材料的图案化方法技术

本发明专利技术公开了一种材料的图案化方法。该方法，包括如下步骤：1)在基底上制备一层高分子薄膜；2)在所得高分子薄膜表面利用喷墨打印的方法涂布所述高分子薄膜的良溶剂，得到图案化后的高分子薄膜；3)在所得图案化后的高分子薄膜上及暴露出的所述基底表面依次制备一层目标材料的薄膜和一层聚苯乙烯薄膜后，于水中浸泡后剥掉所述聚苯乙烯薄膜和除图案外所有的目标材料的薄膜和所述高分子薄膜，完成所述材料的图案化。该石墨烯电极的沟道长度最小可达到2微米，在二氧化硅基底上得到的该石墨烯电极可以直接应用于有机场效应晶体管，作为有效的载流子注入电极，而不需要其他的转移或者后处理手段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及一种利用喷墨打印方法对材料进行图案化的方法。
技术介绍
化学还原石墨烯因为具有良好的机械性能和高的电导率，被认为是一种优异的导电材料，可以替代目前广泛使用的氧化铟锡(ΙΤ0)，应用于大面积，透明，柔性的场合。另外，由于石墨烯材料的能级排列与很多有机半导体材料可以相互匹配，因而有望作为出色的电极注入材料，应用于许多有机电子学器件中。实际上，自从石墨烯发现以来，人们已经在很多有机电子学器件中展示了它良好的技术前景(J.WU，H. A. Becerri 1, Ζ. Bao, Ζ. Liu, Y. Chen, P. Peumans, App 1. Phys. Lett. 2008,92,263302 ；G. Eda, Y. -Y. Lin, C. Mattevi, H. Yamaguchi，H. -A. Chen, I. S. Chen, C. -ff. Chen, M. Chhowalla, Adv. Mater. 2010，22，505 ； J. Wu, M. Agrawal, H. c. A. Becerril, Z. Bao, Z. Liu, Y. Che本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种材料的图案化方法，包括如下步骤：１）在基底上制备一层高分子薄膜；２）在所述步骤１）所得高分子薄膜表面利用喷墨打印的方法涂布所述高分子薄膜的良溶剂，得到图案化后的高分子薄膜；３）在所述步骤２）所得图案化后的高分子薄膜上及暴露出的所述基底表面依次制备一层目标材料的薄膜和一层聚苯乙烯薄膜后，于水中浸泡后剥掉所述聚苯乙烯薄膜和除图案外所有的目标材料的薄膜和所述高分子薄膜，完成所述材料的图案化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云圻，张磊，刘洪涛，赵岩，孙向南，温雨耕，郭云龙，高希珂，狄重安，于贵，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11