【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性存储器中的数据错误恢复
技术介绍
一些类型的固态非易失性存储器，诸如闪速存储器，通过将某一数量的电荷存储在存储单元(memory cell)中来记录二进制数据。当从这些基于电荷的非易失性存储器中的一个中读取数据时，将已存储电荷的电压电平与基准电压进行比较。从上述单元中读取的数据的二进制值取决于已存储电荷的电压是高于基准电压还是低 于基准电压。然而，因为已存储的电荷是一种模拟现象，它的实际值可能并不恰好是所期望的值；当数据被读取时，可能会遇到错误。纠错码(ECC)单元可以用于检测和校正这些错误中的一些，但是有时错误太多以至于不能将所有的错误都以这种方式来校正。当上述情况发生时，数据可能永久丢失。附图说明通过参考用于说明本专利技术的实施例的以下描述和附图，可以理解本专利技术的一些实施例。在附图中图1示出了根据本专利技术的一实施例的包含固态非易失性存储器的系统；图2示出了根据本专利技术的一实施例的非易失性存储器阵列的一部分；图3示出了根据本专利技术的一实施例的校正存储器中的错误的方法的流程图；图4示出了根据本专利技术的一实施例的可以影响目标单元的电荷模式的例子；图5示...
【技术保护点】
１．一种方法，包括：确定从基于电荷的非易失性（ＮＶ）存储器的指定范围的连续存储位置中读取的二进制数据包含未被与所述ＮＶ存储器相关联的纠错码（ＥＣＣ）单元校正的错误；识别所述指定范围内的哪些存储单元产生了可能出错的数据；改变其数据被确定为可能出错的所述单元中的至少一些单元的数据；以及验证改变后的数据对于所述ＥＣＣ单元来说是否足够正确以用来为所述指定范围提供正确的数据。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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