【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体处理领域，尤其涉及在半导体器件制造期间在处理腔室中支撑、定位或旋转一基板。现有技术的描述在集成电路和显示器的制造中，半导体、介电质及导电材料形成在诸如硅基板或玻璃基板的基板上。材料可藉由化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、物理气相沉积 (PVD)、离子布植、等离子体或热氧化、外延生长(EPI)、及氮化工艺来形成。然后，经沉积的材料可被蚀刻以形成诸如栅极、通孔、接触孔及互连线的特征结构。在典型的沉积或蚀刻工艺中，基板在基板处理腔室内暴露于等离子体，以在基板表面上沉积或蚀刻材料。其它可在基板上执行的典型工艺可包括热处理技术，热处理技术可包括快速热处理(RTP)或激光退火工艺。在处理期间，基板通常被固持在具有基板容纳表面的基板支撑件上。支撑件可以具有一内嵌电极，该内嵌电极在处理期间用作等离子体生成器件，和/或该内嵌电极也可被充电以静电地固持基板。支撑件也可具有一电阻式加热构件以在处理期间加热基板，和 /或一水冷系统以冷却基板或冷却支撑件。一衍生的问题是随着器件尺寸缩小，对横跨基板的变化的容限变得非常低，从而基板相对于基板支撑件、遮...
【技术保护点】
１．一种用于处理基板的方法，包含：将基板定位于载座的基板接收表面上，其中所述载座设置在处理腔室的支撑组件上方，该支撑组件包含一个或多个支撑口与一个或多个旋转口，这些支撑口与旋转口各自适于接收来自流量控制器的流体；藉由将流体流输送至该一个或多个支撑口以将该基板升高至一处理位置，来浮动载座与基板；以及藉由将流体流输送至该一个或多个旋转口来旋转载座与基板。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。