真空处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的真空处理装置配备有：并列地连接到大气输送室的背面侧的第一和第二锁定室，在所述第一锁定室的后方侧与之连接的第一输送室，在该第一输送室的后方侧与之连接的第二输送室，在所述第二锁定室的后方侧与之连接的第三输送室，配置在所述第一输送室与第二输送室以及第一输送室与第三输送室之间、在它们之间交接晶片的第一及第二中转室，连接到所述第一、第二或第三输送室上的多个处理室，连接到所述第二输送室上的处理室的数目，比连接到所述第一或第三输送室上的处理室的数目多，在所述第二中转室中，只向所述第三输送室交接在连接到所述第一或第二输送室上的处理室中处理的所述晶片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在配置于真空容器内部的处理室内处理半导体晶片等被处理基板等的真空处理装置，涉及配备有与真空容器连接并在其内部输送被处理基板的输送容器的真空处理装置。
技术介绍
在上述装置中，特别是在配置在真空容器的内部的被减压的处理室内处理作为处理对象的试样的半导体晶片等的基板(下面称之为“晶片”)的真空处理装置中，在要求处理的微细化、精密化的同时，还要求作为处理对象的晶片的处理效率的提高。因此，近年来， 开发了能够在一个装置上连接多个真空容器并能够在多个处理室内并行地进行晶片的处理的多腔室装置，提高净化室的单位设置面积的生产效率。另外，在配备有这种多个处理室或者腔室的、进行处理的装置中，各个处理室或腔室与向其提供电场或磁场的机构、对内部进行排气的排气泵等排气机构、调节向处理室内部供应的处理用气体的供应的机构等一起，构成各个处理单元，该处理单元可拆装地与输送单元连接，所述输送单元包括输送室(输送腔室)，该输送室能够对内部的气体以及其压力进行减压调节，并配备有输送基板用的机器人手臂等，在所述输送单元的内部，输送并暂时保持晶片。更具体地说，在内部配置各个处理单元的被减压的处理室或腔室的真空容器的侧壁，可拆装地连接到输送单元的真空输送容器的侧壁上并且内部可以连通或闭塞，所述输送单元在被减压到相同程度的内部输送处理前或处理后的晶片。在这种结构中，真空处理装置的整体的的大小受到真空输送容器及真空处理容器或真空输送室、真空处理室的大小及配置的很大的影响。例如，真空输送室为了实现必要的动作的大小，受到相邻地连接的输送室或处理室的数目、内部配置的输送晶片的输送机器人的数目及其动作所必要的最小半径或晶片直径的大小的影响，并由这些因素来决定。另一方面，真空处理室也受到作为处理对象的晶片的直径、为了实现必要的压力所需要的处理室内的排气效率、为了晶片处理所必需的设备类的配置的影响。另外，真空输送室及真空处理室的配置，也受到为了在设置场所实现使用者所要求的半导体器件等的生产总量和效率而需要的各个处理装置中所需要的处理室的数目的影响。另外，真空处理装置的各个处理容器需要每隔规定的运转时间或处理的个数而进行保养、检修等维修，要求配置能够高效率地进行这种维修的各个设备或各个容器。作为连接配置这种多个真空处理容器和真空输送容器的真空处理装置的现有技术，已知有 JP-T2007-511104号公报(对应于EP 1684951A2)所揭示的技术。在上述现有技术中，通过可拆装地构成各个处理单元或者输送单元，能够与满足所需要的处理的内容及条件或者保养、性能方面的要求的其他单元进行更换，在设置在使用者的建筑物内的状态下，能够变更成满足不同处理的结构。另外，真空输送容器从上方观察时，其平面形状被制成多边形，真空处理单元的真空容器的侧壁及另外的输送单元的真空输送容器或者将它们相互连接的容器的侧壁，可拆装地连接到相当于该多边形的各个边的侧壁上。在现有技术中，借助这种结构，在这种真空处理装置中，通过将真空输送容器彼此连接(也可以在中间夹持连接的容器)，加大真空处理单元的数目和配置的自由度，能够在短时间内根据使用者所要求的规格的变更来改变处理和结构，保持整个装置的高的运转效率。但是，在上述现有技术中，对于下面的各点，考虑不足而存在着问题。即，通过连接真空输送容器(与是否有无中间的容器无关)，能够进行的真空处理单元的配置或数目变多，但是，在这些配置或数目中，对于能够使晶片的处理及生产效率最佳化的真空处理容器 (真空处理单元)以及真空输送容器(真空输送室)的配置和数目等，没有充分加以考虑， 有损于真空处理装置的单位设置面积的生产量。例如，在真空处理装置配备有多个种类的真空处理单元的情况下，特别是，在依次对晶片实施这些种类的处理的情况下，在实施被先实施的处理及之后的处理的真空处理单元被连接到另外的真空输送容器的情况下，它们的配置位置及数目的选择有损于处理的效率，但在上述现有技术中，并没有考虑到这一点。在这种现有技术中，真空处理装置的单位设置面积的晶片处理能力受到损害。