一种MEMS器件的圆片级真空封装方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种MEMS器件的圆片级真空封装的方法。该圆片级真空封装的器件主要包括MEMS器件、支撑器件的底座基片、带过孔的中间垫层基片、盖帽基片、焊料和吸气剂。封装基本步骤包括：在底座基片上制备出MEMS器件；在底座基片的器件面、中间垫层基片的双面和盖帽基片的一面淀积复合金属层，形成键合区域图形；在其任一种基片上溅射吸气合金作为吸气剂；加工中间垫层基片形成过孔；把三种基片按顺序对准组合，并在基片之间夹入焊料；放入键合炉，焊料熔融后将这三种基片粘合在一起，形成密封腔；划片形成单个器件。该圆片级封装方法能提高封装内外部环境的密封性能和封装器件的可靠性、成品率高，且工艺简单、成本低，适用于工业大批量生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种圆片级真空封装方法，该圆片级真空封装的器件主要包括ＭＥＭＳ器件、支撑ＭＥＭＳ器件的底座基片、带过孔的中间垫层基片、盖板基片、焊料和吸气剂。封装基本步骤包括：在底座基片上制备出需要的ＭＥＭＳ器件；在底座基片的器件面、中间垫层基片的两个面和盖帽基片的一面淀积一层复合金属层，并形成键合区域图形，该复合金属层作为焊接中间层，在实现粘附的同时还作为气密性阻绝层；在盖帽或中间垫层或底座基片上溅射吸气合金作为吸气剂；加工中间垫层基片形成过孔：把底座基片、中间垫层基片、盖帽基片按顺序对准组合在一起，并在底座基片和中间垫层基片、中间垫层基片和盖帽基片之间夹入一定厚度的焊料；把组合器件放入具有一定真空度的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于晓梅，周晓雄，袁明泉，杨建成，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11