本发明专利技术涉及一种含有有机硅化合物和无机硅化合物的透光性基体的可见光透过量增加剂及使用该可见光透过量增加剂的高透光性基体的制造方法，本发明专利技术还涉及一种增加透光性基体的可见光透过量的方法，该方法的特征在于，在透光性基体表面形成含有有机硅化合物和无机硅化合物的层。上述可见光透过量增加剂和上述层优选进一步含有氧化钛，该氧化钛优选为金属掺杂氧化钛。根据本发明专利技术，通过不管基体的材质和形状如何均可适用的简易方法，能够使基体的反射率减小而使透过率增大，从而能够提供一种提高了光学特性的基体。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使透光性基体的可见光透过量增大的可见光透过量增加剂、特征在于用该可见光透过量增加剂进行表面处理的高透光性基体的制造方法、以及使透过透光性基体的可见光量增加的方法。
技术介绍
为了提高具有光透过功能的光学元件的功能性，一直以来人们谋求该元件的透光性的提高。例如对于透镜等光学元件，使用透明度高的玻璃作为基体，或者将用于降低反射率的有机高分子膜应用于基体表面。但是，高透明度的玻璃的使用在经济性上存在问题，并且，有机高分子膜的应用中难以将非常薄的膜的厚度均一地控制在不影响透镜等的光学特性的程度。另外，对于太阳光发电用电池等光学部件以及各种屏幕图像装置的发光元件等光学元件，存在通过透光量来左右功能特性的情况，需要提高透光性能以获得更多的透光量，但增大透光量是困难的。另外，在日本特开昭50-70040号公报中记载了这样的内容，为了降低反射率而对透镜基体的表面进行蚀刻处理，形成具有规定图案的微细的凹凸。但是由于蚀刻处理中利用激光干涉，所以处理装置的规模大，另外，在透镜基体具有曲面时，难以在该曲面上形成凹凸。另外，利用该方法不能使所增加的透光量超过反射光的降低量。专利文献1 日本特开昭50-70040号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述现有技术做出的，其目的是通过不管基体的材质和形状如何均可适用的简易方法使基体的可见光透过量增大。本专利技术的目的通过在透光性基体的表面形成含有有机硅化合物和无机硅化合物的层来达成。上述层能够通过将含有有机硅化合物和无机硅化合物的透光性基体的可见光透过量增加剂涂布在透光性基体上，进行加热处理或非加热处理来形成。在此“加热处理” 意味着在超过常温(20 30°C、优选为25°C )的温度加热，也包含在室外在太阳光下曝露 (例如有时达到50 100°C ) 一定时间。另一方面，“非加热处理”意味着在常温维持一定时间。上述层和上述可见光透过量增加剂优选含有氧化钛。进而，上述氧化钛优选为金属掺杂氧化钛。上述氧化钛也可以为过氧化钛。而且，上述基体优选至少一部分是用树脂、 金属或玻璃制造的。上述可见光透过量增加剂优选含有热分解性有机化合物。这种情况下，优选在 4000C以上的温度进行加热处理。上述热分解性有机化合物能够为糖或糖醇，糖能够为选自由单糖类和二糖类组成的组中的至少一种糖。另一方面，上述热分解性有机化合物也可以为水溶性有机高分子。上述可见光透过量增加剂能够进一步含有选自由下述(1) C3)组成的组中的一种或两种以上正电荷物质(1)阳离子；(2)具有正电荷的导电体或电介体；以及(3)具有正电荷的导电体与电介体或半导体的复合体。上述可见光透过量增加剂能够进一步含有选自由下述(4) (7)组成的组中的一种或两种以上负电荷物质(4)阴离子；( 具有负电荷的导电体或电介体；(6)具有负电荷的导电体与电介体或半导体的复合体；(7)具有光催化功能的物质。上述可见光透过量增加剂能够进一步同时含有上述正电荷物质和上述负电荷物质。另外，本专利技术中，“光”意味着紫外线、可见光、红外线等电磁波，在此“可见光”意味着具有380nm至780nm的波长的电磁波。根据本专利技术，不管基体的材质和形状如何，都能够通过简易方法使透光性基体的可见光透过量增大。因此，通过本专利技术，能够简便且经济地制造高透光性基体。通过本专利技术得到的基体特别优选作为要求光等电磁波的高透过性的、光学元件、光学部件。