倒装芯片型半导体背面用膜及其用途制造技术

本发明专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要设置于要倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，所述膜包含树脂和导热性填料，其中导热性填料的含量为所述膜的至少50体积％，以及相对于所述膜的厚度，导热性填料的平均粒径为至多30％，并且相对于所述膜的厚度，导热性填料的最大粒径为至多80％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面和用于提高其强度。此外，本专利技术涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，和倒装芯片安装的半导体器件。
技术介绍
近来，已日益需求薄型化和小型化的半导体器件及其封装。因此，作为半导体器件及其封装，已广泛利用其中半导体元件如半导体芯片借助于倒装芯片接合安装(倒装芯片连接)在基材上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，半导体芯片以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献 1)。可以激光标识背面用膜以增加其产品识别能力(参见，专利文献2)。 JP-A-2007-158026 JP-A-2008-166451随着半导体技术的发展，半导体器件性能得到日益改进。随着半导体器件处理速度的增加，由半导体器件产生的热量趋于增加。在半导体元件如半导体芯片的背面用背面膜覆盖的情况下，从半导体元件的背面侧释放的热延迟并且因此产生的热可能累积在半导体器件中以给予负荷至器件，从而由此缩短产品寿命。针对该背景，可以采取粗糙化背面用膜表面以增加其表面积由此促进热从背面膜释放的方法。然而，粗糙化背面膜表面可能产生另一问题，即膜的激光标识性可能恶化，以及其对半导体晶片等的粘合性也可能恶化。
技术实现思路
考虑到前述问题完成了本专利技术，其目的在于提供倒装芯片型半导体背面用膜，当设置于半导体元件的背面上时，可有效地将热从半导体元件释放至外部，同时保持其在其表面上的良好激光标识性及其对半导体晶片等的良好的粘合性，和提供包括倒装芯片型半导体背面用膜的半导体背面用切割带集成膜。本专利技术的另一目的在于，提供用于生产半导体器件的方法，所述半导体器件由于激光标识导致产品识别能力高并且可有效地释放由其中半导体元件产生的热从而由此延长广品寿命。为了解决前述问题，本专利技术人进行广泛深入地研究。结果，专利技术人已发现，当将特定的导热性填料混入倒装芯片型半导体背面用膜中时，则可增强膜释放来自半导体元件的热的能力，同时原样保持其良好的激光标识性及其良好的对半导体晶片的粘合性，并且已完成本专利技术。S卩，本专利技术提供倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于要倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，所述膜包括树脂和导热性填料，其中导热性填料的含量为膜的至少50体积，以及相对于膜的厚度，导热性填料的平均粒径为至多30%，并且相对于膜的厚度，导热性填料的最大粒径为至多80%。本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，由此实现其保护半导体元件的功能。倒装芯片型半导体背面用膜包含树脂和导热性填料，其中导热性填料的含量为至少50体积％ ；并且因此，膜自身的导热性高和膜显示优异的热辐射能力，结果，即使当膜设置于半导体元件背面上时，也可有效地将由半导体元件产生的热释放至外部。半导体元件背面意指与其上形成电路的表面相对的表面。关于导热性填料的形态，当其粒径较大时，则所述类型的填料可增加倒装芯片型半导体背面用膜中具有良好导热性的区域的比率，因此增加整个倒装芯片型半导体背面用膜的导热性。然而，另一方面，当导热性填料的粒径太大时，则膜的导热性可能增加但是导热性填料的形状可能对膜表面具有一定影响，从而由此减损(detract)膜的表面平滑性。 