本发明专利技术涉及电子器件，特别涉及有机电致发光器件，其包括具有氮杂硼杂环戊烯配体的金属络合物。本发明专利技术还涉及金属络合物本身，其在有机电子器件中的用途及其制备方法。最后，本发明专利技术涉及配体和该配体用于制备本发明专利技术金属络合物的用途。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括通式I金属络合物的电子器件。本专利技术还涉及金属络合物本身， 及其在电子器件中的用途和其制备方法。此外，本专利技术涉及配体和该配体用于制备本专利技术金属络合物的用途。
技术介绍
例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和 WO 98/27136 中描述了其中有机半导体用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。此处使用的发光材料越来越多地是显示磷光而不是荧光的有机金属络合物(M. A. Baldo等人，Appl. Phy. Lett. 1999，75， 4-6)。出于量子力学的原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体，实现高达四倍的能量和功率效率增加是可能的。然而，总体说来，仍然需要对呈现三线态发光的OLED进行改进。 因此，对于三线态发光体用于高质量和长寿命电致发光器件而言，磷光OLED的金属络合物稳定性、效率、工作电压和寿命的物理性质仍然不够。这特别适用于发蓝色光的三线态发光体。因此此处希望进一步改进。在其它化合物用于有机电致发光器件，例如基质材料和电荷传输材料中的情况下，也仍需要改进。根据现有技术，包括通过C和N配位的二齿配体的铱络合物通常在磷光OLED中用作三线态发光体。通过使用包括多足配体或穴状化合物的金属络合物在这些OLED中已经可以实现改进，这是指所述络合物具有较高的热稳定性，并导致更长的OLED寿命(W0 04/081017、WO 05/113563、WO 06/008069)。然而，仍然希望进一步改进所述络合物以能够在高质量和长寿命的电致发光器件、例如电视机或计算机监视器中使用所述改进的络合物。金属络合物也用于有机电致发光器件中其它的功能中，例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)用作电子传输材料或BAlq(例如，T. Tsuji等人，Journal of the Society of Information Display 2005,13(2),117-122)用作三线态基质材料或用作空穴阻挡材料或用作电子传输材料。锌络合物也用作三线态基质材料(例如WO 09/062578、EP 652273)。 在这些材料用于高质量电致发光器件中的情况下，也仍然希望将其进一步改进。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供新颖的包括金属络合物的有机电致发光器件。此处金属络合物能够用作发光体、基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料或也可用在OLED的其它的功能中。在发红色、绿色和蓝色磷光金属络合物情况下，尤其是在发蓝色磷光金属络合物的情况下，仍然需要改进。令人惊讶地，已经发现以下更详细描述的包括金属螯合络合物的某些有机电致发光器件能实现该目的，导致有机电致发光器件的显著改进，特别是在寿命、效率和发光颜色方面的显著改进。这特别适用于绿色和蓝色电致磷光器件。因此，本专利技术涉及包括这些络合物的有机电致发光器件。此外，本专利技术涉及可用于有机电致发光器件的特别适合的金属络合物。 因此，本专利技术提供了包括通式I化合物的电子器件 M(L)n(L ‘)m(L “)。 通式I，其中通式(1)的化合物包括通式II和/或III和/或IV的M(L)n部分权利要求1. 一种电子器件，其包括通式I的化合物 M(L)n(L ‘)m(L “)。 通式I，其中通式(1)的化合物包括通式II和/或III和/或IV的M(L)n部分 ~ Ri Πγ-ην-η2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于所述器件选自有机电致发光器件 (OLED)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、 有机集成电路(O-IC)、有机太阳能电池(O-SC)、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池 (LEC)、有机光感受器和有机激光二极管(O-Iaser)。3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中通式II、III和/或IV的M(L)n部分符合通式 Ila、Ilia、IVa、lib、IIIb 或 IVb 4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的电子器件，其中D1在每次出现时在每种情况下彼此独立地是N、0或S，且D2在每次出现时在每种情况下彼此独立地是0、S、NR1、 N(R1)^PR1 或 P(R1)2155.根据权利要求1至4中一项或多项所述的电子器件，其中Y是NR3。6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的电子器件，其中在通式II、III或IV中的 R3或在通式Ila、Ilia、IVa、lib、IIIb和IVb中的Cyl选自如下结构(1)至(24)7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的电子器件，其中M(L)n部分选自如下通式 lie、IIIc 和 / 或 IVc 8.根据权利要求1至7中一项或多项所述的电子器件，其中通式I的化合物仅包含配体L，或其中通式I的化合物是六配位的并包含两个或三个二齿配体L或两个三齿配体L， 或其中通式I的化合物以正方平面形或四面体方式配位并包含一个或两个二齿配体L或一个四齿配体L。