本发明专利技术公开了一种光刻设备（２），包括：辐射源（ＳＯ），配置成提供辐射（２００）；辐射收集器（ＣＯ），配置成收集来自辐射源（ＳＯ）的辐射（２００）；照射系统（ＩＬ）和探测器（３００）。探测器（３００）设置成与照射系统（ＩＬ）的相对于其对准所述收集器（ＣＯ）的部分具有固定的位置关系。此外，收集器（ＣＯ）的区域（３１０）可以配置成引导从辐射源（ＳＯ）发射并穿过所述区域（３１０）朝向探测器（３００）的辐射（２００）的一部分。所述探测器（３００）布置成探测所述辐射（２００）的一部分的改变。这种改变表示所述收集器（ＣＯ）相对于所述照射系统（ＩＬ）的相对于其对准所述收集器（ＣＯ）的部分的位置或取向的改变。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体涉及光刻工具领域，更具体地，涉及光刻设备内的收集器装置的对准。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层 上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所 谓的“步进机”，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一 个目标部分；以及所谓的“扫描器”，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方 向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目 标部分。也可以通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移 到衬底上。为了能够将更小的结构投影到衬底上，已经提出使用具有例如在大约13-14nm范 围内的波长的极紫外辐射(EUV)。此外，还提出可以使用具有小于大约IOnm波长的辐射(例 如大约6. 7nm或6. 8nm)。在光刻的情形中，波长小于大约IOnm有时候被称为“超EUV”或 “软X射线”。可以使用例如等离子体产生极紫外辐射和超EUV辐射。例如通过引导激光到 合适的材料的颗粒、或通过引导激光到合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的束流可以 产生等离子体。最终的等离子体发射EUV (或超EUV辐射)，其使用收集器(例如聚焦反射 镜或掠入射收集器)收集。收集器的取向和/或位置将确定从收集器引导(例如从收集器反射)辐射的方 向。辐射将需要被精确地引导到光刻设备的不同部分，因此沿特定方向引导辐射对于收集 器来说是重要的。当第一次构造并使用光刻设备时，可以确保收集器沿该特定方向引导辐 射。然而，在一段时间之后难以确保总是沿该特定方向引导辐射束。例如，光刻设备的多个 部件的移动(例如辐射源的多个部件)可能偏离辐射的方向。附加地或替换地，当(例如 因为维护用途)更换光刻设备的多个部件时，更换部件的即使轻微的不对准可能偏离辐射 的方向。因此，期望将辐射源的收集器与光刻设备的设置在辐射束的路径的较远处的多个 部件对准或重新对准。因为照射器(下文也称为“照射系统”或“照射布置”)是光刻设备 的接收由收集器引导的辐射的部分，因此期望将辐射源的收集器相对于照射器对准或重新 对准。所提出的相对于照射器对准收集器的方法包括将发光二极管(LEDs)连接至收集 器。对由LED发射的辐射的测量可以用于确定收集器相对于默认(或参考)位置的取向 (例如，倾斜)和/或位置。然而，这种方法的问题在于LED可能不足以承受收集器周围的 有害的环境。例如，高温和长时间暴露在EUV辐射下可能迅速地损坏或破坏LED。此外，LED必须以高度精确性连接至收集器，其中在经过一段时间后LED的位置极少或没有偏移。在 这些条件下，基于LED的应用难以实现。需要用于相对于照射器装置对准收集器装置的光刻设备和方法来解决上述问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，一种用于光刻设备的布置可以包括下列部分用于提 供辐射的辐射源；用于收集来自辐射源的辐射的辐射收集器；配置用以调节由收集器收集 的辐射并提供辐射束的照射系统；其中，所述光刻设备可以包括探测器，所述探测器设置 成与照射系统的相对于其对准收集器的部分具有固定的位置关系，和收集器的区域，配置 成引导从辐射源发射并穿过所述区域朝向探测器的辐射的一部分，所述探测器布置成探测 所述辐射的所述一部分的性质的改变，这种改变表示所述收集器相对于所述照射系统的相 对于其对准所述收集器的部分的位置或取向的改变。