本发明专利技术公开了一种利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法与应用。该方法首先通过将铋粉与三氧化钼按摩尔比1∶5混合；再将得到的混合料在惰性气体气氛中球磨；球磨后粉料经清洗、压片和煅烧结晶，得到单相多晶钼酸铋。该单相多晶钼酸铋的结构式为Bi0.27Mo2O5，且在160～300K表现为半导体行为。本发明专利技术通过机械球磨与固相烧结相结合的方法制备出单相钼酸铋多晶，制备工艺简单、成本低廉、对环境无污染、产率达90％以上、适合大规模生产。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无机化工原料制备，特别涉及一种利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法与应用。
技术介绍
三元钼酸盐具有超导电性、电荷密度波等丰富的物理现象。在三价阳离子钼酸盐中，钼酸铋由于在光催化、离子导体、声光材料、光电导、以及气体传感领域的广泛应用而受到特别的关注(Song N et al.，J. Catal. 2005，236 :282-291 ；Cruz A et al.，Catal. Today, 2007,129 :194-199 ；Xie H et al.，Mater. Chem. Phys.，2008，110 :332-336.)。钼酸铋的制备多采用固相反应法、共沉淀法、溶胶凝胶法和水热法CThang L M et al.，Catal. Today. 2008，131 :566-571 ；Li Honghua et al. ,Mater. Chem. Phys.，2009，116 :134-142.)。 一般而言，需要在400 700°C煅烧结晶，且较难获得单相产物。高质量的钼酸铋单晶样品普遍通过电解Bi2O3-MoO3熔盐方式获得(Xiong Rui et al. , J. Mater. Sci. Technol.，2006， 22(4) =487-490.)；但这种方法耗时长、产率低，不适合大规模生产。因此，寻找相对简便地制备大量钼酸铋单相样品的方法对于此类材料的实际应用具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的首要目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种较简便、成本低廉的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，该方法有助于该类材料的实际应用。本专利技术的另一目的在于提供所述利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法的应用。本专利技术的目的通过下述技术方案实现一种利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，包含以下步骤(1)将铋粉与三氧化钼按摩尔比1 5混合；(2)将步骤⑴得到的混合料在惰性气体气氛中球磨；(3)球磨后粉料经清洗、压片和煅烧结晶，得到单相多晶钼酸铋。步骤O)中所述的惰性气体优选为氩气；步骤(2)中所述的球磨的条件优选为400 450转/分钟球磨20 40小时；更优选为450转/分钟球磨40小时；步骤(3)中所述的清洗优选使用无水乙醇进行清洗；步骤(3)中所述的压片的条件优选为15 25MPa ；步骤(3)中所述的煅烧结晶的条件优选为真空气氛中，690 700°C煅烧8 12 小时；更优选为700°C煅烧10小时；通过上述方法得到的样品经检验为近似单相的Bia27Mo2O5多晶，且在160 300K 表现为半导体行为。所述的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法在大规模生产单相多晶钼酸铋中的应用。本专利技术相对于现有技术具有如下的优点及效果通过机械球磨与固相烧结相结合的方法制备出单相钼酸铋多晶，制备工艺简单、 成本低廉、对环境无污染、产率达90%以上、适合大规模生产。机械球磨能将混合料粉碎至 200纳米左右粒径并充分混合，有助于单相产物的合成。所制备样品经X射线衍射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)J^fR (EDS)表征为近似单相的Bia27Mo2O5多晶；电阻率变温测试显示样品在160 300K表现为半导体行为。附图说明图1是实施例1制备的钼酸铋的XRD图谱，其中上部为所制备样品的XRD图谱； 下部为Bia27Mo205标准图谱；“*”衍射峰来自微量铋单质。图2是实施例1制备样品的EDS图谱。图3是实施例1制备样品的电阻率变温曲线。具体实施例方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例1(1)铋粉(纯度99. 999% )和三氧化钼(纯度99. 5% )按摩尔比1 5配比，取共计2g在研钵中混合均勻。(2)将混合均勻的混合物置于IOOml不锈钢球磨罐中，抽真空，充入氩气保护；混合料与玛瑙磨球按质量比1 20配置混合，加入IOml无水乙醇(分析纯，质量分数大于 99. 7% )后，以450转/分钟转速球磨40小时。(3)将球磨后的粉料用无水乙醇(分析纯，质量分数大于99. 7% )清洗、烘干后， 压片(20MPa)，在700°C真空气氛中煅烧10小时。(4)采用XRD对最终产物进行物相分析发现样品结晶良好(结果如图1所示)； EDS分析表明Bi、Mo元素比例约为0.14 1 (结果如图2所示)；综合判断所得样品为近似单相的钼酸铋Bia27Mo2O5。(5)对最终产物进行变温电阻率测试发现所得样品在160 300K表现为半导体行为(结果如图3所示)。实施例2(1)铋粉(纯度99. 999% )和三氧化钼(纯度99. 5% )按摩尔比1 5配比，取共计2g在研钵中混合均勻。(2)将混合料压片(20MPa)，在700°C真空气氛中煅烧10小时。(3)采用XRD对最终产物进行物相分析发现产物不纯，杂相很多；说明机械球磨处理对单相钼酸铋的固相合成非常关键。实施例3(1)铋粉(纯度99. 999% )和三氧化钼(纯度99. 5% )按摩尔比1 5配比，取共计2g在研钵中混合均勻。(2)将混合均勻的混合物置于IOOml不锈钢球磨罐中，抽真空，充入氩气保护；混合料与玛瑙磨球按质量比1 20配置混合，加入IOml无水乙醇(分析纯，质量分数大于 99. 7% )后，以450转/分钟转速球磨40小时。(3)将球磨后的粉料用无水乙醇(分析纯，质量分数大于99. 7% )清洗、烘干后， 压片(20MPa)，在680°C真空气氛中煅烧10小时。(4)采用XRD对最终产物进行物相分析发现样品结晶较好，但单相性较700°C煅烧10小时产物差；说明选择适当的煅烧温度对提高产物质量非常重要。上述实施例为本专利技术较佳的实施方式，但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化， 均应为等效的置换方式，都包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于包含以下步骤(1)将铋粉与三氧化钼按摩尔比1 5混合；(2)将步骤(1)得到的混合料在惰性气体气氛中球磨；(3)球磨后粉料经清洗、压片和煅烧结晶，得到单相多晶钼酸铋。2.根据权利要求1所述的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于 步骤O)中所述的惰性气体为氩气。3.根据权利要求1所述的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于 步骤O)中所述的球磨的条件为400 450转/分钟球磨20 40小时。4.根据权利要求1所述的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于 所述的球磨的条件为450转/分钟球磨40小时。5.根据权利要求1所述的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于 步骤(3)中所述的清洗为使用无水乙醇进行清洗。6.根据权利要求1所述的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于 步骤(3)中所述的压片的条件为15 25MPa。7.根据权利要求1所述的利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于 步骤⑶中所述的煅烧结晶的条件为真空气氛中，690 700°C煅烧8 12小时。8.一种单相多晶钼酸铋，通过权利要求1 7任一项所述的利用固相反应法制备单相多本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种利用固相反应法制备单相多晶钼酸铋的方法，其特征在于包含以下步骤：（１）将铋粉与三氧化钼按摩尔比１∶５混合；（２）将步骤（１）得到的混合料在惰性气体气氛中球磨；（３）球磨后粉料经清洗、压片和煅烧结晶，得到单相多晶钼酸铋。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：乐松，严振升，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：81
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