【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】,制备方法和液体排出装置的制作方法
本专利技术涉及一种及其制备方法，以及一种液体排出装置。
技术介绍
使用具有压电性的压电体的被用作安装在喷墨记录头、传感器、存储器 件等上的致动器，其中，所述压电体根据所施加的电场强度的增加/降低而伸展/收缩。近 年来，在朝器件的高密度和高集成的趋势中，的膜厚度的减小已经向前发展，并且 使用具有高压电性的压电膜的的开发已经取得了进展。至于具有高压电性的压电膜，含有1 的钙钛矿氧化物膜比如PZTOn3 (Zr，Ti) O3 锆钛酸铅)等的压电膜是已知的。特别是，可以通过包括溅射法在内的气相生长方法形成 的含1 的钙钛矿氧化物膜作为具有高压电性的膜受到了关注，但是在耐久性方面仍然存 在问题。已知的是，的耐久性受到由压电膜中的残余应力、膜的耐湿性等所引起 的器件特性劣化的限制。压电膜中的残余应力可能引起压电膜的裂纹或翘曲，从而引起压 电器件的位移障碍、膜脱离等等。此外，在高湿环境(尤其是，高温和高湿环境)中，压电膜 的漏电流容易由于水的存在而增加，从而导致介电击穿。此外，高湿环境引起可能促进离子 迁移的压电膜的构成元素的电离，由此器...
【技术保护点】
１．一种压电器件，所述压电器件在基板上以下面列出的顺序包括下列各项：下部电极；压电膜，所述压电膜包含由下面的通式（Ｐ）表示的含Ｐｂ的钙钛矿氧化物；以及上部电极，其中：所述压电膜在面对所述下部电极的表面具有烧绿石氧化物层，并且所述烧绿石氧化物层的平均层厚度不大于２０ｎｍ，ＡａＢｂＯ３－－－－－－－－－－－－－－－（Ｐ）（其中，Ａ：至少一种类型的包含Ｐｂ作为主要组分的Ａ位元素；Ｂ：至少一种类型的Ｂ位元素，所述Ｂ位元素选自由Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｆｅ和Ｎｉ组成的组；以及Ｏ：氧元素，典型地，ａ＝１．０且ｂ＝...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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