14MeV中子热化装置制造方法及图纸

一种热化效率较高的“14MeV中子热化装置”。用快中子反射层反射D-T中子发生器发射的、远离热中子准直通道出口的14MeV中子，使热化效率提高185.10％。先用快中子慢化层和中子慢化层依次慢化14MeV中子，使热化效率提高36.81％。用聚乙烯作为中子慢化、热化材料，价格远低于重水，热化效率比水高1.01％。用中子反射层反射远离热中子准直通道出口的中子，使热化效率提高537.97％。用热中子聚集层使热中子在准直通道内聚集、准直，使热化效率提高80.28％。此装置可以作为热中子源，用于硼中子俘获治疗、热中子照相等。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种１４ＭｅＶ中子热化装置，由Ｄ－Ｔ中子发生器（１），快中子反射层（２），快中子慢化层（３），热中子准直通道（４），热中子聚集层（５），中子慢化层（６）以及中子反射层（７）构成，其特征是：用快中子反射层（２）反射Ｄ－Ｔ中子发生器（１）发射的、远离热中子准直通道（４）出口的１４ＭｅＶ中子，用快中子慢化层（３）和中子慢化层（６）依次慢化１４ＭｅＶ中子，用中子反射层（７）反射远离热中子准直通道（４）出口的中子，用热中子聚集层（５）使热中子在中子准直通道（４）内聚集、准直，提高出口处的热中子通量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程道文，李鑫，韩冬，向鹏，韦韧，董小刚，孙正昊，兰民，
申请(专利权)人：长春工业大学，
类型：实用新型
国别省市：82