六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法技术

六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法，一种六方晶系钛酸钡粉末，其以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，所述M的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，电子仪器和电子仪器的小型化且高性能化急速发展，对于在这样的仪器中使用的电子部件，也要求充分确保可靠性，并同时提高各种特性(相对介电常数 (specific permittivity)、温度特性等)。这对于作为电子部件的一个例子的陶瓷电容器也不例外。作为这种电容器的电介质材料、特别是相对介电常数高的电介质材料，可以使用以正方晶的钛酸钡为主体、部分包含立方晶的正方晶系钛酸钡。但是，近年来为了电容的提高，研究了电介质层的薄层化。为了实现电介质层的薄层化，电介质粒子的粒径越小越好。 但是，当将上述正方晶系钛酸钡粉末进行微粒化时，有相对介电常数下降的问题。作为相对介电常数高的材料，研究了六方晶钛酸钡。六方晶钛酸钡原本与正方晶系的钛酸钡相比，相对介电常数低，但在专利文献1中，暗示了通过在六方晶钛酸钡单晶中弓丨入氧缺损，相对介电常数可显著得到提高。但是，基于上述专利文献1的教导，本专利技术人进行了研究，结果发现，虽然通过氧缺损的引入，相对介电常数得到提高，但绝缘电阻降低。因此，当使用通过氧缺损的引入而使相对介电常数得到提高的六方晶钛酸钡时，有元件寿命等受到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：日高重和，石井辰也，塚田岳夫，夏井秀定，增田健一郎，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：