本发明专利技术公开了一种像素电路，包括第一晶体管，电容，第三晶体管，第二晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第三晶体管的第一电流导通极与第二晶体管的第一电流导通极、第五晶体管的第一电流导通极相连于第一节点，第三晶体管的第二电流导通极与第四晶体管的第一电流导通极相连，第四晶体管的第二电流导通极与第二晶体管的控制极、第二晶体管的第二电流导通极相连于第二节点，第五晶体管的第二电流导通极连接电源，第一晶体管的控制极连接第二节点，第一晶体管的第一电流导通极连接电源，第一晶体管的第二电流导通极连接第四扫描信号。本发明专利技术通过五个晶体管的连接设置及驱动时序控制，使发光阶段OLED的驱动电流不受第一晶体管的阈值电压的影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有源矩阵驱动有机发光显示技术，特别是涉及一种用于有机发光二极管显示器的像素电路。
技术介绍
有源矩阵驱动有机发光二极管显示器(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，简称为AMOLED)由于具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、无视角限制、能效高、超轻超薄等优点，在平板显示器等领域具有巨大的应用前景。现有的AMOLED中像素电路的结构如图1所示，像素电路包括开关管T3，电容Cs， 驱动管Tl和有机发光二极管0LED。开关管T3的控制极连接扫描信号Vscan，数据信号S从开关管T3输入，在开关管T3关断后，数据信号存储在电容Cs中。在给定的发光期间，驱动管Tl根据电容Cs中所存储的数据信号产生相应的输出电流，该输出电流作为驱动电流Id 驱动有机发光二极管OLED发出亮度与数据信号相应的光。通过改变开关管T3输入的数据信号S，即可调整驱动管Tl的栅极电压，从而控制驱动电流Id的大小，相应控制发出的光的亮度。流入有机发光二极管OLED中的驱动电流Id由如下等式得到广其中HC^其中，μ eff表示构成驱动管Tl沟道的半导体薄膜的场效应迁移率，Cox表示驱动管Tl 的栅绝缘层的电容，W表示驱动管Tl的沟道宽度，L表示驱动管Tl的沟道长度，k为增益因子，Vgs为驱动管Tl的栅极相对于源极的电压，Vth为驱动管Tl的阈值电压。根据上述等式可知，阈值电压的值影响流入有机发光二极管OLED的驱动电流的值。然而，显示屏中不同像素电路中不同的驱动管的阈值电压会有所不同，而不同的阈值电压会导致驱动电流不同，也即接收相同数据信号，带入上述公式计算得到的各像素电路中的驱动电流会有所不同，进而导致接收相同数据信号时有机发光二极管OLED的亮度不一致，使整个AMOLED显示屏亮度不均勻。同时，驱动管在长时间工作后，阈值电压会产生漂移，且漂移量与驱动管的工作时间及所流过的电流大小有关，因此各像素电路中驱动管阈值电压漂移量就不一样。这样，各像素电路中驱动管阈值电压本身不相同会导致亮度不均勻，而长时间工作后阈值电压漂移量也不相同，使亮度不均勻性的问题更加严重。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的不足，提出，使得流过有机发光二极管OLED的驱动电流不受阈值电压的影响，保证显示屏亮度的均勻，且能确保长时间工作后亮度仍然是均勻的。本专利技术的技术问题通过以下的技术方案予以解决一种像素电路，包括第一晶体管，电容和第三晶体管，其特征在于还包括第二晶体管、 第四晶体管和第五晶体管，所述第三晶体管的控制极连接第一扫描信号，所述第三晶体管的第一电流导通极与所述第二晶体管的第一电流导通极、所述第五晶体管的第一电流导通极相连于第一节点，所述第三晶体管的第二电流导通极与所述第四晶体管的第一电流导通极相连，所述第四晶体管的控制极连接第二扫描信号，所述第四晶体管的第二电流导通极与所述第二晶体管的控制极、所述第二晶体管的第二电流导通极相连于第二节点，所述第五晶体管的控制极连接第三扫描信号，所述第五晶体管的第二电流导通极连接电源，所述第一晶体管的控制极连接所述第二节点，所述第一晶体管的第一电流导通极连接所述电源，所述第一晶体管的第二电流导通极连接第四扫描信号；所述电容的第一端连接所述第二节点，第二端连接参考电位；所述第一扫描信号驱动所述第三晶体管，所述第二扫描信号驱动所述第四晶体管，所述第三扫描信号驱动所述第五晶体管，使得所述像素电路工作过程至少包括一个补偿电压产生阶段、一个补偿阶段和一个发光阶段，且在所述发光阶段时所述第二节点的电位为VDATA+VTH_T2，其中，Vdata表示像素电路接收的数据信号的值，VTH_T2表示所述第二晶体管的阈值电压；所述第四扫描信号至少在所述发光阶段为参考地。