抗蚀剂剥离组合物和生产电气装置的方法制造方法及图纸

一种液体组合物，其包含：(A)至少一种极性有机溶剂，其选自在0.06-4重量％溶解氢氧化四甲铵(B)的存在下(重量％基于相应试验溶液(AB)的总重量)，在50℃下对含远紫外线吸收发色团的30nm厚聚合物减反射阻挡层显示出恒定去除速率的溶剂，(B)至少一种氢氧化季铵，和(C)至少一种含至少一个伯氨基的芳族胺；及其其制备方法，和一种使用该液体组合物作为抗蚀剂剥离组合物生产电气装置的方法及其它在通过硅通孔图案化和/或通过电镀和形成凸点生产3D叠层集成电路和3D晶片级封装中除去负型和正型光致抗蚀剂以及蚀刻后残留物中的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于从含铜且低k或超低k材料的衬底，特别是半导体衬底上除去图案化的抗蚀剂的新抗蚀剂剥离组合物。此外，本专利技术涉及生产电气装置，特别是半导体集成电路(IC)、液晶面板、有机电致发光面板、印刷电路板、微型机械、DNA芯片和微型装置，尤其是IC的新方法，所述新方法使用所述新抗蚀剂剥离组合物。现有技术描述抗蚀剂如远紫外线光致抗蚀剂或电子束抗蚀剂在显微光刻技术中用于生产宽范围的电气装置，例如半导体集成电路(IC)、液晶面板、有机电致发光面板、印刷电路板、微型机械、DNA芯片和微型装置，特别是具有LSI (大规模集成)或VLSI (超大规模集成)的IC。如今，铜常用作电气装置中，特别是在IC中所含通孔和互连结构中的低电阻或布线材料。随着IC功能的不断提高，铜的应用增多且电子结构尺寸不断降低，这要求使用低k 和超低k材料以避免由高布线容量所导致的布线电阻和布线延迟的问题。因此，已要求开展这些具有挑战性的研发并且仍要求继续优化该生产方法和所用的材料。在形成铜金属布线时，特别地使用一种方法，其中通过使用双镶嵌方法形成铜多层布线而不蚀刻铜。由于铜的低抗蚀刻性，已提出了多种双镶嵌方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·克里普，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：