AMOLED补偿电路像素结构及AMOLED显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种AMOLED补偿电路像素结构及AMOLED显示面板，涉及OLED显示技术领域，AMOLED补偿电路像素结构包括：栅线、数据线、电源线、接地极、开关晶体管、补偿子电路、驱动晶体管、存储电容和有机发光二极管OLED，开关晶体管栅极连接栅线，原极连接数据线，漏极连接补偿子电路的第一端；补偿子电路的第二端连接栅线，第三端连接存储电容的第一端，用于向存储电容预先存储驱动晶体管的阈值电压；驱动晶体管栅极连接存储电容的第一端，漏极连接电源线，源极连接OLED，用于为OLED提供驱动电流；OLED的阳极连接驱动晶体管的源极，阴极连接接地极。本实用新型专利技术结构简单，不但具有阈值电压漂移补偿功能，同时还实现了驱动晶体管栅极信号复位，降低了帧与帧之间信号的影响。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及OLED显示
，特别涉及一种AMOLED补偿电路像素结构及 AMOLED显示面板。
技术介绍
目前在有源矩阵有机发光显示面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode, AMOLED)显示领域中，尤其是大尺寸基板设计中，由于背板薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT)在工艺过程中的不均性，以及稳定性问题，造成OLED电流的不均勻性。为了弥补由于背板生产过程中造成的TFT不均勻性，所导致阈值电压漂移(Vth Shift)，以及长时间开启偏压造成的TFT稳定性下降的缺陷，需要进行补偿电路设计。现有补偿电路结构复杂，时序信号较多。如图1所示，此结构是具有阈值电压补偿功能的6T2C 结构，该结构包括6个晶体管TFT、两个存储电容，以及6个信号线构成。其电路结构较复杂，用于控制的时序信号交多，时序控制复杂。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是如何实现结构简单、时序信号较少的补偿电路。( 二 )技术方案为解决上述技术问题，本技术提供了一种AMOLED补偿电路像素结构，包括 栅线、数据线、电源线、接地极、开关晶体管、补偿子电路、驱动晶体管、存储电容和有机发光二极管OLED，所述开关晶体管栅极连接所述栅线，源极连接所述数据线，漏极连接所述补偿子电路的第一端；所述补偿子电路的第二端连接所述栅线，第三端连接所述存储电容的第一端，用于向所述存储电容预先存储所述驱动晶体管的阈值电压；所述驱动晶体管栅极连接所述存储电容的第一端，源极连接所述电源线和所述存储电容的第二端，漏极连接所述0LED，用于为OLED提供驱动电流；所述OLED的阳极连接所述驱动晶体管的漏极，阴极连接所述接地极。其中，所述补偿子电路包括第一补偿晶体管和第二补偿晶体管，所述第一补偿晶体管的源极为所述补偿子电路的第一端，连接所述开关晶体管的漏极，漏极连接所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一端，栅极连接所述第二补偿晶体管的漏极；所述第二补偿晶体管的栅极为所述补偿子电路的第二端，连接所述栅线，源极连接所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一端；所述第一补偿晶体管的漏极和第二补偿晶体管的源极为所述补偿子电路的第三端。其中，所述开关晶体管、驱动晶体管和第二补偿晶体管均为P型TFT。其中，所述第一补偿晶体管为P型TFT或N型TFT。其中，还包括参考电源和复位晶体管，所述复位晶体管的栅极连接所述参考电源，源极连接所述接地极，漏极连接所述驱动晶体管的栅极，用于复位所述驱动晶体管的栅极信号。其中，所述复位晶体管为P型TFT或为N型TFT。本技术还提供了一种AMOLED显示面板，所述面板中的AMOLED补偿电路像素结构为上述任一项所述的AMOLED补偿电路像素结构。(三)有益效果本技术通过开关晶体管、补偿子电路、驱动晶体管、存储电容的结构实现了结构简单，时序信号较少的补偿电路；并通过复位晶体管连接参考电源来复位驱动晶体管的栅极信号，使得上一帧信号对下一帧信号的影响最小化，极大降低了帧与帧之间信号的影响附图说明图1是现有技术中的一种AMOLED补偿电路像素结构示意图；图2是本技术实施例的一种AMOLED补偿电路像素结构示意图；图3是图2中AMOLED补偿电路像素结构工作时的时序信号图；图4是本技术实施例的另一种AMOLED补偿电路像素结构示意图；图5是图4中AMOLED补偿电路像素结构工作时的时序信号图；图6是图4中AMOLED补偿电路像素结构的驱动晶体管每帧复位模拟效果图。