发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯技术

采用一种发光二极管（１），是能够在封装内减少从ＬＥＤ芯片的发光的损失，并且能够提高从封装取出光的光取出效率的高亮度发光二极管，其特征在于，具备：包含具有发光层（９）的发光部（８）的化合物半导体层（２）以及基板（３），在基板（３）的侧面设置有比基板（３）反射率高的外部反射层（４）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯。本申请基于2009年2月20日在日本申请的特愿2009-038238主张优先权，在此引用其内容。
技术介绍
以往，作为发出红色、橙色、黄色或者黄绿色可见光的高亮度发光二极管(英语简称=LED)，已知具有包括磷化铝镓铟(组成式(ALxGa1^x) γΙηι_γΡ ；0彡X彡1，0彡Y彡1)的发光层的化合物半导体LED。这样的LED中具有包括(ALxGi^x) γΙηι_γΡ ；0彡X彡1，0彡Y彡1) 的发光层的发光部，一般而言在对于从发光层出射的发光在光学上不透明且在机械上强度不大的砷化镓(GaAs)等基板材料上形成。因此，最近，公开了如下技术为了得到更高亮度的可视LED，并且，以进一步提高元件的机械强度为目的，除去对于发出的光不透明的基板材料，然后，改为接合由透过或反射发出的光且机械强度优异的材料形成的支持体层(基板)，构成接合型LED (例如，参照专利文献1 7)。并且，在使用了 LED的封装技术中，普及了在以往的单色的基础上，作为全彩色用，将蓝、绿、红色LED芯片放入同一封装，同时发出三色，能够再现以白色为代表的宽度大的发本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管，其特征在于：具备包含具有发光层的发光部的化合物半导体层和基板，在所述基板的侧面设置有比该基板反射率高的外部反射层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内良一，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP