ＭＥＭＳ器件制造技术

一种制造ＭＥＭＳ器件的方法，包括：形成ＭＥＭＳ器件元件（１４）。在所述器件元件上设置牺牲层（２０）并且在所述牺牲层上设置封装覆盖层（２２）。使用所述覆盖层中的至少一个开口（２２）去除所述牺牲层，以及通过退火工艺密封所述至少一个开口（２４）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
１．一种制造ＭＥＭＳ器件的方法，包括：形成ＭＥＭＳ器件元件（１４）；在所述器件元件（１４）上形成牺牲层（２０；３４）；在所述牺牲层上形成封装覆盖层（２２；３６）；在所述封装覆盖层（２２；３６）中限定至少一个开口（２４；３８）；通过所述至少一个开口（２４；３８）去除所述牺牲层（２０；３４），从而在所述器件元件上形成封装空间；以及通过氢退火工艺密封所述至少一个开口（２４；３８）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：格雷亚·J·A·M·费尔海登，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL