本发明专利技术公开了一种存储器及使用该存储器的方法，该存储器是与非门存储器，包括一控制电路施加一读取偏压配置至该多条字线以通过测量流经介于该串联的存储单元的该第一端与该第二端之间的电流而读取储存于该多个存储单元中的一选取数据值，其中该读取偏压配置施加至该多条字线的字线仅施加小于该第二阈值电压分布的该第二最大值的字线电压。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及。
技术介绍
读取干扰是例如浮动栅极和电荷捕捉存储单元等非易失存储单元操作中的一个严重问题。读取干扰会在非易失存储单元进行读取操作时发生；虽然是施加读取偏压而不是编程偏压，某种程度的编程仍会在施加一读取偏压时发生。在经过许多次读取操作之后， 读取干扰会提升此受影响的非易失存储单元的阈值电压。读取干扰会因为读取偏压配置Vpass足够高可以导致编程而发生于与非门串行中。在一串联安排的非易失存储单元的与非门串行中，读取电压Vread被施加至此与非门串行中所选取存储单元的字线上，及一导通电压Vpass被施加至此与非门串行中未选取存储单元的字线上。图1为阈值电压分布的图式，显示高阈值电压(HVt)和低阈值电压(LVt)的分布、 字线读取电压区间及字线导通电压区间。Vpass足够高可以开启此与非门串行中未选取存储单元之下的通道而不管储存于此未选取存储单元中的数据值。特别是，Vpass足以开启储存与最高阈值电压分布相关的数据值的一存储单元之下的通道。Vread足以开启此与非门串行中一具有与一低于Vread的阈值电压分布相关数据值的选取存储单元之下的通道， 且足够低而可以关闭此与非门串行中一具有与一高于Vread的阈值电压分布相关数据值的选取存储单元之下的通道。
技术实现思路
本专利技术关于许多通过降低Vpass电压来解决读取干扰的方案。一般而言，此Vpass 电压超过最高阈值电压分布，所以无论储存于此未选取存储单元中的数据值为何，在一与非门串行未选取存储单元之下的通道总是开启。然而，在不同的实施例中降低Vpass电压至最高阈值电压分布以下。在不同的实施例中通过每一与非门串行储存单一选取数据位来达成此目标。在此与非门串行中的其它未选取存储单元并没有储存使用者选取数据，自一较低阈值电压分布储存一阈值电压，使得降低的Vpass开启一与非门串行未选取存储单兀。本专利技术的第一方式具有降低的Vpass电压。本专利技术的第二方式同时具有降低及未降低的Vpass电压，是根据指令来决定。本专利技术的第三方式同时具有降低及未降低的Vpass 电压，是根据指令缓存器来决定。不同的方案会于下面描述。本专利技术的第一方式为提供一种存储器，具有存储单元、字线及控制电路。此多个存储单元串联安排于一半导体主体中，该串联的存储单元具有一第一端及一第二端，该多个存储单元中的存储单元具有一阈值电压，该阈值电压是与一第一数据值相关的一第一阈值电压分布及与一第二数据值相关的一第二阈值电压分布两者之一，该第一阈值电压分布具有一第一最小值及一第一最大值，且该第二阈值电压分布具有一第二最小值及一第二最大值，该第一阈值电压分布是较该第二阈值电压分布为低的阈值电压分布。该多条字线中的字线与该多个存储单元中对应的存储单元耦接。该控制电路与该多条字线耦接。该控制电路施加一读取偏压配置至该多条字线以通过测量流经介于该串联的该第一端与该第二端之间的电流而读取储存于该多个存储单元中的一选取数据值，其中该读取偏压配置施加至该多条字线的字线仅施加大于该第一阈值电压分布的该第一最大值且小于该第二阈值电压分布的该第二最大值的字线电压。在一实施例中，该读取偏压配置通过该控制电路施加至该多条字线的字线仅施加小于该第二阈值电压分布的该第二最小值的字线电压。在一实施例中，该控制电路在该多个存储单元的所有存储单元中储存一相同的选取数据值。在一实施例中，该些存储单元包含一已编程存储单元，其具有该第二阈值电压分布。