9.通式I的化合物 M(L)n(L ‘)m(L “)。 I,其中通式I的化合物包括通式II、III和/或IV的M(L)n部分10.根据权利要求9所述的化合物，其中M(L)n部分符合通式IIa、IIIa、IVa、IIb、inb 或 IVb 11.根据权利要求9或10所述的化合物，其中R3或Cyl选自如下的结构(1)至Q4)12.根据权利要求9至11中一项或多项所述的化合物，其中M(L)n部分选自如下的通式 lie、IIIc 和 IVc 13.根据权利要求9至12之一所述的通式I的化合物在电子器件中作为发光化合物、 基质材料、空穴阻挡材料和/或电子传输材料的用途。14.通式V、VI或VII的化合物15.根据权利要求14所述的化合物座位制备通式I化合物的配体的 用途;其中使用的符号具有在权利要求9中指出的含义，和此外 R4是H或卤素;16. 一种制备根据权利要求9至12中一项或多项所述的化合物的方法，通过使权利要求15的配体L和任选另外的配体L'、L"与通式07)的金属醇盐、通式08)的金属酮酮化物或通式G9)的金属卤化物反应全文摘要本专利技术涉及电子器件，特别涉及有机电致发光器件，其包括具有氮杂硼杂环戊烯配体的金属络合物。本专利技术还涉及金属络合物本身，其在有机电子器件中的用途及其制备方法。最后，本专利技术涉及配体和该配体用于制备本专利技术金属络合物的用途。文档编号C09K11/06GK102317407SQ201080007829 公开日2012年1月11日 申请日期2010年2月3日 优先权日2009年3月2日专利技术者克里斯托夫·普夫卢姆, 多米尼克·约斯滕, 安雅·格哈德, 菲利普·施特塞尔, 霍尔格·海尔 申请人:默克专利有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种电子器件，其包括通式Ｉ的化合物：Ｍ（Ｌ）ｎ（Ｌ‘）ｍ（Ｌ“）ｏ通式Ｉ，其中通式（１）的化合物包括通式ＩＩ和／或ＩＩＩ和／或ＩＶ的Ｍ（Ｌ）ｎ部分： 通式ＩＩ 通式ＩＩＩ通式ＩＶ其中以下适用于使用的符号和标记：Ｍ是金属；Ｙ在每次出现时在每种情况下彼此独立地是ＮＲ３、Ｏ或Ｓ；Ｘ在每次出现时在每种情况下彼此独立地是ＣＲ１或Ｎ；Ｒ１在每次出现时在每种情况下彼此独立地是Ｈ，Ｄ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＨＯ，Ｎ（Ｒ２）２，Ｎ（Ａｒ）２，Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ，Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ）２，Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ，Ｓ（＝Ｏ）２Ａｒ，ＣＲ２＝Ｃ（Ｒ２）２，ＣＲ２＝ＣＲ２Ａｒ，ＣＮ，ＮＯ２，Ｓｉ（Ｒ２）３，Ｂ（ＯＲ２）２，Ｂ（Ｒ２）２，Ｂ（Ｎ（Ｒ２）２）２，ＯＳＯ２Ｒ２，具有１至４０个Ｃ原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基，或具有２至４０个Ｃ原子的直链烯基或炔基，或者具有３至４０个Ｃ原子的支链或者环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或者硫代烷氧基，它们每个可被一个或多个基团Ｒ２取代，其中一个或多个非相邻的ＣＨ２基团可被Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、Ｓ或ＣＯＮＲ２代替，和其中一个或多个Ｈ原子可被Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ或ＮＯ２代替，或具有５至６０个芳环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可被一个或多个基团Ｒ２取代，或具有５至６０个芳环原子的芳氧基或杂芳氧基，它们可被一个或多个基团Ｒ２取代，或这些体系的组合，其中，两个或多个相邻的取代基Ｒ１也可以与彼此形成单或多环的脂族或芳族环系；Ｒ２在每次出现时在每种情况下彼此独立地是Ｈ，Ｄ，Ｆ或具有１至２０个Ｃ原子的脂族、芳族和／或杂芳族烃基团，其中另外，一个或多个Ｈ原子可被Ｆ代替；此处两个或多个取代基Ｒ２也可以与彼此形成单或多环的脂族或芳族环系；Ｒ３在每次出现时在每种情况下彼此独立地是Ｈ、Ｄ、具有１至２０个Ｃ原子的脂族烃基团或具有５至３０个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个基团Ｒ１取代；或Ｒ３是配位基团，其中Ｒ３通过带电荷或不带电荷的环外的或内环的给体原子Ｄ与金属Ｍ键合；此处多个部分配体Ｌ可以与彼此或与Ｌ以及与Ｌ′和／或Ｌ″一起，任选通过经由Ｒ３的连接，形成多齿配体或多足配体；Ａｒ在每次出现时在每种情况下彼此独立地是具有５至３０个芳环原子的芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个非芳族基团Ｒ１取代；Ｌ‘、Ｌ“是任何希望的共配体；其中此外如果Ｍ的配位数为６，则ｎ＝１至６（１、２、３、４、５、６），ｏ＝０至５（０、１、２、３、４、５）和ｍ＝０至５（０、１、２、３、４、５），如果Ｍ的配位数为５，则ｎ＝１至５（１、２、３、４、５），ｏ＝０至４（０、１、２、３、４）和ｍ＝０至４（０、１、２、３、４），以及如果Ｍ的配位数为４，则ｎ＝１至４（１、２、３、４），ｍ＝０至３（０、１、２、３）和ｏ＝０至３（０、１、２、３）。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·施特塞尔，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
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