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。实施例1如图2所示，本技术的AMOLED补偿电路像素结构包括栅线201、数据线202、 电源线203、接地极204、开关晶体管205、补偿子电路、驱动晶体管208、存储电容209和有机发光二极管OLED 210。其中，开关晶体管205的栅极连接栅线201，源极连接数据线202，漏极连接补偿子电路的第一端。补偿子电路的第二端连接栅线201，第三端连接存储电容209的第一端，用于向存储电容209预先存储驱动晶体管208的阈值电压。存储电容209的第二端连接驱动晶体管208的源极，当栅线201为低电压时，存储电容209为驱动晶体管208提供栅极电压。本实施例中，补偿子电路具体包括第一补偿晶体管206和第二补偿晶体管207。 第一补偿晶体管206的源极为补偿子电路的第一端，连接开关晶体管205的漏极，漏极连接驱动晶体管208的栅极和存储电容209的第一端，栅极连接第二补偿晶体管207的漏极。第二补偿晶体管207的栅极为补偿子电路的第二端，连接栅线201，源极连接驱动晶体管208的栅极和存储电容209的第一端。第一补偿晶体管206的漏极和第二补偿晶体管207的源极共同作为补偿子电路的Λ-Λ- ~‘上山弟二兄而°驱动晶体管208的栅极连接存储电容209的第一端，源极连接电源线203和存储电容209的第二端，漏极连接OLED 210，用于为OLED提供驱动电流。OLED 210的阳极连接驱动晶体管208的源极，阴极连接接地极204。本实施例中，上述开关晶体管205、驱动晶体管208和第二补偿晶体管207均为P 型TFT，第一补偿晶体管206可为P型TFT或N型TFT。本实施例的AMOLED补偿电路像素结构的工作原理如下图3为上述AMOLED补偿电路像素结构工作时的时序信号图，栅线201的开启信号为低电压信号，当该低电压信号输入开关晶体管205的栅极和第二补偿晶体管207的栅极时，开关晶体管205的源漏极和第二补偿晶体管207的源漏极导通。此时，数据线202的信号为高电压信号Vdata。开关晶体管205在栅线201的低电压信号下导通，将数据线202的电压信号 Vdata输入到A点。第二补偿晶体管207在栅线201的开启信号下导通，使第一补偿晶体管206构成一个二极管连接结构，该结构使Vdata通过第一补偿晶体管206后变成 Vdata-Vth'，Vth'为第一补偿晶体管206的阈值电压。因此，驱动晶体管208的栅极信号就变成Vdata-Vth'，该信号使驱动晶体管208工作在饱和区，这样经驱动晶体管 208 输出的电流为I = 1/2XKX (Vgs-Vth)2 = 1/2XKX (VDD-Vdata+Vth ‘ -Vth)2 = 1/2XKX (VDD-Vdata)2，其中K = W/LXCXu，其中W是晶体管沟道的宽度，L是晶体管沟道的长度，C是晶体管沟道与栅极间的电容，u是晶体管沟道的载流子迁移率。Vgs为驱动晶体管208的栅源压差，Vth为驱动晶体管208的阈值电压。相同结构中K相对稳定，可以视为常量，相邻两个晶体管的阈值电压大小差异很小，可以认为相同，即Vth' =Vth0因此， 流经OLED 210的电流就只与VDD和Vdata信号相关，而与Vth无关，从而流经OLED的电流不因背板制造工艺原因而造成的Vth不均勻所导致的电流不同，引起亮度变化。同时还可以改善由于Vth衰退而导致的流经OLED的电流变化，而引起亮度本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＡＭＯＬＥＤ补偿电路像素结构，包括：栅线、数据线、电源线、接地极、开关晶体管、补偿子电路、驱动晶体管、存储电容和有机发光二极管ＯＬＥＤ，其特征在于，所述开关晶体管栅极连接所述栅线，源极连接所述数据线，漏极连接所述补偿子电路的第一端；所述补偿子电路的第二端连接所述栅线，第三端连接所述存储电容的第一端，用于向所述存储电容预先存储所述驱动晶体管的阈值电压；所述驱动晶体管栅极连接所述存储电容的第一端，源极连接所述电源线和所述存储电容的第二端，漏极连接所述ＯＬＥＤ，用于为ＯＬＥＤ提供驱动电流；所述ＯＬＥＤ的阳极连接所述驱动晶体管的漏极，阴极连接所述接地极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马占洁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11