其它的实施例用不同方式在每一与非门串行储存单一选取数据位。在一实施例中，该多个存储单元包括(i)该多个存储单元中的至少一选取存储单元。该控制电路在所有该至少一选取存储单元中储存一相同的选取数据值。(ii)与该至少一选取存储单元不同的其它存储单元，其中该其它存储单元储存该第一数据值。且与该第一数据值相关的该第一阈值电压分布相较于与该第二数据值相关的该第二阈值电压分布是一较小的电压分布。响应该控制电路施加至该多条字线的该读取偏压配置，自该多个存储单元中读取该相同的选取数据值。在一实施例中，上述储存是响应一编程指令而由该控制电路执行。本专利技术的第二方式为提供一种存储器，具有存储单元、字线及控制电路。该控制电路具有多组指令，包括一第一组指令及一第二组指令。此第一组指令包括一第一读取指令，其施加一第一读取偏压配置至该多条字线以通过测量流经介于该串联的该第一端与该第二端之间的电流而读取储存于该多个存储单元中的一选取数据值，其中该第一读取偏压配置施加至该多条字线的字线是施加(i)大于该第一阈值电压分布的该第一最大值且小于该第二阈值电压分布的该第二最小值的字线电压(ii)大于该第二阈值电压分布的该第二最大值的字线电压。此第二组指令包括一第二读取指令，其施加一第二读取偏压配置至该多条字线以通过测量流经介于该串联的该第一端与该第二端之间的电流而读取储存于该多个存储单元中的一选取数据值，其中该第二读取偏压配置施加至该多条字线的字线仅施加大于该第一阈值电压分布的该第一最大值且小于该第二阈值电压分布的该第二最大值的字线电压。在一实施例中，该第一组指令与该多个存储单元中具有与不同数据值对应的至少四个阈值电压分布的一该阈值电压的存储单元对应，包括至少该第一阈值电压分布与该第一数据值对应、该第二阈值电压分布与该第二数据值对应、一第三阈值电压分布与一第三数据值对应，及一第四阈值电压分布与一第四数据值对应。该第二组指令与该多个存储单元中具有与不同数据值对应的仅有两个阈值电压分布的一该阈值电压的存储单元对应，包括至少该第一阈值电压分布与该第一数据值对应及该第二阈值电压分布与该第二数据值对应。在另一实施例中，不同组指令中包括一读取指令及一编程指令。在一实施例中，与该第二组指令对应，该控制电路在该多个存储单元的所有存储单元中储存一相同的选取数据值。在一实施例中，该第二组指令包括一编程指令，其在该多个存储单元的所有存储单元中储存一相同的选取数据值。其它的实施例用不同方式在每一与非门串行储存单一选取数据位。在一实施例中，与该第二组指令对应，该多个存储单元包括(i)该多个存储单元中的至少一选取存储单元，其中该控制电路在所有该至少一选取存储单元中储存一相同的选取数据值。(ii)与该至少一选取存储单元不同的其它存储单元，其中该其它存储单元储存该第一数据值，且与该第一数据值相关的该第一阈值电压分布相较于与该第二数据值相关的该第二阈值电压分布是一较小的电压分布。响应该控制电路施加至该多条字线的该读取偏压配置，自该多个存储单元中读取该相同的选取数据值。在一实施例中，上述储存是响应一编程指令而由该控制电路执行。在一实施例中，该第一组指令对应于与该第二数据值相关的该第二阈值电压分布的一第一版本，该第二阈值电压分布的该第一版本具有一第一版本分布最小值。该第二组指令对应于与该第二数据值相关的该第二阈值电压分布的一第二版本， 该第二阈值电压分布的该第二版本具有一第二版本分布最小值。该第一版本分布最小值小于该第二版本分布最小值。本专利技术的第三方式为提供一种存储器，具有存储单元、字线、指令缓存器及控制电路。该指令缓存器储存一第一值与一第二值之一。该控制电路响应该指令缓存器中所储存的值。响应该指令缓存器中所储存的该第一值，该读取指令施本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，洪硕男，刘增毅，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。