磁盘基板用研磨液组合物制造技术

本发明专利技术提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明专利技术涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔＣＶ值为０～１０％的胶体二氧化硅和水，所述ΔＣＶ值是ＣＶ３０与ＣＶ９０之差的值（ΔＣＶ＝ＣＶ３０－ＣＶ９０），所述ＣＶ３０是将从采用动态光散射法在３０°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以１００后得到的值，所述ＣＶ９０是将从在９０°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以１００后得到的值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁盘基板用研磨液组合物以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。
技术介绍
近年来，磁盘驱动器向着小型化和大容量化发展，要求高记录密度化。为了实现高记录密度化，需要缩小单位记录面积，提高变弱的磁信号的检测灵敏度，为此，用于进一步降低磁头的浮起高度的技术开发正在进展。为了应对磁头的低浮起化和确保记录面积，对于磁盘基板在平滑性和平坦性的提高(表面粗糙度、波纹、端面下垂的减少)和缺陷减少 (划痕、突起、凹坑等的减少)方面的要求变得严格。针对上述要求，提出了对作为研磨粒子的胶体二氧化硅的粒径分布进行规定的研磨液组合物以及含有胶体二氧化硅和阴离子性高分子的研磨液组合物(参照例如专利文献1 6)。在专利文献1中公开了一种使用了具有特定的粒径分布的胶体二氧化硅的研磨液组合物，其中记载了 根据该研磨液组合物，通过减小胶体二氧化硅的粒径，使其粒径分布变窄，可以减少存储硬盘用基板的表面粗糙度。在专利文献2中公开了一种具有磺酸基的聚合物玻璃基板用研磨液组合物，其中记载了 根据该研磨液组合物，通过添加具有磺酸基的聚合物，可以改善玻璃基板的表面粗糙度和基板污染。在专利文献3中公开了一种由作为研磨材的胶体二氧化硅、作为研磨阻力减少剂的聚丙烯酸铵盐、作为研磨促进剂的EDTA-Fe盐以及水构成的研磨用组合物，其能够防止研磨时的振动引起的倒角部的损伤和减少缺陷(划痕、凹坑)。在专利文献4中公开了一种含有具有特定粒度分布的圆球状的研磨粒子的研磨液组合物，其中记载了 根据该研磨液组合物，通过使用圆球状粒子，可以改善磁盘基板的表面粗糙度和表面波纹。在专利文献5和6中公开了一种含有金平糖状二氧化硅系微粒的研磨用组合物， 其中记载了 根据该研磨液组合物，通过使用金平糖状二氧化硅微粒，可以改善磁盘基板的生产率(研磨速度)。现有技术文献专利文献1 日本特开2004-204151号公报专利文献2 日本特开2006-167817号公报专利文献3 日本特开2001-155332号公报专利文献4 日本特开2008-93819号公报 专利文献5 日本特开2008-137822号公报专利文献6 日本特开2008-169102号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，为了实现更大的容量化，以往的研磨液组合物还不充分，需要在维持生产率的情况下(不会引起研磨速度下降)进一步减小研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。进而，伴随着大容量化，磁盘的记录方式从水平磁记录方式转向垂直磁记录方式。 水平磁记录方式中为了使磁化方向一致所必需的织构工序在垂直磁记录方式的磁盘制造工序中是不需要的，为了在研磨后的基板表面直接形成磁性层，对基板表面品质的要求特性变得更加严格。以往的研磨液组合物不能充分满足垂直磁记录方式的基板表面所要求的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。专利文献1的研磨液组合物尽管能够减少基板的表面粗糙度，但不能充分满足垂直磁记录方式的基板表面所要求的划痕和表面粗糙度。专利文献4的研磨液组合物尽管能够减少基板的表面粗糙度，但研磨速度不够充分，不能满足生产率。专利文献5和6的研磨液组合物尽管能够改善生产率，但不能充分减少垂直磁记录方式的基板表面所要求的表面粗糙度(特别是表面粗糙度的最大高度Rmax)和划痕。因此，本专利技术提供一种能够在不损害生产率的情况下实现研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)的减少的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。用于解决课题的手段本专利技术涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有胶体二氧化硅和水，其中，所述胶体二氧化硅的Δ CV值为0 10%，这里，八(^值是(^30与CV90的差值(Δ CV = CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述 CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，并且所述胶体二氧化硅的从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径为1 40nm。另外，本专利技术的另一个方案涉及一种磁盘基板的制造方法，其包含使用本专利技术的磁盘基板用研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。专利技术效果根据本专利技术的磁盘基板用研磨液组合物，可以优选地起到如下效果能够在不会大幅损害生产 率和表面粗糙度的情况下，制造划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)得以减少的磁盘基板、特别是垂直磁记录方式的磁盘基板。具体实施例方式本专利技术是基于以下认识而完成的在含有胶体二氧化硅的磁盘基板用研磨液组合物中，通过使用特定的胶体二氧化硅，可以将研磨速度维持在不会损害生产率的水平，能够减少研磨后的基板的划痕、表面粗糙度，能够满足记录容量的大容量化的要求。具体地发现，除了以往作为控制对象的平均粒径以外，还着眼于表示粒径分布范围的变异系数的值(CV值)、以及不同的2个检测角下的CV值之差(△ CV值)，通过使用这三个参数来控制胶体二氧化硅，可以大幅减少研磨后的基板的划痕。S卩，本专利技术的一个方案涉及一种磁盘基板用研磨液组合物(以下也称作本专利技术的研磨液组合物)，其含有胶体二氧化硅和水，其中，所述胶体二氧化硅的Δ CV值为0 10%,这里，Δ CV值是CV30与CV90的差值(Δ CV = CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，并且所述胶体二氧化硅的采用动态光散射法在90°的检测角测得的平均粒径为1 40nm。另外，本专利技术的另一个方案是基于以下认识而得到的通过并用满足上述三个参数(平均粒径、CV90、以及ACV)的规定的胶体二氧化硅和阴离子性聚合物(具有阴离子性基团的水溶性高分子)，可以在维持研磨中的研磨速度的情况下，进一步减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。即，本专利技术的另一个方案涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有胶体二氧化硅、具有阴离子性基团的水溶性高分子和水，所述胶体二氧化硅的Δ CV值为0 10%，所述胶体二氧化硅的CV90值为1 35%，并且所述胶体二氧化硅的从采用动态光散射法在90°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径为 1 40nm。可以推测通过少量添加具有阴离子性基团的水溶性高分子(优选为低分子量的水溶性高分子)，可以抑制研磨中产生的上述二氧化硅凝聚物的生成，并且可以减少研磨时的摩擦振动，从而防止二氧化硅凝聚物从研磨垫的开孔部脱落，由此可以显著减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的最大值(AFM-Rmax)。不过，本专利技术不受上述推测机理的限定。再者，本专利技术的又一个方案是基于以下认识而得到的除了 ACV值以外，通过着眼于圆球率、表面粗糙度、以及通过透射型电子显微镜观察而测定的平本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有胶体二氧化硅和水，其中，所述胶体二氧化硅的ΔＣＶ值为０～１０％，这里，ΔＣＶ值是ＣＶ３０与ＣＶ９０之差的值即ΔＣＶ＝ＣＶ３０－ＣＶ９０，所述ＣＶ３０是将从采用动态光散射法在３０°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以１００后得到的值，所述ＣＶ９０是将从在９０°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以１００后得到的值，所述胶体二氧化硅的ＣＶ９０值为１～３５％，并且所述胶体二氧化硅的从采用动态光散射法在９０°的检测角测得的散射强度分布得到的平均粒径为１～４０ｎｍ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岛良晓，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：JP