【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学领域中金属有机配合物的合成方法，尤其涉及一种。
技术介绍
随着超大规模集成电路技术的不断发展，作为其基础器件的MOS晶体管尺寸不断缩小，当SiO2栅介质的厚度减小到纳米量级时，通过SiO2的漏电流随厚度减小成指数增长， 这样巨大的漏电流不仅严重影响到器件性能，而且最终导致SiA不能起到绝缘作用。使用高介电常数(即高K材料)替代SiO2是目前最有希望解决此问题的途径。由于高K材料的使用，在保持相同电容密度的同时栅介质可以有比较大的物理厚度，从而避免了在超薄 SiO2栅介质中隧穿导致的漏电流问题。在选择合适的材料来代替SiA的探索中，已经有很多材料被尝试过。通过不断的比较材料特性，寻找适合ALD和CVD使用的高k和金属栅材料前驱物。对于32nm技术节点来讲，材料的挥发性，输运方式以及纯度等问题变得至关重要。随着信息存储和获取量的大幅提升，对于更高k值材料的需求也不断升温，需满足介电常数、热力学稳定性、栅极电极兼容和界面层稳定性等生产上的要求；其中，锆、铪及稀土元素等的有机化合物的介电常数和禁带宽度相对较高，基本符合栅介质材料的要求而引起业界极大的关注。研制四叔丁氧基锆化合物正是针对以上高K前驱体的用途而进行的。四叔丁氧基锆常温下是液体，是对空气和水汽敏感的化合物，能溶于醇类、苯、四氯化碳等有机溶剂中。具有相对较好的热稳定性和较好的饱和蒸汽压。主要用于CVD和ALD中制备氧化锆或含氧化锆组分氧化物薄膜的前体源。目前报到的四叔丁氧基锆化合物的合成主要有三种方法第一种是要以四异丙氧基锆为原料，和叔丁醇进行酯交换反应，得到最终的四叔丁氧基锆化合物。...
【技术保护点】
１．四叔丁氧基锆的合成方法，其特征在于合成步骤为：（１）在氮气氛下，按每５０克叔丁醇钾中加入１００～４００毫升正己烷的比例，三颈瓶内加入叔丁醇钾和正己烷，搅拌均匀；（２）按四氯化锆：叔丁醇钾为１：４．４～１：４．８的摩尔比，将四氯化锆加入到上述反应体系中，保持反应体系的温度在２０到６０℃之间，在加完四氯化锆后，让反应体系的温度保持在４０－６５℃之间，惰性气体保护的条件下搅拌反应４－８小时；（３）然后１个大气压下除掉反应的溶剂，等溶剂正己烷全部除去后，减压蒸馏，收集８９－９１℃／５ ｍｍＨｇ的馏分，即为四叔丁氧基锆化合物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩建林，潘毅，虞磊，孔令宇，曹季，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84
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