一种带隙电压基准源制造技术

本发明专利技术公开了一种带隙电压基准源，包括：偏置电路、启动电路和一阶基准电路，其特征在于，还包括，温度补偿电路和误差放大器电路，所述的温度补偿电路包括第三NPN管、第一NMOS管、第五电阻、第六电阻和第七电阻。本发明专利技术的带隙基准电压源通过将双极型器件的集电极电流和亚阈值区的MOS管漏电流加入到传统的一阶温度补偿带隙基准电路中，即通过温度补偿电路中的第三NPN管和第一NMOS管实现温度补偿，得到基准电压，使得输出基准电压具有较小的温度系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，具体涉及一种电压基准源(Voltage Reference)的设计。
技术介绍
电压基准源广泛应用于振荡器、锁相环(PLL，Phase Locked Loop)和数据转换器等各种模拟和数模混合集成电路中，其温度系数(TC，Temperature Coefficient)和电源抑制比(PSRR，Power Supply Rejection Ratio)很大程度上决定了系统性能的优劣。传统的基于Vbe和热电压Vt相互补偿的带隙电压基准源应用较广泛，如图1所示， 由于误差放大器的钳位作用，使得Vx与Vy两点的电压基本相等，即Vx = Vy = Vbe2，同时，两, ,Vrf7-Vrf, VAnN 边电路中的电流也相等，则有八=各=BE\JiT由于厂r=一，则电流为正比于绝对温度(PTAT，Proporational To AbsoluteqTemperature)电流，此电流经过电流镜的镜像以后，便成为整个芯片的偏置电流。根据电流的表达式，可以得出带隙电压的表达式为:νΒΟ=ΙγΚ2=^~ντ1ηΝ + ν體。由于Vt为正温度系数，同时Vbe2为负温度系数，合本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种带隙电压基准源，包括：偏置电路、启动电路和一阶基准电路，其特征在于，还包括，温度补偿电路和误差放大器电路，其中，所述的偏置电路为所述的带隙电压基准源提供偏置电压，所述的启动电路用于使一阶基准电路正常工作，所述一阶基准电路产生低温度系数的基准电压，所述的温度补偿电路用于对一阶基准电路进行温度补偿，所述误差放大器电路用于稳定一阶基准电路的工作点；所述一阶基准电路包括第一ＮＰＮ管、第二ＮＰＮ管、第一ＰＭＯＳ管、第二ＰＭＯＳ管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述的温度补偿电路包括第三ＮＰＮ管、第一ＮＭＯＳ管、第五电阻、第六电阻和第七电阻；所述的启动电路包括第四ＮＰＮ管、第五ＮＰＮ管、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，王会影，石跃，蔡小祥，鲍小亮，王易，明鑫，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90