并且，在将含有有机硅化合物和无机硅化合物(优选进一步含有氧化钛、特别是金属掺杂氧化钛)的可见光透过量增加剂涂布在透光性基体上，进行加热处理或非加热处理，在透光性基体表面形成含有有机硅化合物和无机硅化合物(优选进一步含有氧化钛、 特别是金属掺杂氧化钛)的层时，在该可见光透过量增加剂进一步含有热分解性有机化合物的情况下，加热后，在上述层的表面形成微细的凹凸结构，表面积增大，光的飞散减小，因而可见光量进一步增大，透光性基体的反射率降低，进而能够使透光性基体的透光量增大。而且，上述可见光透过量增加剂含有正电荷物质和/或负电荷物质时，由于可防止透光性基体的表面受到污染，所以能够长期维持透光量的增大效果。附图说明图1是表示金属掺杂过氧化钛的第1制造方法的一例的简图。图2是表示复合体所产生的正电荷赋予机制的示意图。图3是表示从带正电荷的基体表面除去污染物质的机制的示意图。图4是表示本专利技术中的正电荷和负电荷赋予机制的一例的示意图。图5是表示本专利技术中的正电荷和负电荷赋予机制的其他例的示意图。图6是表示从带正电荷和负电荷的基体表面除去污染物质的机制的示意图。具体实施例方式一般情况下，如果不考虑基体对光的吸收，则通过透光性基体的光的量是从射入透光性基体的光的量中减去透光性基体表面所反射的光的量而得到的值。换言之，下式成立。透光性基体的透光量=射入透光性基体的入射光量-透过性基体的反射光量。本专利技术人等发现，通过在透光性基体表面形成含有有机硅化合物和无机硅化合物的层，该透光性基体的可见光透过量意外地超过了从射入透光性基体的入射光量中减去透光性基体的反射光量(和基体的吸收光量)而得到的值，完成了本专利技术。并且，如果在上述层中配合氧化钛，则可见光透过量进一步增大，使用金属掺杂氧化钛作为上述氧化钛时可见光透过量进一步增大。即，通过实施本专利技术，透光性基体的可见光透过量增大，下述关系式成立。透光性基体的可见光透过量>射入透光性基体的可见光入射量_(透过性基体的可见光反射量+基板的吸收光量)。一般认为，透光性基体的可见光透过量增大是由于含有有机硅化合物和无机硅化合物的层、含有有机硅化合物、无机硅化合物和氧化钛的层、或者含有有机硅化合物、无机硅化合物和金属掺杂氧化钛的层本身发射可见光。作为上述层发射可见光的理由，认为是由于，上述层中的原子或分子在紫外线等的可见光区域外的电磁波的作用下形成激发态， 从激发态返回基态时发出可见光。这样被紫外线等短波长(能量更高)电磁波激发的分子发出例如作为荧光的可见光等长波长(能量更低)电磁波的原理，例如在衣服材料和造纸领域所通用的荧光增白剂的领域中已经确立。不论怎样，本专利技术利用了含有有机硅化合物和无机硅化合物的层、含有有机硅化合物、无机硅化合物和氧化钛的层、或者含有有机硅化合物、无机硅化合物和金属掺杂氧化钛的层参与的可见光发射现象。另外，由于通常认为正电荷物质和/或负电荷物质以何种形式都有助于该可见光发射现象，所以优选含有正电荷物质、负电荷物质。本专利技术中，通过将含有下述(a)、(b)或(C)的透光性基体的可见光透过量增加剂涂布在透光性基体上，(a)有机硅化合物和无机硅化合物，(b)有机硅化合物、无机硅化合物和氧化钛，(c)有机硅化合物、无机硅化合物和金属掺杂氧化钛，并进行加热处理或非加热处理，从而在透光性基体上形成含有有机硅化合物和无机硅化合物、含有有机硅化合物、 无机硅化合物和氧化钛、或者含有有机硅化合物、无机硅化合物和金属掺杂氧化钛的层，使其可见光透过量增大。即，本专利技术还涉及使用上述可见光透过量增加剂的光高透过性基体的制造方法、或使用了上述可见光透过量增加剂的透光性基体的可见光透过量增加方法。作为通过本专利技术实施表面处理的基体，能够使用各种透光性基体。作为基体的材质，没有特别限定，能够使用亲水性或疏水性的无机类基体和有机类基体、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：绪方四郎，松井义光，
申请(专利权)人：萨斯堤那普尔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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