【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
，具体涉及。
技术介绍
随着人类历史进入二十一世纪，能源危机和环境污染已经成为关系到人类文明健康发展的全球问题，开发可靠安全的绿色能源已经成为解决危机的主要方法。在这一背景下，世界各国对新能源技术开发的投入日益增多。太阳能电池作为清洁能源利用的最重要方式之一，已经引起了世界各国的广泛关注。经过多年发展，已经开发出了多种太阳能电池材料。其中，晶体硅太阳能电池因其光电转换效率较高、技术成熟并且原材料充足，占据了光伏市场80%以上的市场份额，预计在未来的10 20年内依然是光伏市场的主流。目前晶体硅电池制作的主流技术为高温扩散制作晶体硅太阳能电池，其工艺主要包括硅片清洗、制绒处理，高温三氯氧磷扩散制PN结步骤，表面磷硅玻璃以及边缘PN结去除，前表面氮化硅(SiNx)减反射层制备以及丝网印刷前背表面电极步骤，完成电池制作。这种电池制作虽然步骤繁多，但是工艺成熟，为产业界广泛采纳。然而这种电池制作工艺存在以下几个问题(1)需要高温扩散过程，工艺成本较高，并且容易在电池的另一个表面产生寄生扩散，导致工艺流程复杂化；( 发射极的特性对电池...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，以P型晶体硅片或者η型晶体硅片为衬底，其特征是在清洗制绒后的P型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备ITO薄膜作为前电极；或者，在清洗制绒后的η型晶体硅片的背表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：万青，竺立强，张洪亮，吴国栋，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。