半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片及散热结构。基板具有外侧面。芯片设于基板上。散热结构设于基板上且包括连续侧部，连续侧部环绕容置空间且具有凹陷外侧面，芯片位于容置空间内，连续侧部的凹陷外侧面与基板的外侧面间隔一距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有散热结构的。
技术介绍
半导体元件已经逐渐变得更加复杂，部分原因是由于半导体元件的需求渐渐趋向小尺寸及高处理速度。虽然拥有小尺寸及高处理速度特性的半导体元件具有许多优点，此些特性亦造成许多问题。具体来说，当时脉速度(clock speed)增加时，可能增加半导体元件的发热量。一般而言，半导体元件可通过其露出的表面或与一外部元件的接触而进行散热。 然而，半导体元件的露出表面的散热效果不佳，无法有效地将发热量传导至外界。
技术实现思路
本专利技术有关于一种，其具有散热结构，可传导半导体封装件的热量至外界。根据本专利技术的一实施例，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片及一散热结构。基板具有一外侧面。芯片设于基板上。散热结构设于基板上，且包括一第一连续侧部，第一连续侧部环绕一容置空间且具有一凹陷外侧面，芯片位于容置空间内， 第一连续侧部的凹陷外侧面与基板的外侧面间隔一距离。根据本专利技术的另一实施例，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一散热板；形成一介电保护层覆盖散热板上；形成一图案化线路层于介电保护层中，其中介电保护层及图案化线路层形成一基板，图案化线路层经由介电保护层延伸至散热板；移除散热板的一部分，其中散热板形成一散热结构，其中散热结构包括一第一连续侧部，第一连续侧部围绕一容置空间且具有一凹陷外侧面，图案化线路层从该容置空间露出；设置一芯片于容置空间内，其中芯片电性连接至图案化线路层；以及，形成一切割狭缝经过基板，其中基板形成一外侧面，第一连续侧部的凹陷外侧面与基板的外侧面间隔一距离。根据本专利技术的另一实施例，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一散热板；移除散热板的一部分，使散热板形成一散热结构，其中散热结构包括一第一连续侧部，第一连续侧部围绕一容置空间且具有一凹陷部；设置散热结构于一基板上，其中凹陷部面向基板且基板从容置空间露出；形成一预切割狭缝，其中预切割狭缝延伸至凹陷部；设置一芯片于容置空间内，其中芯片电性连接于基板；以及，形成一切割狭缝经过基板，其中基板形成一外侧面，凹陷部的一凹陷外侧面与基板的外侧面间隔一距离。根据本专利技术的另一实施例，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一散热板；移除散热板的一部分，使散热板形成一散热结构，其中散热结构包括一第一连续侧部及一上盖部，第一连续侧部及上盖部定义一容置空间，第一连续侧部具有一凹陷外侧面；设置一基板 及一芯片于散热结构上，其中芯片设于基板上，芯片位于容置空间内，而基板连接于第一连续侧部且上盖部覆盖芯片；以及，形成一切割狭缝经过基板， 其中基板形成一外侧面，凹陷外侧面与基板的外侧面间隔一距离。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下附图说明图IA绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的外观图。图IB绘示图IA方向1B-1B，的剖视图。图2绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图3A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的外观图。图3B绘示图3A中方向3B-3B，的剖视图。图4A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的外观图。图4B绘示图4A中方向4B-4B，的剖视图。图5A绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的外观图。图5B绘示图5A中方向5B-5B，的剖视图。图6A至6M绘示图IB的半导体封装件的制造过程图。图7A至7B绘示图2的半导体封装件的制造过程图。图8A至8L绘示图3B的半导体封装建的制造过程图。图9A至91绘示图4B的半导体封装建的制造过程图。图IOA至IOG绘示图5B的半导体封装件的制造过程图。主要元件符号说明100,200,300,400,500 半导体封装件110、310:基板110b、120b、130b 第二面110s、310s、360s 外侧面111 介电保护层Illa:开孔110b、310b 第二面110u、120u、130u、310u 第一面112:图案化线路层120 芯片121、150、212a、261 电性接点130,230,330,430,530 散热结构130，第一散热板130”第二散热板130s SMI3Op 余留部131、231、331、431、531 第一连续侧部131sl、331sl、431sl、531sl 凹陷外侧面131s2、331s2、431s2、531s2 内侧面132,432,532 容置空间140 底胶160:介电保护层160a:开孔180 黏合元件190、192、193、194、195 图案化遮蔽层190a、192a、193a、194a、195a 镂空图案191 完整遮蔽层260 芯片331s3、531s3 边缘外侧面335:凹陷部360 第一结合元件390 压板433,533 上盖部470 第二结合元件480 第三结合元件491 遮罩模具491a:镂空区4911 遮块4912 连接部494 载板534 第二连续侧部Dl 距离具体实施例方式请参照图1A，图IA绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的外观图，图IB绘示图IA方向1B-1B'的剖视图。如图IA所示，半导体封装件100包括基板110、芯片120、散热结构130、底胶140 及至少一电性接点150 (绘示于图1B)。如图IB所示，基板110包括至少一介电保护层111及至少一图案化线路层112。 图案化线路层112通过对应的介电保护层111的贯孔(未标示)电性连接于对应的图案化线路层112，而构成一堆迭结构。芯片120具有相对的第一面120u与第二面120b。本实施例中，芯片120从半导体封装件100外露。芯片120的第一面120u相距基板110的距离小于或实质上等于散热 结构130的第一面130u相距基板110的距离，如此可使芯片未突出超过散热结构130的第一面130u。在芯片120未突出超过散热结构130的第一面130u的情况下，散热结构130可保护芯片120，如同封装体的功能。也就是说，半导体封装件100可省略包覆芯片120的封装体。另一实施例中，即使芯片120未突出超过散热结构130的第一面130u，半导体封装件 100仍可使用封装体(未绘示)包覆芯片120。其它实施例中，在芯片120突出超过散热结构130的第一面130u的情况下，可选择性地使用封装体包覆芯片120。芯片120更包括至少一电性接点121，其中电性接点121邻近第二面120b设置。 电性接点121例如是焊球(solder ball)或凸块。芯片120例如是覆晶(flip chip)，其以”面下(face-down) ”方位设于基板110且通过其电性接点121电性连接于基板110的图案化线路层112。如图IB所示，散热结构130设于基板110上。散热结构130具有相对的第一面 130u及第二面130b。本实施例中，散热结构130以第二面130b直接设于基板110上。此夕卜，散热结构130的第一面130u与芯片120的第一面120u实质上朝向同一方位，例如，本实施例中，散热结构130的第一面130u及芯片120的第一面120u上表面。 散热结构130可将半导体封装件100的热量传导至外界。散热结构130的材质本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体封装件，包括：一基板，具有一外侧面；一芯片，设于该基板上；以及一散热结构，设于该基板上，且包括一第一连续侧部，该第一连续侧部环绕一容置空间且具有一凹陷外侧面，该芯片位于该容置空间内，该第一连续侧部的该凹陷外侧面与该基板的该外侧面间隔一距离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈光雄，王圣民，冯相铭，李育颖，郑秉昀，孙余青，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71