【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体传感器器件以及制造这种器件的方法。
技术介绍
根据已知普朗克辐射定律、斯蒂芬_玻尔兹曼定律和维恩位移定律的这些定律， 处于任何非零温度下的物体都会辐射可描述为电磁波或光子的电磁能量。维恩位移定律表明，物体最大辐射时的波长(λΜΧ)与物体的温度成反比，可用以下等式来近似表示权利要求1.一种形成半导体传感器的方法，其包括 提供基体；在基体上形成反射层；在反射层上形成牺牲层；在牺牲层上形成厚度小于约50nm的吸收体层；在吸收体层中形成一体地具有至少一个悬伸支脚的吸收体；以及移除牺牲层。2.根据权利要求1的方法，还包括 在牺牲层中形成至少一个通道；以及在所述至少一个通道内形成至少一个导电支柱，其中形成吸收体的步骤包括在所述至少一个导电支柱上形成所述至少一个悬伸支脚的至少一部分。3.根据权利要求1的方法，其中形成吸收体的步骤包括在牺牲层上形成厚度为大约 IOnm的吸收体层。4.根据权利要求1的方法，其中形成吸收体层的步骤包括 将牺牲层的表面暴露于第一自终止反应物；以及在将牺牲层的表面暴露于第一自终止反应物之后，将牺牲层的表面暴露于第二自终止反应物。5.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)型的传感器器件，其包括 互补金属氧化物半导体(CMOS)基体；形成于所述基体上的至少一个反射元件；以及与所述至少一个反射元件隔开的至少一个吸收体，所述至少一个吸收体通过原子层沉积形成。6.根据权利要求5的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度小于50nm。7.根据权利要求6的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度大约是lOnm。8.根据权利要求...
【技术保护点】
１．一种形成半导体传感器的方法，其包括：提供基体；在基体上形成反射层；在反射层上形成牺牲层；在牺牲层上形成厚度小于约５０ｎｍ的吸收体层；在吸收体层中形成一体地具有至少一个悬伸支脚的吸收体；以及移除牺牲层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·利热，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
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