【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片背面并增强其强度等目的。此外，本专利技术涉及采用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。
技术介绍
近来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可以存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至10)。专利文献1 JP-A-2008-166451专利文献2 JP-A-2008-006386专利文献3 JP-A-2007-261035专利文献4 JP-A-2007-250970专利文献5 JP-A-2007-158026专利文献6 JP-A-2004-221169专利文献7 :JP-A-2004-21^88专利文献8 J...
【技术保护点】
１．一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在２３℃－１６５℃范围内的体积收缩率为１００ｐｐｍ／℃－４００ｐｐｍ／℃。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：河本裕介，高本尚英，志贺豪士，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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