由收集器收集的辐射可以穿过具有反射率的收集器表面，并且其中所述区域可以 是包括下列项的组中的至少一个、或设置有包括下列项的组中的至少一个具有相对于所 述反射率增大的反射率的表面；具有相对于所述反射率减小的反射率的表面；孔；和图案。所述区域具有形状(或拓扑)与收集器的表面的形状(或拓扑)不同的表面，例 如以便沿不同的方向改变辐射的方向。所述区域可以是收集器的一部分、或可以连接至所 述收集器。探测器可以连接至照射系统、或设置在照射系统上或照射系统内、连接至照射系 统的相对于其对准收集器的部分、或设置在照射系统的相对于其对准收集器的部分上或其 内部。照射系统可以设置有光学元件，其中光学元件可以包括用于将入射到这些元件上 的辐射束分开的光栅元件，并且其中探测器连接至光学元件，或形成为光学元件的一部分。 用于光刻设备的布置还可以包括多个类似前面所述的探测器并且布置成用途与前述探测 器的用途类似的探测器。收集器的区域可以布置成影响被引导朝向探测器的辐射的强度分 布轮廓、或布置成影响辐射被引导朝向探测器的方向。收集器的区域可以布置成当收集器 的位置或取向相对于照射系统的相对于其对准收集器的部分发生改变时，影响引导朝向所 述探测器引导的辐射。根据本专利技术的另一实施例，一种用于光刻设备的布置可以包括下列部分用于提 供辐射的辐射源；用于收集来自辐射源的辐射的辐射收集器；配置用以调节由收集器收集 的辐射并提供辐射束的照射系统；其中，所述布置可以包括探测器，所述探测器设置成与 照射系统的相对于其对准收集器的部分具有固定的位置关系；和另一辐射源，布置用以引 导相应的另一辐射朝向收集器的区域，所述区域配置成引导所述另一辐射朝向所述探测 器，所述探测器布置成探测从所述区域反射的所述另一辐射的性质的改变，这种改变表示 所述收集器相对于所述照射系统的相对于其对准所述收集器的部分的位置或取向的改变。 可以设置多于一个的区域。所述另一辐射源可以连接至照射系统、设置在照射系统上或照射系统内、连接至 照射系统的相对其对准收集器的部分、或者设置在照射系统的相对其对准收集器的部分上 或其内部。所述布置的光刻设备还可以包括下列部分支撑结构，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化辐射束；衬底 台，构造成保持衬底；和投影系统，配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。根据本专利技术的又一实施例，一种对准收集器和所述布置的照射系统的所述部分的 方法包括下列步骤探测从所述收集器设置具有的所述区域引导的辐射；从所述探测确定 所述收集器是否与所述照射系统的所述部分对准；和如果收集器与照射系统的所述部分不 对准，则移动所述收集器或所述照射系统的所述部分。在移动所述收集器或所述照射系统 的部分之后，重复所述方法。附图说明下面仅通过示例的方式，参考附图对本专利技术的实施例进行描述，其中示意性附图 中相应的标记表示相应的部件，在附图中图1示意地示出根据本专利技术一个实施例的光刻设备；图2示意地示出光刻设备的源和照射器；图3示意地示出光刻设备的收集器和分成小平面的光学元件的相对位置；图4示意地示出根据本专利技术的一个实施例的收集器和分成小平面的光学元件，以 及测量布置；图fe到5c示意地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备中的收集器的对准情 形下测量布置的一部本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于光刻设备的布置，所述布置包括： 辐射源，用于提供辐射； 辐射收集器，用于收集来自辐射源的辐射； 照射系统，配置用以调节由所述收集器收集的辐射并提供辐射束； 其中所述布置还包括： 探测器，所述探测器设置成与照射系统的相对于其将对准收集器的部分具有固定的位置关系，和 收集器的区域，配置成引导从辐射源发射并穿过所述区域朝向探测器的辐射的一部分， 所述探测器布置成探测所述辐射的所述一部分的特性的改变，这种改变表示所述收集器相对于所述照射系统的相对于其将对准所述收集器的所述部分的位置或取向的改变。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·克拉森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL
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