一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管制造技术

本实用新型专利技术是有关于一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管，包括T5灯管型材、PCB板、灯座、电源模块、交流驱动芯片以及多个LED发光二极管，其中：PCB板固定在T5灯管型材上，电源模块固定在T5灯管型材内，灯座固定在PCB板的两端，LED发光二极管和交流驱动芯片固定在PCB板上；交流驱动芯片与LED发光二极管电路连接，并通过电源模块与灯座电路连接。本实用新型专利技术由交流驱动芯片代替驱动器，使得T5LED灯管直接取代T5直管荧光灯成为可能，从而更适于广泛推广使用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种照明装置，特别是涉及一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管。
技术介绍
由于LED灯管比直管荧光灯节能将近50%，因此直管荧光灯正逐渐被LED灯管所替代。目前，外形为T8(直径25. 4mm)、TlO (直径31. 8mm)的LED灯管，其铝质散热支架有足够的空间可以装入驱动板，因此可直接替代现有的T8、TlO荧光灯。但是外形为T5(直径16mm)的LED灯管，其铝质散热支架没有空间可以装入驱动板，驱动板只能外置，就如荧光灯的电子镇流器一般，或者要带一支架，如同支架灯一般，使用多有不便。因此，至今国内外，没有一款T5LED灯管可以直接取代T5直管荧光灯。由此可见，上述现有的T5LED灯管在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。如何能创设一种新的可以直接取代T5直管荧光灯的LED灯管，是当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管，使得可以直接取代T5直管荧光灯，从而克服现有的T5LED灯管的不足。为解决上述技术问题，本技术一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管，包括 T5灯管型材、PCB板、灯座、电源模块、交流驱动芯片以及多个LED发光二极管，其中PCB板固定在T5灯管型材上，电源模块固定在T5灯管型材内，灯座固定在PCB板的两端，LED发光二极管和交流驱动芯片固定在PCB板上；交流驱动芯片与LED发光二极管电路连接，并通过电源模块与灯座电路连接。作为本技术的一种改进，所述的T5灯管型材为铝质。所述的PCB板为铝基板。所述的T5灯管型材内还固定有铝质散热支架。所述的所述的交流驱动芯片包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块和半导体场效应晶体管M0SFET，其中第一个MOSFET的源极与地电位连接，栅极直接连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上；其它MOSFET的源极通过能够等效为电阻的元件组与地电位连接，栅极连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前一组缓冲-电压比较模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上；上述缓冲-电压比较模块的另一输入端与电压分配模块连接；电压输入模块的输出端还与LED发光二极管串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。所述的电压输入模块为半导体场效应晶体管，其栅极与外部电压输入端连接，漏极经能够等效为电阻的元件组连接于地电位，源极即为电压输入模块的输出端。所述的交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管， 其集电极通过一个正向连接的二极管与电压输入模块的栅极连接、并通过电感与外部电压输入端连接，发射极通过反向连接的二极管与地电位连接。所述的半导体场效应晶体管MOSFET为V型槽场效应晶体管VM0S，所述的电压输入模块为增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管。所述的交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC电路以及浪涌吸收电路。所述的EMC电路主要包括位于干路上的电感L，以及与整流电路并联的电容C。采用这样的设计后，本技术由交流驱动芯片代替驱动器，使得T5LED灯管直接取代T5直管荧光灯成为可能，从而更适于广泛推广使用。附图说明上述仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，以下结合附图与具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。图1是本技术一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管的结构示意图。图2是本技术一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管的另一种结构示意图。图3是本技术一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管的电路连接示意图。图4是本技术一种用来取代T5直管荧光灯的LED灯管的交流驱动芯片电路示意图。具体实施方式请参阅图1、图2所示，本技术用来取代T5直管荧光灯的LED灯管，包括T5灯管型材1、PCB板2、灯座3、电源模块4、交流驱动芯片5以及多个LED发光二极管6。其中，PCB板2固定在T5灯管型材1上，电源模块4固定在T5灯管型材1内，灯座3固定在PCB板2的两端，LED发光二极管6和交流驱动芯片5固定在PCB板2上。交流驱动芯片5与LED发光二极管6电路连接，并通过电源模块4与灯座3电路连接。较佳的，T5LED灯管可以采用两种结构形式可以如图1所示，将电源模块4、交流驱动芯片5和所有LED发光二极管6 —并贴在铝基PCB板2上；或如图2所示，将电源模块 4单独固定在铝质T5灯管型材1内，并在T5灯管型材1内装有铝质散热支架，更有利于产品的安全、可靠。请配合参阅图3所示，LED发光二极管6均由交流驱动芯片5驱动，交流驱动芯片 5还连接有整流电路、EMC(Electro Magnetic Compatibility，电磁兼容性)电路以及浪涌吸收电路等。其中，EMC电路主要包括位于干路上的电感L，以及与整流电路并联的电容C。请配合参阅图4所示，本技术所使用的交流驱动芯片5主要包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块51和半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn0其中，半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn可采用V型槽场效应晶体管VM0S。 MOSFET Ql的源极与地电位相连，栅极直接连接于第一组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，第一组缓冲-电压比较模块的另一个输入端分别4连接至串联电阻Rl和R2之间的连接点处，第一组缓冲-电压比较模块输出端与MOSFET Q2 的栅极相连，MOSFET Ql的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。MOSFET Qn(η > 1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于第η组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于第η-1组缓冲-电压比较模块的输出端，第η组缓冲-电压比较模块的另一个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n 之间的连接点处，MOSFET Qn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。电压分配模块即由上述Rl和R2，R2n-1和R2n组成的η条支路并联组成。电压输入模块可采用增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管M0SFETQ0，其输出端与LED发光二极管的串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。此外，交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管Qi， 其集电极通过一个正向连接的二极管Dl与电压输入模块QO的栅极连接、并通过电感L与外部电压输入端VIN连接，发射极通过反向连接的二极管D2与地电位连接。电压输入模块QO的栅极与外部电压输入端VIN连接，QO的漏极经一电阻Rx连接于地电位，QO的源极即为电压输入模块的输出端、经电压分配模块连接于地电位。由于采用了上述交流驱动芯片，本技术可将驱动芯片和和LED发光二极管集成组装在一块PCB板上，体积精巧的电源模块也可以固定到PCB板上或直接固定在T5灯管型材内，组装完成的本技术LED灯管，其外形尺寸与T5直管荧光灯完全一致，可以用来直接取代T5直管荧光灯，使用更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张高柏，陈卫平，
申请(专利权)人：陈卫平，
类型：实用新型
国别省市：