用于在微结构化部件之间制造间隔的导电连接的接触装置制造方法及图纸

一种用于在第一晶片（１）和第二晶片（４）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（３ａ，３ｂ），其中接触装置（３ａ，３ｂ）包括电连接接触部（３０）、在连接接触部（３０）上的钝化层（３１）和设置在钝化层（３１）上的介电间隔层（３２），并且其中接触装置（３ａ，３ｂ）至少设置在晶片（１，４）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（３ａ，３ｂ）包括以能够形成金属－金属化合物的第一材料（３３，３６）来至少部分地填充的沟槽（３４），其中所述沟槽（３４）是从间隔层（３２）穿过钝化层（３１）直到连接接触部（３０）的连续的沟槽，并且第一材料（３３，３６）在沟槽（３４）中从连接接触部（３０）设置直到沟槽的上边缘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
１．一种用于在第一晶片（１）和第二晶片（４）之间建立间隔的、导电的连接的接触装置（３ａ，３ｂ），其中接触装置（３ａ，３ｂ）包括电连接接触部（３０）、在连接接触部（３０）上的钝化层（３１）和设置在钝化层（３１）上的介电的间隔层（３２），并且其中接触装置（３ａ，３ｂ）至少设置在所述晶片（１，４）之一上，其特征在于，所述接触装置（３ａ，３ｂ）包括以能够形成金属－金属化合物的第一材料（３３，３６）至少部分地填充的沟槽（３４），其中所述沟槽（３４）是从间隔层（３２）穿过钝化层（３１）直到连接接触部（３０）的连续的沟槽，并且第一材料（３３，３６）在沟槽（３４）中从连接接触部（３０）设置直到沟槽（３４）的上边缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·戈特弗里德，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：DE