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种单位设置面积的生产率高的半导体制造设备。上述目的通过下面所述的真空处理装置来达到，所述真空处理装置包括大气输送室，所述大气输送室在前表面侧配置有载置内部容纳晶片的盒的盒台，在该大气室的内部输送所述晶片；第一和第二锁定室，所述第一和第二锁定室在该大气室的背面侧并列地连接，能够将容纳所述晶片的内部的压力调节到真空压力；第一输送室，所述第一输送室位于所述第一锁定室的后方侧并与之连接，并且具有在形成规定的真空压力的内部输送所述晶片的第一机器人；第二输送室，所述第二输送室配置在该第一输送室的后方侧，与该第一输送室连接，并且具有在真空下输送所述晶片的第二机器人；第三输送室，所述第三输送室位于所述第二锁定室的后方侧并与之连接，和第一输送容器并列地配置，并具有在形成真空的内部输送所述晶片的第三机器人；第一及第二中转室，所述第一及第二中转室在所述第一输送室与第二输送室以及第一输送室与第三输送室之间，可气密性地密封地连接配置，并配备有在内部、在所述第一机器人及第二机器人之间或者所述第三机器人之间交接所述晶片的容纳部；多个处理室，所述多个处理室连接于所述第一、第二或第三输送室，在内部处理所述晶片；其中，在所述多个处理室中，连接到所述第二输送室的处理室的数目比连接到所述第一或第三输送室的处理室的数目大，在所述第二中转室中，只将连接到所述第一或第二输送室的处理室中处理的所述晶片交接给所述第三机器人。另外，上述目的通过以下方式来达到，即，具有阀，该阀配置在连接到所述第一、第二及第三输送室的各个处理室及所述中转室或第一、第二锁定室之间，将它们之间气密地密封，在所述第一、第二及第三输送室和与之连接的各个处理室之间的阀，在所述第一、第二及第三输送室的内部与所述处理室的各自的内部之间排他性地开启。另外，上述目的通过以下方式来达到，S卩，连接于所述第二输送室的所述处理室的数目为两个以上，连接于所述第一及第二输送室的所述处理室的数目为一个以下。另外，上述目的通过以下方式来达到，S卩，在所述第一锁定室的内部容纳有另外的晶片并待机的情况下，将在连接于所述第一或第二输送室的所述处理室中被处理的所述晶片，经由所述第二中转室及所述第三输送室、所述第二锁定室，搬出到大气压下。 此外，上述目的通过以下方式来达到，S卩，在连接于所述第三输送室的所述处理室的内部，对在连接于所述第一或第二输送室的所述处理室中被处理的所述晶片实施所述处理的后续处理。附图说明图1是说明本专利技术的实施例的真空处理装置的整体结构的概况的俯视图。图2A、2B是放大地表示图1所示的实施例的真空输送室的横剖面图。图3是说明本专利技术的变形例的真空处理装置的整体结构的概况的俯视图。符号说明101大气侧部件102真空侧部件103真空处理室104第一真空输送室105第一锁定室106筐体107盒台108真空输送机器人109大气输送机器人110第二真空输送室111第二锁定室112,112'真空输送中间室113第三真空输送室120阀201第一臂202第二臂具体实施例方式下面，根据附图详细说明本专利技术的真空处理装置的实施例。〔实施例〕图1是说明本专利技术的实施例的真本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种真空处理装置，包括：大气输送室，所述大气输送室在前表面侧配置有盒台，该盒台载置在内部容纳晶片的盒，在该大气室的内部输送所述晶片；第一和第二锁定室，所述第一和第二锁定室并列地连接到该大气室的背面侧，能够将容纳所述晶片的内部的压力调节到真空压力；第一输送室，所述第一输送室位于所述第一锁定室的后方侧并与之连接，形成规定的真空压力，并且具有在其内部输送所述晶片的第一机器人；第二输送室，所述第二输送室配置在该第一输送室的后方侧，与该第一输送室连接，并且具有在真空下输送所述晶片的第二机器人；第三输送室，所述第三输送室位于所述第二锁定室的后方侧，并与之连接，和第一输送容器并列地配置，形成真空，并且具有在其内部输送所述晶片的第三机器人；第一及第二中转室，所述第一及第二中转室，在所述第一输送室与第二输送室及第一输送室与第三输送室之间可气密性地密封地连接配置，并且在内部具有容纳部，该容纳部在所述第一机器人及第二机器人之间或者所述第一机器人与所述第三机器人之间交接所述晶片；多个处理室，所述多个处理室连接于所述第一、第二或第三输送室，在内部处理所述晶片；在所述多个处理室中，连接于所述第二输送室的处理室的数目比连接于所述第一或第三输送室的处理室的数目大，在所述第二中转室中，只将在连接于所述第一或第二输送室的处理室中处理的所述晶片交接给所述第三机器人。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：矶村僚一，田内勤，近藤英明，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：JP