表面至第一和第二接触垫的电路，所述电路由基板和/或印刷电路板所限定。附图简述图IA和IB分别是表面安装器件(SMD)的一个实施方式的顶视图和底视图；图IC是沿图IA的A-A截面所取的图IA的SMD的横截面视图；图2说明了可用于制备附图说明图1A-1C中描述的SMD的一组示例性操作；图3说明了图1A-1C的SMD的顶部层、中间层和底部层；图4A是沿图3的截面Z-Z所取的图3的顶部层、中间层和底部层的在将层固化之前的横截面视图；图4B是沿图3的截面Z-Z所取的图3的顶部层、中间层和底部层的在将层固化之后的横截面视图；图4C是带有在密封于固化层中的核心器件之间形成的槽的固化层的透视图；图4D是带有在密封于固化层中的核心器件之间形成的孔的固化层的透视图；图5A是表面安装器件(SMD)的另一个实施方式的顶透视图；图5B是沿截面A-A所取的图5A的SMD的横截面视图；图6说明了可用于制备图5A和5B中描述的SMD的一组示例性操作；图7说明了图5A和5B的SMD层；图8A和8B分别是表面安装器件(SMD)的第三实施方式的顶视图和底视图；图8C是沿截面A-A所取的图8A的SMD的横截面视图；并且图9说明了可用于制备图8A-8C中描述的SMD的一组示例性操作。详述为了克服以上所描述的问题，公开了包含阻氧材料的SMD的多种实施方式。这多种实施方式通常采用绝缘材料以保护核心器件不受氧和其他杂质的影响。在一些实施方式中，绝缘材料可以对应于与本申请同时提交的，通过援引以其全部内容结合入本文的美国专利申请号12/460，338(GOlden等)中所描述的阻氧材料之一。阻氧材料可以具有作为在一平方米的面积之上透过具有一毫米厚度样品的氧的立方厘米数所测得的少于约 0. 4cm3 · mm/m2 ·大气压·天(Icm3 ·密耳/100英寸2 ·大气压·天)的氧渗透率。在24小时期间之内，在0%相对湿度，23°C的温度下在一个大气压的分压差下测量渗透速率。可以使用ASTMF-1927用由美国明尼苏达州Minneapolis的Mocon，Inc.提供的仪器测量氧渗透率。绝缘材料一般包括一种或多种热固性聚合物，如环氧树脂。绝缘材料可以以A阶段、B阶段和C阶段状态这三种物理状态之一存在。A阶段状态的特征在于具有线性结构、 可溶性以及可熔性的组合物。在特定实施方案中，A阶段组合物可以是高粘度液体，具有限定的分子量，并且包含大量未反应的化合物。在该状态下，组合物将具有最大的流动性(与 B阶段或C阶段材料比较)。在特定实施方案中，A阶段组合物可以由A阶段状态通过或者光引发反应或者热反应变化至或者B阶段状态或者C阶段状态。 通过部分固化A阶段材料获得B阶段状态，其中将至少一部分A阶段组合物交联， 并且材料的分子量增加。除非另外指出，可以通过或者热潜伏性固化或者UV固化获得可B 阶段化组合物。在特定实施方案中，通过热潜伏性固化实现可B阶段化组合物。可以抑制 B阶段反应而产物仍然可熔并且可溶，具有比之前具有更高的软化点和熔体粘度。B阶段组合物含有充足的固化剂以在随后的加热下发生交联。在特定实施方案中，B阶组合物是流体或半固体，并且，因此，在一定条件下，可以经历流动。在半固体形式下，可以处理热固性聚合物以用于由例如操作者进一步加工。在特定实施方案中，B阶段组合物包括共形的消粘膜，可以加工并且不是完全刚性的，使得组合物能够被模塑或在电学器件周围流动。C阶段状态通过将组合物完全固化获得。在一些实施方案中，C阶段组合物由A阶段状态完全固化。在其他实施方案中，C阶段组合物由B阶段状态完全固化。典型地，在C 阶段中，组合物在合理的条件下将不再展现出流动。在该状态下，组合物可以是固体并且， 通常，不可以被再成形为不同的形状。另一种绝缘材料制剂是预浸料制剂。预浸料制剂通常对应于带有增强材料的B阶段制剂。例如，可以将玻璃纤维或不同的增强材料嵌入B阶段制剂内。这使得能够制备B 阶段绝缘材料的片材。上面描述的绝缘材料使得制备展现出低氧渗透率的表面安装器件或其他小型器件成为可能。例如，绝缘材料使得能够制造具有壁厚少于0. 35mm(0.014英寸)的低氧渗透率表面安装器件。图IA和IB分别是表面安装器件(SMD)IOO的一个实施方式的顶视图和底视图。 SMD 100包含具有顶部表面105a、底部表面105b、第一端110a、第二端110b、第一接触垫 115a和第二接触垫115b的基本上矩形的主体。第一接触垫115a和第二接触垫115b分别从SMD 100的顶部表面本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：路易斯·A·纳瓦罗，乔什·H·戈尔登，马丁·A·马太哈斯恩，
申请(专利权)人：泰科电子公司，
类型：发明
国别省市：
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