过氟化物的处理方法技术

一种处理从多个制造设备排出的过氟化物的处理方法，其特征在于下列步骤：分别通过具有检测装置的多个管路把过氟化物处理装置连接到排出过氟化物的制造设备上；对从分别具有流量计的管路提供的、从多个制造设备排出的过氟化物进行分解处理；以及对每一个制造设备，使用各个流量计的计测值推断或决定上述过氟化物的处理量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及适合于处理从多个半导体制造设备或液晶制造设备排出的过氟化物的。
技术介绍
半导体产业是技术革新很快的、在2至4年中进行半导体世代交替的领域。对于半导体制造设备来说，必须引入适应于半导体世代交替的、体现制造技术进步的最新的微细化加工设备。因此，半导体的制造厂家必须经常引入最新的半导体制造设备。另一方面，半导体制造设备在半导体的制造工序中使用了过氟化物(Perfluorocompound)作为刻蚀用气体和清洗用气体。过氟化物(以下，称为PFC)是CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、C3F8、C5F8、SF6、NF3等的不包含氯的碳与氟、碳与氢与氟、硫与氟和氮与氟的化合物的总称。PFC的寿命很长(对于C2F6来说，为10,000年，对于SF6来说，为3,200年)，是温室系数大的地球温室气体，成为大气放出的限制对象。因此，研究了分解PFC的各种方法。在特开平11-70322号公报和特开平11-319485号公报中记载了该分解方法的一种。即，记载了下述分解方法利用催化剂对PFC进行加水分解，用水(或碱溶液)对包含由PFC的分解产生的分解气体的排气进行清洗，其后，使用鼓风机排出该排气。作为PFC的分解处理，除了使用催化剂的催化剂法外，还有利用燃烧分解PFC的燃烧法和通过对PFC进行等离子化来分解的等离子法。半导体制造厂家除了引入最新的半导体制造设备时的很大的投资外，还必须进行对于作为环境保护的PFC分解处理装置的引入的投资。但是，不能因为在半导体制造设备的引入中需要很大的投资而停止作为环境保护的从半导体制造设备排出的PFC的分解处理。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，该处理方法通过在把多个制造设备集中起来进行过氟化物的分解处理的同时对各个制造设备推断或决定过氟化物的处理量，最终能减少制造从业者在过氟化物的分解处理中所需要的费用(成本)。为了达到上述的目的，本专利技术提供了一种处理从多个制造设备排出的，其特征在于下列步骤用过氟化物处理装置对从通过具有流量计的各个管路提供过氟化物的多个制造设备排出的过氟化物进行分解处理，以及对每一个制造设备，使用各个流量计的计测值推断或决定在过氟化物处理装置中的上述过氟化物的处理量。根据本专利技术，由于不仅能够用过氟化物处理装置对由具有流量计的各个管路提供过氟化物的多个制造设备排出的过氟化物进行分解处理，而且能推断或决定各个制造设备的过氟化物的处理量，因此能够高效、适当地进行过氟化物的分解处理，而且能降低成本。由于制造从业者没有必要购入过氟化物处理装置，故不需要该设备购入用的投资，此外，即使在市场环境变化了的情况下，由于根据过氟化物的处理量来负担其处理费用，故也可减少过氟化物的处理费用的负担。附图说明图1是示出在作为本专利技术的一个优选实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。图2是从连接到各半导体制造从业者的半导体制造设备上的PFC分解处理装置和累计器得到的各信息传递到PFC处理从业者的信息传送系统的结构图。图3是图1的PFC分解处理装置的详细结构图。图4是示出在作为本专利技术的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。图5是示出在作为本专利技术的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。图6是示出在作为本专利技术的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。