【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种用以化学吸附氢化物气体的洁净剂,尤其有关一种具有以二氧化钛作为载体的用于化学吸附氢化物气体的洁净剂。该洁净剂适用于去除半导体厂及光电厂制程废气中的毒性氢化物气体。
技术介绍
氢化物(如AsH3、PH3、SiH4、GeH4)为半导体厂炉管、离子植入制程及光电厂MOCVD制程大量使用的气体,而这些气体在制程中没有被完全利用,故会有毒性气体自制程机器排出。这些毒性制程废气需加以处理,否则对厂内而言是安全的威胁,对厂外则是空气污染的来源。一般制程尾气处理可分为湿式法、高温氧化法与干式吸附法三大类。湿式加药洗涤法处理后的废液毒性依旧,而且废液体积庞大,对工厂而言仍是一大负担。高温氧化法虽有不错的效果,但气体处理后产生大量的毒性微粒(如As2O3)容易披覆在管线及高温腔中,造成机器失效,因此必须在厂内对机器定期维修保养。维修时可能造成高毒性微粒逸散,对厂区及维修人员造成危害,SEMI F5-1101已建议不使用此种处理方式。干式处理法使用洁净剂(cleaning agents),利用化学吸附使AsH3、PH3、SiH4等气体分子与洁净剂作用,生成非挥发 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:许荣男,李寿南,李秋煌,黄建良,姚品全,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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