本发明专利技术涉及式(I)的新化合物，其中R1和R1’相互独立地为H或取代基、卤素或SiR6R4R5；R2和R2’可以相同或不同且选自C1-C25烷基、C3-C12环烷基、C2-C25链烯基、C2-C25炔基、C4-C25芳基、C5-C25烷芳基或C5-C25芳烷基，它们各自未被取代或被取代，以及在如权利要求1所定义的条件下，R2和/或R2’也可以为卤素或氢；X为选自(Ia)和(Ib)的二价连接基团；Y和Y’独立地选自式(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)；n和p独立地为0-6；其中其他符号如权利要求1所定义，还涉及对应的低聚物和(共)聚合物。本发明专利技术化合物可以用作半导体且在有机溶剂中具有优异的溶解性和优异的成膜性能。此外，当将本发明专利技术聚合物用于有机场效应晶体管、有机光生伏打器件(太阳能电池)和光电二极管时，可以观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多环联噻吩本专利技术涉及新的桥接2，2’ -联噻吩衍生物、其低聚物和共聚物，它们在有机器件中作为有机半导体的用途以及包含所述桥接联噻吩衍生物的半导体器件。本专利技术的新化合物通常具有式I 权利要求1.-种下式的化合物2.根据权利要求1的式I化合物3.根据权利要求1或2的化合物，其中 R1和R1’相互独立地为H、卤素或SiR6R4R5 ；R2和R2’可以相同或不同且选自H、C1-C18烷基或C5-C25噻吩基烷基或苯基烷基； R4、R5、R6独立地选自C1-C18烷基； η和ρ优选为0或1 ；4.根据权利要求1-3中任一项的化合物，其中 R1和R1’相互独立地为H、卤素或SiR6R4R5 ； R2和R2'独立地为H或C1-C18烷基；R3和R3’为氨基，或者一起形成选自其中CH结构部分被取代的S-CH = N、O-CH=N、NR-CH = N的闭环结构；或5.包含至少两个式II’或式III’的结构单元的低聚物、聚合物或共聚物6.根据权利要求5的低聚物或(共)聚合物，其中X为选自7.根据权利要求5或6的低聚物或(共)聚合物，其中 R8”为亚苯基或亚噻盼基，它们各自可以带有其他取代基；R9、R9’、R1°和Ri°’独立地为氧；以及R9、R9’、R1°和Ri°’之一为与L’的化学键或者在L’为 键的情况下与L’ 一起形成一个化学单键；以及L’表示键或选自QrCi2亚芳基、Ci-Cig亚杂芳基、Ci-Cg亚烧基、C3-C12亚环烧基的 ニ价有机连接基团，尤其选自Ci-C；亚烧基、亚苯基和化学键。8.可以由式IV化合物均聚或式IV化合物与合适的其他単体共聚而得到的聚合物9.可以通过式XIV化合物均聚或式XIV化合物与合适的其他単体共聚而得到的聚合物10.一种包含根据权利要求1-9中任一项的化合物的半导体器件，尤其是二极管、光电 二极管、有机光生伏打(PV)器件(太阳能电池)、有机场效应晶体管或含有二极管和/或光 电二极管和/或有机场效应晶体管和/或太阳能电池的器件。11.根据权利要求10的半导体器件，其在硬质或软质固体衬底上含有根据权利要 求1-4中任一项的式I化合物和/或根据权利要求5-9中任一项的低聚物或聚合物作为 5-lOOOnm厚的层。12.—种有机半导体材料、层或组件，包含根据权利要求1-4中任一项的式I化合物和 /或根据权利要求5-9中任一项的低聚物或聚合物。13.制备有机半导体器件的方法，所述方法包括将根据权利要求1-4中任一项的式I化合物和/或根据权利要求5-9中任一项的低聚物或聚合物在有机溶剂中的溶液和/或分散体施用于合适的衬底上并除去所述溶剂。14.根据权利要求1-4中任一项的式I化合物和/或根据权利要求5-9中任一项的低聚物或聚合物作为电荷传输材料、半导电材料、导电材料、光电导材料、发光材料、表面改性材料、电池中的电极材料、对准层或在有机场效应晶体管、集成电路、薄膜晶体管、显示器、 RFID标签、电致发光或光致发光器件、显示器的背光灯、光生伏打或传感器器件、电荷注入层、光电二极管、肖特基二极管、存储器件(例如i^eFET)、平面化层、抗静电材料、导电性衬底或图案、光电导体或电子照相应用或记录材料中的用途。全文摘要本专利技术涉及式(I)的新化合物，其中R1和R1’相互独立地为H或取代基、卤素或SiR6R4R5；R2和R2’可以相同或不同且选自C1-C25烷基、C3-C12环烷基、C2-C25链烯基、C2-C25炔基、C4-C25芳基、C5-C25烷芳基或C5-C25芳烷基，它们各自未被取代或被取代，以及在如权利要求1所定义的条件下，R2和/或R2’也可以为卤素或氢；X为选自(Ia)和(Ib)的二价连接基团；Y和Y’独立地选自式(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)；n和p独立地为0-6；其中其他符号如权利要求1所定义，还涉及对应的低聚物和(共)聚合物。本专利技术化合物可以用作半导体且在有机溶剂中具有优异的溶解性和优异的成膜性能。此外，当将本专利技术聚合物用于有机场效应晶体管、有机光生伏打器件(太阳能电池)和光电二极管时，可以观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。文档编号C07D333/28GK102449023SQ201080023293 公开日2012年5月9日 申请日期2010年5月21日 优先权日2009年5月27日专利技术者H·J·吉尔尼尔, N·舍博塔莱瓦, O·F·埃比谢尔 申请人:巴斯夫欧洲公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·J·吉尔尼尔，N·舍博塔莱瓦，O·F·埃比谢尔，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：
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