【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
特别的是,本专利技术涉及式I的异巧恶唑衍生物。权利要求1.式I化合物,其中2.权利要求1的化合物,其中Y是0。3.权利要求1的化合物,其中Y是S。4.权利要求1-3任意一项的化合物,其中X是-CH2-0-。5.权利要求1-3任意一项的化合物,其中X是-CH= CH-06.权利要求1-5任意一项的化合物,其中R2是低级烷基或羟基-低级烷基。7.权利要求1-6任意一项的化合物,其中R2是Me或羟基-Me。8.权利要求1-7任意一项的化合物,其中R1是芳基、被卤素取代的芳基、杂芳基或被卤素取代的杂芳基。9.权利要求1-8任意一项的化合物,其中R1是Wu4-氟_Ph、吡啶基或3-氟-吡啶基。10.权利要求1-9任意一项的化合物,其中R4是H。11.权利要求1-10任意一项的化合物,其中R3是低级烷基、被羟基取代的低级烷基、被羧基取代的低级烷基、被卤素取代的低级烷基、杂环基或-NR7R8,其中R7、R8是低级烷基。12.权利要求1-11任意一项的化合物,其中R3是2,2,2-三氟-乙基-、2-羧基乙基-、 2-羟基-1-甲基-乙基-、2-羟基-乙基-、3-四氢呋喃基- ...
【技术保护点】
1.式I化合物,其中R1是低级烷基,其任选被卤素、氰基、羟基、低级-烷氧基或卤素-低级-烷氧基取代,芳基、杂芳基、环烷基、杂环基;其各自任选被卤素、氰基、羟基、低级烷基、卤素-低级烷基、氰基-低级烷基、羟基-低级烷基、低级烷基-C(=O)OH、低级烷基-C(=O)O-低级烷基、低级烷基-CO-NR5R6、低级烷基-NR5R6、低级-烷氧基-低级烷基、-CO-低级烷基、-C(=O)OH、-C(=O)O-低级烷基、-CONR5R6、-NR5R6、低级-烷氧基、卤素-低级-烷氧基、-SO2-低级烷基、-SO2-NR5R6、环烷基、苯基氧基或苯基取代,R2是低级烷基,其任选被卤素、 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:MC·埃尔南德斯,
申请(专利权)人:弗·哈夫曼拉罗切有限公司,
类型:发明
国别省市:CH
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。