【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
有一种硅的提纯方法，该方法是使四氯化硅气体与熔融状态的硅接触，则硅被氯 化，气化。回收该氯化硅气体，进一步将回收的气体冷却，使气体部分量以纯度高的硅的形 式析出(参照专利文献1)。人们还探讨了使四氯化硅气体或氯化氢与熔融的硅接触，由此从硅中除去杂质 (参照专利文献2-4)。专利文献1 日本特开昭60-103016号公报 专利文献2 日本特开昭63-103811号公报专利文献3 日本特开昭64-69507号公报 专利文献4 日本特开昭64-76907号公报。
技术实现思路
但是，专利文献1公开的硅的提纯方法中，是使原料硅熔融，将四氯化硅气体吹入 该熔融状态的硅，使硅氯化，气化，回收该气化的硅，冷却，因此提纯操作非常繁杂。另外，最 终得到的硅是熔融硅中被气化的硅部分，且是气化的硅中因冷却而析出的硅部分，因此，有 提纯的硅的回收率低的问题。另外，硅的提纯步骤中，使用四氯化硅气体或氯化氢，则应提纯的硅发生气化，因 此难以高效率获得提纯的硅。并且人们还需求硅以外的半金属元素或金属元素的新型提纯 方法。因此本专利技术的目的在于从以硅等半金属元素或金...
【技术保护点】
１．材料的提纯方法，使以半金属元素或金属元素为主成分且含有杂质的材料与下述通式（１）所示的化合物接触，由此除去上述材料中的上述杂质，ＡｌＸ３ （１），式中，Ｘ为卤素原子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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