【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁盘基板用研磨液组合物以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。
技术介绍
近年来,磁盘驱动器向着小型化和大容量化发展,要求高记录密度化。为了实现高记录密度化,需要缩小单位记录面积,提高变弱的磁信号的检测灵敏度,为此,用于进一步降低磁头的浮起高度的技术开发正在进展。为了应对磁头的低浮起化和确保记录面积,对于磁盘基板在平滑性和平坦性的提高(表面粗糙度、波纹、端面下垂的减少)和缺陷减少 (划痕、突起、凹坑等的减少)方面的要求变得严格。针对上述要求,提出了对作为研磨粒子的胶体二氧化硅的粒径分布进行规定的研磨液组合物以及含有胶体二氧化硅和阴离子性高分子的研磨液组合物(参照例如专利文献1 6)。在专利文献1中公开了一种使用了具有特定的粒径分布的胶体二氧化硅的研磨液组合物,其中记载了 根据该研磨液组合物,通过减小胶体二氧化硅的粒径,使其粒径分布变窄,可以减少存储硬盘用基板的表面粗糙度。在专利文献2中公开了一种具有磺酸基的聚合物玻璃基板用研磨液组合物,其中记载了 根据该研磨液组合物,通过添加具有磺酸基的聚合物,可以改善玻璃基板的表面粗糙度和基板污染。在专利文 ...
【技术保护点】
1.一种磁盘基板用研磨液组合物,其含有胶体二氧化硅和水,其中,所述胶体二氧化硅的ΔCV值为0~10%,这里,ΔCV值是CV30与CV90之差的值即ΔCV=CV30-CV90,所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值,所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值,所述胶体二氧化硅的CV90值为1~35%,并且所述胶体二氧化硅的从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径为1~40nm。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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