【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
1.一种垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法,其步骤包括:a)在硅衬底上定义有源区,形成LOCOS隔离;b)制备垂直硅纳米线,通过两次光刻和干法刻蚀,形成直径较大的垂直硅柱和顶部支撑结构;具体步骤如下:i.低压化学气相沉积第一层氧化硅、第一层氮化硅,作为硬掩膜;ii.光刻定义横向线条,作为后面漏端的支撑结构;iii.各向异性干法刻蚀第一层氮化硅、第一层氧化硅和衬底硅;iv.低压化学气相沉积第二层氮化硅,作为侧墙结构;v.各向异性干法刻蚀第二层氮化硅;vi.各向异性干法刻蚀硅,形成硅条;vii.光刻保护硅条中间部分区域,作为后面垂直归纳米线的器件区域;viii.各向同性干法刻蚀硅,使没有受到光刻胶保护的硅条悬空;ix.去掉光刻胶;c)进一步缩小纳米线的尺寸,形成直径10纳米左右的垂直硅纳米线,同时保留垂直硅纳米线顶部还保留有大面积图形作为器件的漏端,以减小漏端寄生电阻;具体步骤如下:i.各项同性湿法腐蚀硅,进一步缩小垂直硅柱的尺寸;ii.干氧氧化,形成直径10纳米左右的垂直硅纳米线,并形成第二层氧化硅;iii.湿法腐蚀去掉干氧氧化时形成的氮氧硅;iv.湿法腐蚀去掉低压化学气相沉积形成的第一 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄如,樊捷闻,艾玉杰,孙帅,王润声,邹积彬,黄欣,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。