【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高级(higher-order)硅烷组合物和带膜的基板(substrate with film)的制造方法。
技术介绍
集成电路、薄膜晶体管等中应用的硅膜(非晶硅膜、多晶硅膜等)的图案形成，一般利用下述工艺来进行，所述工艺是通过CVD (化学气相沉积)法等气相方法在整个面上形成硅膜后，再利用光刻法除去不需要的部分。但是，在该方法中，由于使用了气相方法，因此存在下述问题需要大型的装置； 原料的使用效率差；原料为气体，从而难以操作；产生了大量废弃物等。因此，对于使用液相方法的硅膜的形成方法进行了研究，提出了例如下述方法使用含有液态的硅烷化合物(例如环戊硅烷)；利用紫外线照射使该液态的硅烷化合物光聚合而得的高级硅烷化合物；以及十氢萘、四氢萘、甲基萘、甲苯、癸烷、辛烷、二甲苯、苯等有机溶剂的高级硅烷组合物，并将该高级硅烷组合物涂布在基板上，除去溶剂后进行热处理， 由此来形成硅膜(参考例如日本特开2003-313299号公报)。但是，上述高级硅烷化合物在用于该高级硅烷组合物的溶剂中的溶解性低。S卩，在高级硅烷组合物中不使用液态的硅烷化合物、而仅使用上述有机溶...
【技术保护点】
１．高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有１个或２个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为１．４０～１．５１，介电常数为３．０以下，且分子量为１８０以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：下田达也，
申请(专利权)人：独立行政法人科学技术振兴机构，
类型：发明
国别省市：JP
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