反射光学元件及其制造方法技术

技术编号:7149338 阅读:192 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
为了制造工作波长在软X射线和极紫外波长范围内、尤其用于EUV光刻的应力降低反射光学元件(1),提出:利用能量为40eV或更优选为90eV以上的层形成粒子,在基板(2)与多层系统(4)之间施加应力降低多层系统(6),其中多层系统(4)为了获得在工作波长的高反射率而被优化。所得到的反射光学元件(1)的突出之处在于:低的表面粗糙度、应力降低多层系统中低的周期数以及应力降低多层系统中高的Γ值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
1.一种工作波长在软X射线和极紫外波长范围内、尤其用于EUV光刻设备的反射光学元件的制造方法,该反射光学元件在基板上具有由至少两种交替材料构成且向所述基板施加应力的多层系统,所述至少两种交替材料在所述工作波长具有不同的折射率实部,并且其中所述多层系统与所述基板之间布置有一材料层,该材料层的厚度设定为抵消所述多层系统的应力,该方法的特征在于:能量为至少40eV的层形成粒子用于沉积抵消应力的所述层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉塞拉·冯布兰肯哈根
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司
类型:发明
国别省市:DE

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