活性能量射线固化型再剥离用粘合剂以及切割·贴片薄膜制造技术

本发明专利技术提供活性能量射线固化型再剥离用粘合剂以及切割·贴片薄膜，该粘合剂对环境、人体的影响小、容易处理，且其能够使粘合性在活性能量射线照射前后产生很大变化，活性能量射线照射前能够显示高粘合性，活性能量射线照射后能够显示高剥离性。本发明专利技术的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂含有活性能量射线固化型的聚合物(P)，该聚合物(P)为使含羧基聚合物(P3)与含噁唑啉基单体(m3)反应而得到的聚合物、或者为使含噁唑啉基聚合物(P4)与含羧基单体(m2)反应而得到的聚合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在例如半导体、电路、各种印刷基板、各种掩膜、引线框架等的加工部件的制造时为了表面保护、防止破损而使用的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂。特别涉及作为在半导体晶片的背面磨削时、切割时使用的半导体晶片加工用粘合片而适宜使用的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂。本专利技术还涉及切割 贴片薄膜(dicing-die bond film)。具体而言，涉及切割 贴片薄膜，其为供切割工件(半导体晶片等)的薄膜，其可以使得用于将芯片状工件(半导体芯片等)与电极部件固定的粘接剂在切割前处于已经附设在工件(半导体晶片等)上的状态。
技术介绍
形成有电路图案的半导体晶片(工件)，根据需要通过背面研磨调整厚度后，切割成为半导体芯片(芯片状工件)(切割工序)。在切割工序中，通常，为了除去切断层而在适度的液压(通常，2kg/cm2左右)下对半导体晶片进行洗涤。接着，上述切割了的半导体芯片通过粘接剂而固定于引线框架等被粘物(安装工序)。接着，对固定于上述被粘物的半导体芯片实施键合(键合工序)。在上述安装工序中，上述粘接剂涂布于引线框架、半导体芯片的表面。然而，在涂布粘接剂时，具有需要特殊的装置的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种活性能量射线固化型再剥离用粘合剂，其含有活性能量射线固化型的聚合物（Ｐ），该聚合物（Ｐ）为使含羧基聚合物（Ｐ３）与含噁唑啉基单体（ｍ３）反应而得到的聚合物、或者为使含噁唑啉基聚合物（Ｐ４）与含羧基单体（ｍ２）反应而得到的聚合物。

【技术特征摘要】
2010.07.05 JP 2010-152699;2010.07.05 JP 2010-152701.一种活性能量射线固化型再剥离用粘合剂，其含有活性能量射线固化型的聚合物(P),该聚合物(P)为使含羧基聚合物(p;3)与含噁唑啉基单体Ο )反应而得到的聚合物、 或者为使含噁唑啉基聚合物(Ρ4)与含羧基单体(π )反应而得到的聚合物。2.根据权利要求1所述的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂，其中，所述含羧基聚合物(Ρ3)为由包含丙烯酸酯(ml)和含羧基单体(m2)作为主要单体的单体成分构成的聚合物(Pl)。3.根据权利要求1所述的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂，其中，所述含噁唑啉基聚合物(P4)为由包含丙烯酸酯(ml)和含噁唑啉基单体(m3)作为主要单体的单体成分构成的聚合物(P2)。4.根据权利要求1所述的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂，其中，所述含羧基单体(m2)为选自(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸羧基烷酯中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：神谷克彦，高桥智一，北野千绘，冈田美佳，松村健，村田修平，大竹宏尚，古曾将嗣，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP