除草用磺酰胺制造技术

＊＊＊ 本发明专利技术公开了式（Ⅰ）的化合物、其Ｎ－氮氧化物和农用盐，它们可用于控制非所希望的植物生长。在所述式中，Ｊ是（Ｊ－１）、（Ｊ－２）、（Ｊ－３）、（Ｊ－４）、（Ｊ－５）、（Ｊ－６），而Ｘ、Ｙ、Ｑ、Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［６］－Ｒ↑［１５］、ｍ和ｎ如说明书中定义。本发明专利技术还涉及包含式（Ⅰ）化合物的组合物以及控制非所希望之植物生长的方法，所述方法包括使所述植物或其周围与有效量的式（Ⅰ）化合物相接触。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

Herbicidal sulfonamide

Disclosed herein are compounds of formula (I), N nitrogen oxides and agricultural salts thereof, which may be used to control the growth of non desirable plants. In the formula, J (J - 1), (2, J) (J 3) (J, 4), (J, 5) (J 6), X, Y, Q, R = 1, R = 2, R = 6 and R = 15, m and N are as defined in the specification. The invention also relates to compounds containing formula (I) composition and method of controlling undesired vegetation, the method comprises contacting the plant or its environment with an effective amount of the compound (I) contact.

【技术实现步骤摘要】
除草用磺酰胺的制作方法
技术介绍
本专利技术涉及某些芳基磺酰胺、它们的N-氧化物、农业用盐和组合物，还涉及它们在控制非所希望之植物生长中的用途。控制非所希望的植物生长对于实现高的作物收成是极其重要的。在诸如水稻、大豆、制糖甜菜、玉米、马铃薯、小麦、大麦、西红柿和种植园作物等的有用作物中实现杂草生长的选择性控制是非常需要的。在此等有用的作物中未经控制的杂草生长会导致产量显著下降，并由此导致消费者的费用增加。在非作物区域中控制非所希望的植物生长也是重要的。已有许多为此目的的市售产品，但仍需要更有效、费用更低、毒性更低、对环境更安全或者具有不同作用方式的新化合物。第4,818,275号美国专利公开了下式的除草用非环磺酰胺 其中X和Y是Br、Cl或F；R是烷基、卤烷基或二烷基氨基；R1是H、Na、低级烷基或SO2R；R2是烷基、卤烷基或低级烷氧基；和R3是卤素、烷基或卤烷基。本专利技术的磺酰胺未被上述文献公开。专利技术简述本专利技术涉及式I的化合物，包括所有的几何和立体异构体，及其N-氧化物、以及农业用盐、包含这些化合物的农用组合物，以及它们在控制非所希望的植物生长中的用途 其中X是H、F或Cl；本文档来自技高网...

【技术保护点】
式Ⅰ的化合物、其Ｎ－氧化物和农业用盐：＊＊＊ Ⅰ其中：Ｘ是Ｈ、Ｆ或Ｃｌ；Ｙ是Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、氰基、硝基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［３］卤烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［３］烷氧基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［３］卤烷氧基或Ｃ（Ｓ）ＮＨ↓［２］；Ｒ↑［ １］是Ｈ、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］卤烷基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］烯基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］卤烯基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］炔基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］卤炔基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］烷氧基烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］卤烷氧基烷基、甲酰基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］烷基羰基、Ｃ↓［４］－Ｃ↓［７］环烷基羰基、Ｃ↓［２］－Ｃ...

【技术特征摘要】
US 1997-4-22 60/044,1451.式I的化合物、其N-氧化物和农业用盐其中X是H、F或Cl；Y是F、Cl、Br、氰基、硝基、C1-C3卤烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤烷氧基或C(S)NH2；R1是H、C1-C6烷基、C1-C6卤烷基、C3-C6烯基、C3-C6卤烯基、C3-C6炔基、C3-C6卤炔基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤烷氧基烷基、甲酰基、C2-C6烷基羰基、C4-C7环烷基羰基、C2-C6卤烷基羰基、C2-C6烷氧基羰基、C3-C6烷氧基烷基羰基、C2-C6卤烷氧基羰基、C3-C6环烷基、C3-C6卤环烷基、C4-C7环烷基烷基、C4-C7卤环烷基烷基、S(O)2R17、C(O)SR3、C(O)NR4R5或苯甲酰基；R2是除CF3以外的C1-C6卤烷基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤烷氧基烷基、C2-C6氰基烷基、C1-C6硝基烷基、C2-C6烷基硫基烷基、C2-C6烷基亚硫酰基烷基、C2-C6烷基磺酰基烷基、C3-C8烷氧基羰基烷基或C3-C8烷基羰氧基烷基；R3是H、C1-C3烷基或C1-C3卤烷基；或者R3是任选被C1-C3烷基、1-3卤素、4-5氟、1-2硝基、C1-C3烷氧基或CF3取代的苯基；R4是H、C1-C3烷基或C1-C3卤烷基；或者R4是任选被C1-C3烷基、1-3卤素、4-5氟、1-2硝基、C1-C3烷氧基或CF3取代的苯基；R5是C1-C3烷基或C1-C3卤烷基；或者R4和R5一起形成-CH-CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2CH2-或-CH2CH2OCH2CH2-；J是。其中J-1中的横折号表示左手环仅包含单键或者该环中的一个键是C-C双键；m和n分别独立地是0、1、2或3，其条件是m+n是2或3；Z是CR6R7、O、S、S(O)、S(O)2、N(C1-C4烷基)或者R6是H、C1-C6烷基、卤素、羟基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤烷基、C1-C6卤烷氧基、C2-C6烷基羰氧基或C2-C6卤烷基羰氧基；R7是H、C1-C6烷基、羟基或卤素；或者在R6和R7键合在相邻的碳原子上时，它们一起与它们所连接的碳形成，该基团任选地被至少选自1-2卤素和1-2C1-C3烷基的基团取代；R8是C1-C6烷基、C1-C6卤烷基、C3-C6烯基或C3-C6炔基；R9是H、卤素、氰基、C1-C6卤烷基、C1-C3烷氧基或C1-C3卤烷氧基；R10是H、C1-C6烷基、C1-C6卤烷基、C3-C6烯基、C3-C6卤烯基、C3-C6炔基、C3-C6卤炔基、HC(＝O)、C2-C5烷基羰基或N(R16)2；R11是C1-C6烷基、C1-C6烷基硫基、C1-C6卤烷基或N(CH3)2；R12是H、卤素、C1-C6烷基、C1-C6卤烷基或C1-C6烷氧基；R13和R14分别独立地是H、C1-C6烷基或C1-C6卤烷基；R15是H、C1-C6烷基或C1-C6卤烷基；R16分别独立地是H、C1-C6烷基、C1-C6卤烷基、C3-C6烯基、或C2-C6烷氧基烷基；R17是C1-C6烷基、除CF3以外的C1-C6卤烷基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤烷氧基烷基、C2-C6氰基烷基、C1-C6硝基烷基、C2-C6烷基硫基烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔海因茨德劳茨，洪文彪，巴尔瑞蒂卡米雷迪，安妮福格特，克里斯托弗赫尔穆特韦克贝克，英戈克莱门特，
申请(专利权)人：杜邦公司，德古萨于尔斯股份公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]