【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有中空结构的二氧化硅壳层包覆二氧化钛核材料的制备方法。
技术介绍
二氧化钛作为功能性的半导体材料，在电子、涂料、光电转换、光催化等领域具有广泛的应用前景。二氧化钛优异的光电性能在于其能够有效地吸收光能，激发禁带电子跃迁， 从而产生电子-空穴对，电子与空穴分离后，空穴可以直接氧化表面吸附有机物，或与二氧化钛表面吸附的水分子等接触，产生羟基自由基，通过羟基自由基进一步氧化分解相关底物。由以上过程可以知道，在二氧化钛的光电化学过程中，主要涉及到的氧化物种为羟基自由基。一方面，羟基自由基具有很强的氧化能力，能有效分解大多数的有机物，这使得二氧化钛在环境净化等领域具有广泛的应用；然而同时，羟基自由基氧化过程所带来的一个主要缺陷在于，自由基氧化过程缺乏选择性，从而使这一半导体光催化过程很难应用到某些需要控制对特定官能团或特定底物的氧化过程，从而极大限制了其在光化学有机合成，选择性氧化分离等领域的应用。同时，这一选择性缺失的氧化过程的缺陷还在于其极大限制了基底材料的选择范围，使得其在有机基底材料中，如涂料，纺织品中的应用受到制约。对光催化材料进行核壳结构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：只金芳，吴良专，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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