本发明专利技术涉及显示装置用照明装置等，所述显示装置用照明装置是包括基板和配置于基板上的多个白色发光装置的、作为液晶显示面板的背光源使用的装置，所述白色发光装置具有光源和由所述光源激励而发光的荧光体，作为所述荧光体，使用由通式Ｍ（０）ａＭ（１）ｂＭ（２）ｘ－（ｖｍ＋ｎ）Ｍ（３）（ｖｍ＋ｎ）－ｙＯｎＮｚ－ｎ表示的组成的荧光材料。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置用照明装置和显示装置，特别是涉及色再现性高的显示装置用照明装置和显示装置。本申请基于在2008年11月28日在日本提出申请的专利申请2008-305317号要求优先权，将其内容援引于本申请中。
技术介绍
近年来，为了液晶显示装置的进一步的性能提高，对透射型液晶显示面板中所使用的背光源(显示装置用照明装置)要求进一步的高辉度化和高的色再现性。因此，作为上述背光源，以往，组合了荧光显示管和导光板的背光源是主流，但近年来，开始使用采用了 LED装置的背光源。作为采用了上述LED装置的背光源，有例如将多个白色LED装置排列在基板上的背光源。作为上述白色LED装置，公知组合了蓝色发光二极管元件(蓝色LED芯片)和蓝色吸收黄色发光荧光体的白色发光二极管装置(BY型白色LED装置)、组合了蓝色LED芯片和蓝色吸收绿色发光荧光体以及蓝色吸收红色发光荧光体的白色发光二极管装置(RGB型白色LED装置)，在上述背光源等中被实用化。作为上述BY型白色LED装置，例如专利文献1中曾公开了采用蓝色发光二极管元件和蓝色吸收黄色发光荧光体的组合的白色发光二极管装置。另外，专利文献2中也曾对于同样的构成的发光二极管装置加以公开。进一步地，专利文献3中也曾对于同样的构成的发光二极管装置，作为使用了波长变换浇铸材料的发光元件加以公开。作为上述RGB型白色LED装置，例如专利文献4中曾公开了具备发出紫外光或近紫外光的半导体发光元件、和成膜于元件的表面的荧光体的带有荧光体的发光二极管。在该构成中，可根据在元件的表面成膜的荧光体的种类，使该带有荧光体的发光二极管装置 (LED装置)的发光色为蓝、绿或红色。另外，专利文献5中曾公开了一种点阵型的显示装置，其具备包含III族氮化物半导体的发光层；和接受从该发光层发出的发光波长峰波长为380nm的紫外光，分别发出红色、绿色和蓝色的三原色的光的3种荧光体层。另外，专利文献1 5中记载的LED装置，可以通过例如专利文献6、专利文献7等记载的公知的方法制造。在这些发光二极管中，作为蓝色吸收黄色发光荧光体，被特别经常使用的荧光体是由通式(Y，Gd) 3 (Al, Ga)5012:Ce3+表示的、用铈激活的钇-铝-石榴石(YAG)系氧化物荧光体。上述BY型白色LED装置，红色成分不足，成为苍白的发光，存在显色性可看到偏差这样的问题。另外，也具有也存在下述问题的荧光体随着使上述蓝色LED芯片形成为高辉度，发热量增大，一部分发生分解从而变得不显示发光，使上述白色LED芯片的发光辉度降低。进一步地，在YAG荧光体等中，高温下的转换效率差，所以在成为高温的环境下有时也发生发光强度急速降低这样的问题。作为蓝色吸收黄色发光荧光体，除了上述钇-铝-石榴石(YAG)系氧化物荧光体以外，还已知硫化物系荧光体。例如，专利文献8中曾公开了使用发出390 420nm的波长的光的半导体发光元件、和由从该半导体发光元件发出的光激励的荧光体，并发出白色的光的半导体发光元件。作为采用390 420nm的波长的光激励而发光的荧光体，使用了各种的氧化物、硫化物的荧光体。但是，上述硫化物系荧光体在化学稳定性上存在难点，有时不能确保作为白色LED装置所需要的寿命特性。作为蓝色吸收黄色发光荧光体，除了上述荧光体以外，还已知硅酸盐荧光体、磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体等。但是，这些荧光体也通过暴露在真空紫外线、紫外线、电子束、 蓝色光等的具有高的能量的激励源下而导致荧光体的发光辉度降低。另一方面，曾报告了塞隆(sialon)荧光体等的氮氧化物荧光体即使暴露在上述激励源下辉度降低也较少的情况。例如，专利文献9中曾公开了含有Ca的塞隆荧光体。 在此，该塞隆荧光体，首先以规定的摩尔比混合了氮化硅(Si3N4)、氮化铝(A1N)、碳酸钙 (CaCO3)和氧化铕(Eu2O3)后，在1气压(0. IMPa)的氮中在1700°C的温度保持1小时，通过热压法进行煅烧(烧成)而加以制造。通过该方法得到的固溶了 Eu离子的α型塞隆荧光体，是利用450 500nm的蓝色光激励而发出550 600nm的黄色光的蓝色吸收黄色发光荧光体。另外，专利文献10涉及别的塞隆荧光体，对于具有P-Si3N4结构的β型塞隆荧光体进行了公开。该β型塞隆荧光体，是通过用近紫外 蓝色光激励而发出500 600nm的绿色 橙色的光的蓝色吸收黄色发光荧光体。进一步地，专利文献11曾公开了包含JEM相的氮氧化物荧光体。该氮氧化物荧光体是用近紫外 蓝色光激励而发出在460 510nm的范围具有发光波长峰的光的蓝色吸收绿色发光荧光体。