关于在本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜中的导热性填料的形态，相对于倒装芯片型半导体背面用膜的厚度，填料的平均粒径和最大粒径分别为至多30%和至多80% ；并且因此在倒装芯片型半导体背面用膜中，导热性填料的导热性最大化和导热性填料的形状对膜的表面形状的影响最小化。采用在膜中具有如上形态的导热性填料使得可以限定膜中的导热性填料的含量为至少50体积％的高水平。当相对于膜的厚度的平均粒径和最大粒径分别为大于30%和大于80%时，则膜的表面粗糙度太高以及其激光标识性由此恶化及其对半导体晶片等的粘合性也恶化。本专利技术的膜中，导热性填料的含量及其平均粒径和最大粒径各自限定至落入预定范围内，并且因此在膜中，导热性填料相对致密地填充(pack)并且导热性填料颗粒的接触点大，并且因此，膜的导热性和甚至其热辐射性能可由此增加至高水平。此外，由于导热性填料致密地填充在膜中，因此导热性填料颗粒可在膜表面周围的区域一定程度地均质化以确保膜表面的平滑性。本说明书中，导热性填料的平均粒径和最大粒径意指用激光衍射粒度仪测量的值。优选地，本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜的导热率为至少2W/mK。具有该水平的导热率，所述膜可有效地将从粘贴至其的半导体元件产生的热释放至外部。优选地，倒装芯片型半导体背面用膜在与面向半导体背面的面相对的面上的表面粗糙度(Ra)为至多300nm。由于填料以具体限定量包含具有特定形态的导热性填料，因此膜的表面粗糙度(Ra)可为至多300nm，结果，膜的激光标识性可由此改进并且可防止其对半导体晶片等的粘合性降低。该说明书中，表面粗糙度(Ra)根据JIS B0601测量，其详细内容描述于以下给出的实施例中。优选地，导热性填料的含量为50至80体积％，以及相对于膜的厚度，导热性填料的平均粒径为10至30%和其最大粒径为40至80%。具体限定导热性填料的含量和形态学，使得可以进一步增强本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜的热辐射能力和进一步增强膜的激光标识性及其优异的对半导体晶片等的粘合性。本专利技术的倒装芯片型半导体背面用膜可以包含多种其平均粒径不同的导热性填料颗粒作为导热性填料。在具有不同平均粒径的导热性填料颗粒中，具有较小平均粒径的导热性填料颗粒可以填充在具有较大平均粒径的导热性填料颗粒之间，由此可扩大具有良好导热性的区域并由此可增加膜的导热性。关于平均粒径，可以采用两类具有不同平均粒径的填料，或者可以采用三类以上具有不同平均粒径的填料。在采用不同平均粒径的导热性填料颗粒的情况下，本专利技术中导热性填料的平均粒径意指不同平均粒径的导热性填料颗粒平均粒径的平均值；导热性填料的最大粒径意指在膜中包含的全部导热性填料颗粒的最大粒径。本专利技术还提供半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带和层压在切割带上的上述倒装芯片型半导体背面用膜，其中切割带包括基材和层压在基材上的压敏粘合剂层， 以及倒装芯片型半导体背面用膜层压在切割带的压敏粘合剂层上。在具有上述构成的半导体背面用切割带集成膜中，由于切割带和倒装芯片型半导体背面用膜是集成的，因此该类切割带集成膜可用于包括切割半导体晶片以生产半导体元件的切割步骤和随后的拾取步骤的方法中。具体地，当在切割步骤前将切割带粘贴至半导体晶片背面时，还可同时将半导体背面用膜粘贴至其，并且因此，所述方法不需要单独粘贴半导体背面用膜至半导体晶片的步骤(半导体背面膜粘贴步骤)。结果，可以减少方法步骤数量。此外，所述方法中，由于半导体背面用膜保护半导体晶片背面和通过切割形成的半导体元件背面，因此可防止或者减少在切割步骤和随后的步骤(拾取步骤)中的半导体元件损坏。结果，可增加要生产的倒装芯片型半导体器件的产率。本专利技术进一步提供通过使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述膜包括树脂和导热性填料，其中所述导热性填料的含量为所述膜的至少５０体积％，和其中相对于所述膜的厚度，所述导热性填料的平均粒径为至多３０％，并且相对于所述膜的厚度，所述导热性填料的最大粒径为至多８０％。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，志贺豪士，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP