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低分子量卤化芳族聚合物和它们作为阻燃剂的应用制造技术

技术编号:7129293 阅读:187 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
卤化芳族聚合物具有2-100个各自包含芳族基的单体单元,所述芳族基取代有至少一个卤素基团,其中所述单体单元中至少一个具有以下通式(I):其中Ar1、Ar2和Ar3相同或不同并且各自是取代有至少一个卤素基团的芳族基;A选自CO、CO2、S、SO2、单键和C1-C6烷基链;B和C相同或不同并且各自选自O、CO、CO2、CO3、S、SO2、单键和C1-C6烷基链;和y和z中的每一个独立地是0或1。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低分子量卤化芳族聚合物和它们作为阻燃剂的应用领域本专利技术涉及低分子量卤化芳族聚合物和它们作为阻燃剂的应用。背景十溴二苯醚(deca)和十溴二苯乙烷(deca-DPE)是广泛用于不同聚合树脂体系的阻燃的市售材料。这些材料的结构如下权利要求1.具有2-100个各自包含芳族基的单体单元的商化芳族聚合物,所述芳族基取代有至少一个卤素基团,其中所述单体单元中至少一个具有以下通式(I)2.权利要求1的聚合物,其中y和ζ中的每一个是0且A选自C02、S和S02。3.权利要求1的聚合物,其中y是1且B是0。4.权利要求3的聚合物,其中A选自S、羰基和S02。5.权利要求3或4的聚合物,其中ζ是1且(是0。6.具有2-100个各自包含芳族基的单体单元的商化芳族聚合物,所述芳族基取代有至少一个卤素基团,其中所述单体单元中至少一个具有以下通式(II)7.权利要求6的聚合物,其中A和B中的每一个是0。8.上述任一权利要求的聚合物,其中Ar1、Ar2和Ar3中的每一个选自芳基、萘基、联苯基、异丙叉基二芳基、亚甲基二芳基和磺酰基二芳基。9.上述任一权利要求的聚合物,其中Ar1Jr2和Ar3中的每一个选自苯基、单烷基取代的苯基和二烷基取代的苯基。10.上述任一权利要求的聚合物,其中聚合物的卤素含量在35-82重量%,优选50-80 重量%的范围内。11.上述任一权利要求的聚合物,其中所述卤素是溴。12.上述任一权利要求的具有2-20个单体单元的聚合物。13.阻燃聚合物组合物,包含(a)可燃大分子材料和(b)包含上述任一权利要求的卤化芳族聚合物的阻燃剂。14.权利要求13的组合物,其中所述可燃大分子材料(a)是苯乙烯基聚合物且阻燃剂在组合物中的量在5-25重量%之间。15.权利要求13的组合物,其中所述可燃大分子材料(a)是丙烯基聚合物且阻燃剂在组合物中的量在20-50重量%之间。16.权利要求13的组合物,其中所述可燃大分子材料(a)是聚乙烯且阻燃剂共混物在组合物中的量在5-35重量%之间。17.权利要求13的组合物,其中所述可燃大分子材料(a)是聚酰胺或聚酯且阻燃剂共混物在组合物中的量在5-25重量%之间。全文摘要卤化芳族聚合物具有2-100个各自包含芳族基的单体单元,所述芳族基取代有至少一个卤素基团,其中所述单体单元中至少一个具有以下通式(I)其中Ar1、Ar2和Ar3相同或不同并且各自是取代有至少一个卤素基团的芳族基;A选自CO、CO2、S、SO2、单键和C1-C6烷基链;B和C相同或不同并且各自选自O、CO、CO2、CO3、S、SO2、单键和C1-C6烷基链;和y和z中的每一个独立地是0或1。文档编号C08G65/00GK102317347SQ201080007148 公开日2012年1月11日 申请日期2010年2月9日 优先权日2009年2月13日专利技术者J·D·西贝克, L·廷伯莱克 申请人:科聚亚公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有2-100个各自包含芳族基的单体单元的卤化芳族聚合物,所述芳族基取代有至少一个卤素基团,其中所述单体单元中至少一个具有以下通式(I):其中Ar1、Ar2和Ar3相同或不同并且各自是取代有至少一个卤素基团的芳族基;A选自CO、CO2、CO3、S、SO2、单键和C1-C6烷基链;B和C相同或不同并且各自选自O、CO、CO2、CO3、S、SO2、单键和C1-C6烷基链;和y和z中的每一个独立地是0或1。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:L·廷伯莱克
申请(专利权)人:科聚亚公司
类型:发明
国别省市:US

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