本发明专利技术涉及单层ＩＴＯ抗干扰的处理方法，所述ＩＴＯ层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均匀分布在玻璃基板上，其步骤如下：首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间隙内布设一层ＩＴＯ；然后，将所述间隙内的ＩＴＯ层接地，从而实现抗干扰的处理目的。本发明专利技术所述方法，将玻璃基板的外围处又填充了一种不同于电极块组成的ＩＴＯ层，所以可以起到抗干扰的作用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ITO抗干扰处理的方法，尤其是指单层ITO抗干扰处理的方法。
技术介绍
所谓ITO (铟锡氧化物)是一种用于生产液晶显示器的关键材料，目前，其在仪器仪表、计算机、电子表、游戏机和家用电器等领域都有了极为广泛的应用。近年来市场上大热的电容式触摸屏也是利用ITO来完成侦测触摸的动作，而电容触摸屏上ITO的布线一般是双层，其主要原理是利用人体电场，当使用者触摸时，表面行或列的交叉处感应单元的互电容(也称耦合电容)会有变化，根据上述变化最终可检测出触摸点的具体位置。常见的双层ITO的结构是菱形结构，其双层ITO分别布设在玻璃基板的同侧面上， 为了避免电极之间的相互导通，所以需要在玻璃基板上设置桥接点，这样就可将双层ITO 布设在玻璃基板的同一侧面上。虽然上述方法实现了侦测触摸的动作，但是这种采用双层 ITO的触摸屏结构，不但工艺复杂，而且桥接处容易损坏，产品良率低，导致成本升高。为了克服上述缺点，目前厂商们希望将双层ITO变成单层ΙΤ0，如此以来，不但触摸屏的厚度减小，工艺上更加简单，而且提高了产品的良率。所以无论是从成本上还是触摸屏的结构上考虑，单层ITO均具有更多优势。现阶段，单层ITO普遍存在一个问题就是划线时不够流畅，甚至出现延迟现象，直接观察其模拟图可以看到感应值的状态不够稳定，所以导致操作时的不稳定。因此需要为广大用户提供一种单层ITO抗干扰处理的方法来解决以上问题。
技术实现思路
本专利技术实际所要解决的技术问题是如何提供一种操作稳定、能够抗干扰的单层 ITO的处理方法。为了实现本专利技术的上述目的，本专利技术提供了一种单层ITO抗干扰的处理方法，所述ITO层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均勻分布在玻璃基板上，其步骤如下首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间隙内布设一层ITO ；然后，将所述间隙内的ITO层接地，从而实现抗干扰的处理目的。本专利技术所述的单层ITO抗干扰的处理方法，将玻璃基板的外围处又填充了一种不同于电极块组成的ITO层，所以可以起到抗干扰的作用。当在这种单层ITO上操作时，划线更加流畅，侦测出的感应值更加稳定。附图说明图1是根据本专利技术所述单层ITO的布图示意图。 具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。请参考图1所示，专利技术涉及单层ITO的布线结构，所述ITO层1由若干个触控电极块10组成，形成若干纵行和纵列，即每个纵行或者纵列均由复数个触控电极块10组成；所述触控电极块10均布设在玻璃基板11上，每个触控电极块10均呈矩形，为了方便的计算触碰点的位置，均设置成正方形，所有电极块10均通过导线连接到与玻璃基板11相贴合的电路板(未图示)上的触控芯片12的相应引脚上。所述单层ITO层1扫描时，逐次扫描纵行和纵列，每次同时扫描两行或者两列，并获取其差值。设单层ITO层1有A行B列，先扫描纵行时，首先分别将第一行和第二行中所有触控电极块10在芯片内部设置成导通形式，即将第一行中的所有电极块10设置成导通形式，然后将第二行中的所有电极块10设置成导通形式。第一次扫描时，若第一行设置为扫描端，则依次顺序相邻的第二行设置为参考端，此时其它电极块10均悬空或者接地；第二次扫描时，继续分别将第二行和第三行中所有触控电极块10在芯片内部设置成导通形式， 若将第二行设置为扫描端，则依次顺序相邻的第三行就为参考端，此时其它电极块10均悬空或者接地；依次顺序扫描直至扫描到第A-I行为止。根据上述扫描方法记录每次扫描后获得的数据就可以判断出触控对象触碰所述单层ITO的位置坐标。由于所述电极块10上引出的导线分别到玻璃基板11的各个外围处具有一定的间隙，即从所述电极块10上引出的最外围导线分别与所述玻璃基板11的上、下、左、右四个方位处均有空隙，如图1中的阴影部分。为了更加准确的侦测出触碰点的位置坐标，可将所述间隙处均填满一层ΙΤ0，且所述ITO与由触控电极块10组成的ITO不相同，并且使其接地。 其使ITO接地的具体方法如下从所述间隙处的ITO上引出一根导线连接到与所述电路板上，更具体的说是连接到所述电路板的接地线上。如此以来，由于间隙处ITO层的作用，使得在所述玻璃基板上的操作更加流畅以及稳定，从而可以起到抗干扰的作用。由于本专利技术采用了将玻璃基板的外围处又填充了一种不同于电极块组成的ITO 层，所以可以起到抗干扰的作用；再者，利用上述方法判断触碰点的具体位置时也会更加准确，操作时，由于侦测出的感应值更加稳定，所以划线更加流畅。权利要求1.一种单层ITO抗干扰的处理方法，所述ITO层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均勻分布在玻璃基板上，其步骤如下首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间隙内布设一层ΙΤ0;然后，将所述间隙内的ITO层接地，从而实现抗干扰的处理目的。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述间隙是指所述电极块上引出的最外围导线分别与所述玻璃基板的上、下、左、右四个方位处的空隙。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述电极块上引出的导线连接到与所述玻璃基板相贴合的电路板上的触控芯片的相应引脚上。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述单层ITO扫描时，逐次扫描纵行和纵列，每次同时扫描两行或者两列，并获取其差值。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述间隙内的ITO与触控电极组成的ITO不相同。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述ITO层接地的具体方法如下从所述间隙处的ITO上引出一根导线连接到与所述电路板上。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于所述间隙处的ITO上引出一根导线连接到与所述电路板的接地线上。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述触控电极块均呈正方形。全文摘要本专利技术涉及单层ITO抗干扰的处理方法，所述ITO层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均匀分布在玻璃基板上，其步骤如下首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间隙内布设一层ITO；然后，将所述间隙内的ITO层接地，从而实现抗干扰的处理目的。本专利技术所述方法，将玻璃基板的外围处又填充了一种不同于电极块组成的ITO层，所以可以起到抗干扰的作用。文档编号G06F3/041GK102368187SQ20111029311公开日2012年3月7日 申请日期2011年9月30日 优先权日2011年9月30日专利技术者张开立, 樊永召, 金莉 申请人:苏州瀚瑞微电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种单层ＩＴＯ抗干扰的处理方法，所述ＩＴＯ层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均匀分布在玻璃基板上，其步骤如下：首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间隙内布设一层ＩＴＯ；然后，将所述间隙内的ＩＴＯ层接地，从而实现抗干扰的处理目的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：樊永召，
申请(专利权)人：苏州瀚瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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