—种上述像素电路的驱动方法，所述像素电路按照补偿电压产生阶段、补偿阶段和发光阶段进行驱动控制在所述补偿电压产生阶段，所述第一扫描信号驱动控制所述第三晶体管导通，所述第二扫描信号驱动控制所述第四晶体管导通，所述第三扫描信号驱动控制所述第五晶体管截止，所述第三晶体管与所述第四晶体管的相连端接收补偿电压信号；在所述补偿阶段，所述第一扫描信号驱动控制所述第三晶体管导通，所述第二扫描信号驱动控制所述第四晶体管截止，所述第三扫描信号驱动控制所述第五晶体管截止，所述第三晶体管与所述第四晶体管的相连端接收数据信号；所述发光阶段，所述第一扫描信号驱动控制所述第三晶体管截止，所述第二扫描信号驱动控制所述第四晶体管截止，所述第三扫描信号驱动控制所述第五晶体管导通；所述补偿电压的值Vcomp满足VComp>VDATA+VTH_T2 ； 其中，Vdata表示所述数据信号的值，VTH_T2表示第二晶体管的阈值电压。本专利技术与现有技术对比的有益效果是本专利技术的像素电路，通过五个晶体管连接的设置，以及相应的驱动时序的控制，使得在发光阶段第二节点的电位为VDATA+VTH_T2，即可使用新增的第二晶体管的阈值电压与第一晶体管的阈值电压相抵消，从而使得发光阶段流过OLED的驱动电流不受第一晶体管(驱动管) 的阈值电压的影响，也即接收相同数据信号，计算得到的各像素电路中的驱动电流是相同的，则接收相同数据信号，各像素电路中有机发光二极管OLED的亮度是一致的，确保整个 AMOLED显示屏亮度的均勻性。同时，因驱动电流不受第一晶体管(驱动管)的阈值电压的影响，使得即便长时间工作后阈值电压漂移量不同，面板上不同像素的有机发光二极管OLED 的亮度仍然是一致的，保证长时间工作后显示屏亮度仍然是均勻的。附图说明图1是现有技术中像素电路的电路结构图2是本专利技术具体实施方式一的像素电路的电路结构图； 图3是本专利技术具体实施方式一的像素电路的各扫描信号的时序图； 图4是本专利技术具体实施方式二的像素电路的电路结构图； 图5是本专利技术具体实施方式三的像素电路的电路结构图； 图6是本专利技术具体实施方式四的像素电路的电路结构图；图7是本专利技术具体实施方式五的像素电路的电路结构图； 图8是本专利技术具体实施方式六的像素电路的电路结构图。具体实施例方式下面结合具体实施方式并对照附图对本专利技术做进一步详细说明。具体实施方式一如图2所示，为本具体实施方式的像素电路的电路结构图。像素电路包括第一晶体管 Tl，电容Cs，第二晶体管T2，第三晶体管T3，第四晶体管T4和第五晶体管T5。本具体实施方式中五个晶体管为N沟道多晶硅薄膜晶体管，晶体管的控制极为栅极，第一电流导通极可以是源极也可以是漏极，相应地，第二电流导通极可以是漏极也可是源极。在实际应用中，晶体管也可以为P沟道多晶硅薄膜晶体管，相应电路的连接则根据N 沟道与P沟道极性的不同做相应的调整，栅极连接驱动信号也根据N沟道与P沟道驱动所需信号高低电平不同做相应的调整，本领域技术人员可根据现有技术做出改变，在此不重复说明。图2中，第三晶体管T3的栅极连接第一扫描信号Vscanl，第三晶体管T3的漏极与第二晶体管T2的源极、第五晶体管T5的源极相连于第一节点A，第三晶体管T3的源极与第四晶体管T4的源极相连，第四晶体管T4的栅极连接第二扫描信号VsCan2，第四晶体管T4 的漏极与第二晶体管T2的栅极、第二晶体管T2的漏极相连于第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘萍，
申请(专利权)人：深圳丹邦投资集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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