一种提高SOC芯片读写速度的方法技术

本发明专利技术提供一种提高SOC芯片读写速度的方法是在灵敏放大器电路的输入端口和输出端口之间增加隔离电路和增益电路，对输出端口短路电流进行泄放，减小全摆幅电容的影响，从而提高了电路灵敏度，缩短了数据读写延迟时间，使灵敏放大器电路快速的进入工作状态从而提高SOC芯片读写的速度，本发明专利技术与传统的电路相比，读写速度可以提高50%以上，功耗延迟提高30%。同时灵敏放大器的是存储器的外部电路，对整个片上存储器的面积没有太大影响。这种提高芯片读写速度的设计所具有的优点，使得其更适应高存储访问频率类芯片，因而具有非常广阔的发展前景，具有很高的技术价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种提高SOC芯片读写速度的结构设计实现方法。
技术介绍
现代工艺所提供的巨大集成潜能，使得微处理器的设计发展成为一种主流技术。存储器是微处理器的重要组成部分，能够存储计算机要执行的程序、处理的数据以及计算的结果，使计算机能够脱离人的干预自动地进行工作。CMOS存储器的集成度与速度通常标志着一个国家的集成电路设计与实现的技术水平。随着科技的不断发展，对与芯片的容量和速度的要求也在不断的提高，提高存储器的容量和速度起着关键的作用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提高SOC芯片读写速度的方法。本专利技术的目的是按以下方式实现的，本专利技术的结构设计主要考虑静态存储器中灵敏放大器的设计对芯片读写速度的影响，而采取灵敏放大器结构的特殊设计。本专利技术的结构设计方法是在片上存储器的灵敏放大器结构进行优化来提高芯片数据读取和写入速度，这是根据高集成密度的存储部件对整个芯片读取速度的巨大影响的考虑和存储部件的结构特点提出来的。因为传统的静态存储器都采用标准的六管体结构，存储单元设计的固定使得存储阵列的读取速度成为固定，而存储器外部电路中灵敏放大器的数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王恩东，胡雷均，林杨，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：