【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．三元ＺｎＳｎＳ薄膜的制备方法，其特征是电沉积一步生长ＺｎＳｎＳ薄膜的方法，具体过程如下：玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ＩＴＯ衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至４５℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬底或ＩＴＯ衬底浸入到电解液中，调节脉冲电位法的参数为，开启电位－１．０至－１．２Ｖ，开启时间１０±２ｓ，沉积时的关断电位不是０Ｖ，而是设置为负关断电位－０．６±０．１Ｖ，关断时间１０±２ｓ；重复上述电沉积过程或增加相应的脉冲次数以获得需要的厚度；电解液的配备：硫代硫酸钠为１００±２０ｍＭ，硫酸锌为２０－４０ｍＭ，调节硫酸亚锡的浓度从０．１－１０ｍＭ来制备出具有不同Ｓｎ组分比的薄膜，然后通过滴入稀硫酸使溶液ｐＨ调节为２．０－４。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐骏，喀哈尔·玉苏普，林涛，徐岭，陈坤基，肖金荣，耿雷，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84
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