现有技术文献专利文献1 日本专利第四00928号公报专利文献2 日本专利第四27279号公报专利文献3 日本专利第3364229号公报专利文献4 日本特开平10-1四25号公报专利文献5 日本特开平9-153664号公报专利文献6 日本特开平5_15沈09号公报专利文献7 日本特开平7-99345号公报专利文献8 日本特开2002-171000号公报专利文献9 日本特开2002-363554号公报专利文献10 日本特开2005-255895号公报专利文献11 日本特开2006-232868号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述状况而完成的，其目的在于提供高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。本专利技术者们为了解决上述课题而反复专心研究的结果发现下述的荧光体，其发光光谱的半峰宽较窄，显示发光峰波长为520nm附近的绿色发光，适合作为上述RGB型白色LED装置的蓝色吸收绿色发光荧光体，所述荧光体具有由通式M (0) aM (1) bM (2) x_(vm+n)M (3) (vm+n)-y0nNz-n 表示的组成的荧光材料，在此，M(O)是选自 Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、&、Y、La、 Gd 禾口 Lu 中的 1 种以上的元素，M(I)是选自 Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm 禾口 Yb 中的1种以上的激活剂，M(2)是选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf和Zr中的1种以上的元素，M(3)是选自Be、B、Al、fei、In、Tl和Si中的1种以上的元素，0为氧元素，N为氮元素，且调整M(O)、 M(I)、M(2)、M(3)、0禾口 N的原子比以使得满足x、y和ζ分别为33彡χ彡51、8彡y彡12 禾口 36 < ζ < 56，a 禾口 b 为 3 < a+b < 7、并且 0. 001 彡 b 彡 1. 2，m 和 η 在 me = a+b 时为 0. 8 · me 彡 m 彡 1. 2 · me 且 0 彡 η 彡 7，并且 ν 为 ν = {a · v(0)+b · ν(1)}/(a+b)(在此， v(0)为M(O)离子的价数，v(l)为M(I)离子的价数)的全部。对于该见解进一步推进研究的结果，终于完成了显示以下的构成的本专利技术。即(1) 一种显示装置用照明装置，是包括基板和配置于上述基板上的多个白色发光装置(白色发光器件)的、作为液晶显示面板的背光源使用的显示装置用照明装置，其特征在于上述白色发光装置具有光源和采用上述光源激励而发光的荧光体，作为上述荧光体，本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种显示装置用照明装置，是包括基板和配置于所述基板上的多个白色发光装置的、作为液晶显示面板的背光源使用的显示装置用照明装置，其特征在于，所述白色发光装置具有光源和由所述光源激励而发光的荧光体，作为所述荧光体，使用由通式Ｍ（０）ａＭ（１）ｂＭ（２）ｘ－（ｖｍ＋ｎ）Ｍ（３）（ｖｍ＋ｎ）－ｙＯｎＮｚ－ｎ表示的组成的荧光材料，其中，Ｍ（０）是选自Ｌｉ、Ｎａ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ和Ｌｕ中的１种以上的元素，Ｍ（１）是选自Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ和Ｙｂ中的１种以上的激活剂，Ｍ（２）是选自Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｈｆ和Ｚｒ中的１种以上的元素，Ｍ（３）是选自Ｂｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ和Ｚｎ中的１种以上的元素，Ｏ为氧元素，Ｎ为氮元素，ｘ、ｙ和ｚ是分别满足３３≤ｘ≤５１、８≤ｙ≤１２和３６≤ｚ≤５６的数值，ａ和ｂ是满足３≤ａ＋ｂ≤７、并且０．００１≤ｂ≤１．２的数值，ｍ和ｎ在ｍｅ＝ａ＋ｂ时是满足０．８·ｍｅ≤ｍ≤１．２·ｍｅ、并且０≤ｎ≤７的数值，并且，在将ｖ（０）记为Ｍ（０）离子的价数、将ｖ（１）记为Ｍ（１）离子的价数时，ｖ是满足ｖ＝｛ａ·ｖ（０）＋ｂ·ｖ（１）｝／（ａ＋ｂ）的数值。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：三木久幸，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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