一种薄膜倒装光子晶体LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜倒装光子晶体LED芯片，它包括一个基板，基板之上设有薄膜倒装的LED芯片，基板和薄膜倒装的LED芯片之间通过焊料连接；所述基板包括散热基座和在其上设有的彼此独立的金属层I、II，所述薄膜倒装的LED芯片是，在包含有光子晶体结构的N型半导体层下表面的一个区域自上向下依次设有发光层、P型半导体层、金属反射层、P型欧姆接触电极，其中P型欧姆接触电极通过焊料与金属层I连接，在下表面的另一个区域设有N型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极通过焊料与金属层II连接。本实用新型专利技术有效的提高出光效率、降低外延片位错密度、减小热阻，改善散热性能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种大功率高亮度发光二极管(LED)芯片，尤其涉及一种薄膜倒装光子晶体LED芯片
技术介绍
大功率、高亮度LED已经被应用于汽车照明、室内外通用照明、IXD背光照明光源等等众多领域，随着功率和亮度的不断提高，成本的不断降低，LED最终将会取代现有的通用照明光源，成为新一代绿色光源。但是目前LED仍面临以下挑战性技术难题(1)发光效率低；( 功率低；C3)成本高，这严重影响和制约LED进入通用照明和更加广泛的应用和市场的推广和普及。因此，增加发光效率，提高亮度和功率，降低成本已经成为目前LED行业迫切亟需解决和克服的技术难题。目前LED芯片的结构形式主要有四种(1)传统正装(横向结构)；(2)倒装(Flip Chip) ； (3)垂直结构(垂直薄膜 Vertical Thin Film) ； (4)薄膜倒装(Thin film Flip Chip)。与其它三种结构相比，薄膜倒装结构具有以下显著的优点⑴更大的出光面积(没有电极的遮光)；(2)易于实现LED模组(LED阵列)；(3)好的散热特性。此外，为了进一步提高光提取效率，降低外延片的位错密度(提高外延片质量)，光子晶体技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜倒装光子晶体LED芯片，其特征在于，包括一个基板，基板之上设有薄膜倒装的LED芯片，基板和薄膜倒装的LED芯片之间通过焊料连接；所述基板包括散热基座和在其上设有的彼此独立的金属层I、II，所述薄膜倒装的LED芯片是，在包含有光子晶体结构的N型半导体层下表面上的一个区域，自上向下依次设有发光层、P型半导体层、金属反射层、P型欧姆接触电极，所述P型欧姆接触电极与金属层I连接；在下表面上的另一个区域，设有N型欧姆接触电极、所述N型欧姆接触电极与金属层II连接。2.如权利要求1所述的薄膜倒装光子晶体LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层上的光子晶体结构包括周期结构光子晶体和/或非周期结构准光子晶体结构；所述光子晶体的几何参数纳米孔的尺寸100-200nm，晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰红波，丁玉成，
申请(专利权)人：青岛理工大学，
类型：实用新型
国别省市：