图7是示出在作为本专利技术的另一实施例的PFC处理方法中将PFC分解处理装置和累计器连接到半导体制造设备上的状态的说明图。具体实施例方式过氟化物的处理量对应于市场环境变化的情况而变动。制造从业者因没有必要购入过氟化物处理装置而不需要该设备购入用的投资，此外，即使在市场环境变化了的情况下，由于根据过氟化物的处理量来负担其处理费用，故也可减少过氟化物的处理费用。此外，在优选实施例中，由于过氟化物处理从业者自发地实施PFC分解处理装置的保养检查作业，故制造从业者没有必要自己进行PFC分解处理装置的保养检查作业，此外，也没有必要将该保养检查作业委托给PFC分解处理装置的制造厂家。实施例1使用图1、图2和图3说明作为本专利技术的一个优选实施例的过氟化物处理方法。如图2中所示，利用因特网54连接了半导体制造从业者A(以下，称为A公司)的服务器47、半导体制造从业者B(以下，称为B公司)的服务器49与过氟化物处理从业者C(以下，称为处理从业者C)的服务器51。将处理从业者C所具有的信息终端52和存储器53连接到服务器51上。将A公司所具有的信息终端48连接到服务器47上。将B公司所具有的信息终端50连接到服务器49上。信息终端48、50和52例如是个人计算机。A公司使用半导体制造设备1制造了半导体，B公司使用半导体制造设备1A制造了半导体。使用图1，说明半导体制造设备1中的刻蚀装置附近的概略结构。半导体制造设备1具备刻蚀装置2、晶片供给装置3和PFC供给装置4及5。PFC供给装置4具有PFC充填容器6；连接到PFC充填容器6上的管路8A；以及在管路8A中设置的阀门9A。PFC供给装置5具有PFC充填容器7；连接到PFC充填容器7上的管路8B；以及在管路8B上设置的阀门9B。半导体制造设备1具备刻蚀装置A和刻蚀装置B(未图示)作为刻蚀装置2。管路8A和8B连接到刻蚀装置A的刻蚀室(未图示)上。在阀门9A和9B的上流一侧从管路8A和8B分支出来的各自的分支管路连接到刻蚀装置B的刻蚀室(未图示)上。在这些分支管路上也分别设置阀门(未图示)和流量计(未图示)。PFC充填容器6充填了作为PFC的一种的C2F6。PFC充填容器7充填了作为PFC的另一种的SF6。在刻蚀装置A的刻蚀室(称为室A)内对晶片进行刻蚀处理的情况下，利用晶片供给装置3将晶片供给室A内。其后，通过调节打开阀门9A和9B各自的打开度，从PFC充填容器6通过管路8A将第1设定量的C2F6气体、从PFC充填容器7通过管路8B将第2设定量的SF6气体供给被减压为真空的室A内。同时将C2F6气体和SF6气体供给室A内。使C2F6气体和SF6气体等离子化，进行对于作为半导体的材料的晶片的刻蚀处理。对室A内供给的C2F6气体的一部分和SF6气体的一部分不在室A内被消耗，利用真空泵15A的吸引，排出到与室A连接的气体排出管16A中。在未图示的刻蚀装置B的刻蚀室(称为室B)内，对由晶片供给装置3供给的晶片也进行使用了从2条分支管路供给的C2F6气体和SF6气体的刻蚀处理。在室B内，在结束了由C2F6气体进行的对晶片的刻蚀处理后供给SF6气体，使用于对该晶片的刻蚀处理。在室B内未被消耗的C2F6气体的一部分和SF6气体的一部分利用真空泵15B的吸引，排出到与室B连接的气体排出管16B中。利用晶片供给装置3从室A和B分别取出刻蚀处理已结束的晶片。在室A和B中C2F6气体和SF6气体的供给方法的不同是因为利用成为刻蚀处理的对象的晶片制造不同的半导体。A公司利用信息终端56经因特网62对服务器50发送委托从半导体制造设备1排出的PFC的处理的信息。处理从业者C通过看到在信息终端60的显示器上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理从多个制造设备排出的过氟化物的处理方法，其特征在于下列步骤：分别通过具有检测装置的多个管路把过氟化物处理装置连接到排出过氟化物的制造设备上；对从分别具有流量计的管路提供的、从多个制造设备排出的过氟化物进行分解处理；以及对每一个制造设备，使用各个流量计的计测值推断或决定上述过氟化物的处理量。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉田慎，薮谷隆，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]