光刻投影设备和器件制造方法技术

一种电连接器，适于例如在低压强环境中连接高电压承载电缆，电连接器包括：具有导电表面的壳体和多个电缆插入部分，每一个电缆插入部分包括：导电体，配置用以连接至电缆；和绝缘套管，围绕所述导电体，其中所述壳体围绕所述多个电缆插入部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电连接器、一种电连接器系统、一种光刻设备以及一种用于制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可以通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。光刻设备的某些移动部分通过高压电源提供电力。而且，对于某些光刻过程，光刻设备的多个部件被保持在非常低的压强条件下。具体地，在非常低的压强的条件下，高压电源可以用以给用以定位衬底放置所在的衬底台的任意致动器、拦截投影束的一部分的任意所谓的叶片或将掩模或衬底保持至作为光刻设备的一部分的台的任意夹持装置提供电力。 由于使用高压的原因，并且尤其是因为部件被放置在非常低压强的环境中，存在可能发生电击穿的问题。电击穿的可能性限制了供电线的电压并且存在安全危害。如果发生击穿， 则会污染光学部件的表面，产生干扰敏感电子器件的电磁干扰以及存在对人的安全危害。EP1056162B1公开了一种用以控制电场的装置。该装置使用电容场控制和几何场控制。电容场控制包括多个电容层，所述电容层基本上同心地布置在内部带电导体和外部地电势之间。几何场控制包括应力锥体，其布置成与地电势电接触。然而，仍然可能发生从电缆至附近的导体的电弧放电。当电缆连接在处于低压强的系统中时，这种类型的电弧放电的问题尤其明显。在极紫外(EUV)光刻技术中，在非常低的压强条件下执行光刻过程以便减少EUV辐射被空气吸收。为了克服这个问题，US6，485，331B1公开了一种用于电缆的连接系统，其在真空下操作并承载高压电脉冲或电流。该连接系统包括连接至电缆的金属屏蔽层的接地外金属壳体和电介质的绝缘套管。绝缘屏蔽层和套管包围将要连接的电缆。该系统与密封件相配合以在电缆的绝缘套管和绝缘屏蔽层之间形成密封的腔。这确保即使连接系统的部分位于真空，连接系统的绝缘体也能保持浸入在气体环境中。这被设计成减少沿连接系统的绝缘体结合处的表面的电弧放电。然而，在这种系统中防止泄漏是困难的。系统中任何泄漏都增加了电弧放电的可能性。
技术实现思路
期望例如提供一种电连接器，适于在低压强条件下连接高压电缆并且其中减小或消除电弧放电。根据本专利技术的一方面，提供一种电连接器，包括具有导电表面的壳体和多个电缆插入部分。每一个电缆插入部分包括导电体，所述导电体配置用以连接至电缆；和绝缘套管，所述绝缘套管围绕所述导电体。所述壳体围绕所述多个电缆插入部分。根据本专利技术的另一方面，提供一种电连接系统，包括阳电连接器和阴电连接器。 阳和阴电连接器每一个包括具有导电表面的壳体和多个电缆插入部分。每一个电缆插入部分包括配置用以连接至电缆的导电体和围绕导电体的绝缘套管。所述壳体围绕多个电缆插入部分。阳电连接器和阴电连接器相互连接。根据本专利技术的另一方面，提供一种电连接系统，包括绝缘套管和多个导电带，所述导电带围绕绝缘套管。在每一个导电带之间存在间隙使得在每一个间隙处绝缘套管是暴露的。此外，本专利技术涉及包括连接器或连接系统的光刻系统和子系统。 附图说明下面仅通过示例的方式，参考附图对本专利技术的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中图1示意地示出根据本专利技术一实施例的光刻设备；图2示出根据本专利技术的一实施例的一对阳/阴电连接器；图3示出空气中的平行板的理论帕邢曲线(Paschen curve)；图4示出根据本专利技术一实施例的电连接系统；图5示出通过根据本专利技术的一实施例的连接系统连接至电源的束拦截装置；图6示出通过根据本专利技术的一实施例的连接系统连接至电源的静电夹持装置。具体实施例图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述设备包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B (例如紫外(UV)辐射或极紫外 (EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用以根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用以根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。支撑结构支撑图案形成装置，即承载图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”可以被看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。应当注意， 被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。在此，术语“投影系统”应当被广义地理解为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里任何使用的术语“投影透镜”可以被看作与更为上位的“投影系统”同义。如这里所示的，所述设备可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替换地，所述设备是透射型的(例如采用透射式掩模)。所述光刻设备可以是具有两个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·戴门，J·范杜凡波第，H·范豪特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：