辐射源、光刻设备和器件制造方法技术

一种光刻设备（１），包括：源模块（ＳＯ），所述源模块包括收集器（ＣＯ）和辐射源（１０５），所述收集器（ＣＯ）被配置成收集来自所述辐射源（１０５）的辐射；照射器（ＩＬ），被配置成调节由所述收集器（ＣＯ）收集的辐射，且提供辐射束；和检测器（３０１），设置成相对于所述照射器（ＩＬ）具有固定的位置关系，所述检测器（３０１）被配置成确定所述辐射源（１０５）相对于所述收集器（ＣＯ）的位置和所述源模块（ＳＯ）相对于所述照射器（ＩＬ）的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用波长短于20nm的辐射的光刻设备，以及使用这样的辐射的器件 制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在所述例子中，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。通 常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。 通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括步 进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部 分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估 计权利要求1.一种光刻设备，所述光刻设备包括源模块，所述源模块包括收集器和辐射源，所述辐射源被构造和布置以在使用中提供 辐射发射等离子体，所述收集器被配置成收集来自所述辐射发射等离子体的辐射；照射器，所述照射器被配置成调节由所述收集器收集的辐射和提供辐射束；和检测器，所述检测器设置成相对于所述照射器具有固定的位置关系，所述检测器被配 置成确定所述辐射发射等离子体相对于所述收集器的位置和所述源模块相对于所述照射 器的位置。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述检测器被配置成测量所述辐射发射等离 子体相对于所述收集器在三个独立的平移自由度上的位置。3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述检测器被配置成测量所述源模块相对于 所述照射器在5个自由度上的位置，所述5个自由度包括3个独立的平移自由度和2个独 立的转动自由度。4.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述检测器包括第一子部，所述第一子部包 括被安装至所述照射器的第一表面的多个第一传感器，所述多个第一传感器被配置成确定 所述辐射发射等离子体相对于所述收集器的位置。5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述第一传感器被构造和布置以沿着一个方 向感测入射辐射强度变化的位置。6.根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述第一传感器包括被配置以感测由所述收 集器反射的所述辐射束的内部边缘的位置的传感器和被配置以感测由所述收集器反射的 所述辐射束的外部边缘的位置的另一传感器。7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中所述内部边缘是内部亮暗辐射强度变化，其 中所述外部边缘是外部亮暗辐射强度变化。8.根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述检测器包括第二子部，所述第二子部包 括被安装至所述照射器的第二表面的多个第二传感器，所述多个第二传感器被配置成确定 所述源模块相对于所述照射器的位置。9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中所述第二传感器被构造和布置以沿着2个方 向感测入射辐射强度的变化位置。10.一种器件制造方法，所述方法包括以下步骤使用辐射源来产生辐射发射等离子体；用收集器收集由所述辐射发射等离子体产生的辐射，所述辐射源和所述收集器是光刻 设备的源模块的一部分；用照射器调节由所述收集器收集的辐射以提供辐射束；和检测所述辐射发射等离子体相对于所述收集器的位置和所述源模块相对于所述照射 器的位置。11.根据权利要求10所述的方法，还包括检测所述源模块相对于所述照射器的转动方 向的步骤。12.根据权利要求10或11所述的方法，其中用于所述检测步骤的检测器包括第一子 部，所述第一子部包括被安装至所述照射器的第一表面的多个第一传感器，所述多个第一 传感器被配置成确定所述辐射发射等离子体相对于所述收集器的位置和所述源模块相对于所述照射器的转动方向。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述检测器还包括第二子部，所述第二子部包 括被安装至所述照射器的第二表面的多个第二传感器，所述多个第二传感器被配置成确定 所述源模块相对于所述照射器的位置。14.一种检测器，所述检测器被配置用以确定辐射发射等离子体相对于收集器的位置 和源模块相对于光刻设备中的照射器的位置，所述源模块包括所述收集器和辐射源，所述 辐射源被构造和布置以提供所述辐射发射等离子体，所述收集器被配置以收集来自所述辐 射发射等离子体的辐射，和所述照射器被配置以调节由所述收集器收集的辐射且提供辐射 束，所述检测器包括第一子部，所述第一子部包括被安装至所述照射器的第一表面的多个第一传感器，所 述多个第一传感器被配置成确定所述辐射发射等离子体相对于所述收集器的位置和所述 源模块相对于所述照射器的转动方向；和第二子部，所述第二子部包括被安装至所述照射器的第二表面的多个第二传感器，所 述多个第二传感器被配置成确定所述源模块相对于所述照射器的位置和所述辐射发射等 离子体相对于所述收集器的位置。全文摘要一种光刻设备(1)，包括源模块(SO)，所述源模块包括收集器(CO)和辐射源(105)，所述收集器(CO)被配置成收集来自所述辐射源(105)的辐射；照射器(IL)，被配置成调节由所述收集器(CO)收集的辐射，且提供辐射束；和检测器(301)，设置成相对于所述照射器(IL)具有固定的位置关系，所述检测器(301)被配置成确定所述辐射源(105)相对于所述收集器(CO)的位置和所述源模块(SO)相对于所述照射器(IL)的位置。文档编号G03F7/20GK102105836SQ200980128812 公开日2011年6月22日 申请日期2009年7月15日 优先权日2008年7月30日专利技术者A·斯卓克肯, G·斯温克尔斯, M·克拉森, R·格罗内维尔德 申请人:Asml荷兰有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻设备，所述光刻设备包括：源模块，所述源模块包括收集器和辐射源，所述辐射源被构造和布置以在使用中提供辐射发射等离子体，所述收集器被配置成收集来自所述辐射发射等离子体的辐射；照射器，所述照射器被配置成调节由所述收集器收集的辐射和提供辐射束；和检测器，所述检测器设置成相对于所述照射器具有固定的位置关系，所述检测器被配置成确定所述辐射发射等离子体相对于所述收集器的位置和所述源模块相对于所述照射器的位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·克拉森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL