【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单壁碳纳米管领域,具体为化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管的高效、简单、可工业化的提纯方法。
技术介绍
单壁碳纳米管自1993年被发现以来,因其独特的结构而具有奇异的物理化学特性和优异的电学和力学性能,在纳米电子元件、场发射以及复合材料等领域具有广阔的应用前景。所有这些诱人的应用前景是以高纯、大量、廉价的单壁碳纳米管的获得为前提的。 传统制备单壁碳纳米管的三种方法中(化学气相沉积法、电弧法、激光蒸发法),化学气相沉积法因其简单、大量、廉价且可规模化等特点得到人们的青睐。然而目前化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管的纯度还比较低,因此寻找一种简单、高效、可工业化的提纯化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管的方法成为制约单壁碳纳米管工业化应用的瓶颈。自单壁碳纳米管被发现开始,单壁碳纳米管的提纯工作一直是科学工作者们的主要研究方向之一,尤其是化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管的提纯工作。现有的提纯化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管的方法主要分为化学法、物理法及物理和化学相结合的方法(文献 1,Chiang Iff, Brinson BE, Huang AY, Willi ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:侯鹏翔,于冰,刘畅,成会明,
申请(专利权)人:中国科学院金属研究所,
类型:发明
国别省市:
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