【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及一种半导体模块，其包括树脂成型封装，该树脂成型封装配备有功率半导体芯片以及用于从功率半导体芯片散热的散热器，并且该半导体模块可以具有单器件封装(1-in-l)结构，其中用作逆变器的上臂(即，高侧器件)或下臂(即，低侧器件) 的单个功率半导体芯片(诸如IGBT (绝缘栅双极型晶体管)或功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管))被树脂成型，或者双器件封装Ο-in-l)结构，其中分别用作上臂和下臂的两个功率半导体芯片被树脂成型。本专利技术还涉及该半导体模块的生产方法。
技术介绍
一种典型的半导体模块配备有树脂成型封装，其中设置了具有半导体功率器件的半导体芯片和用于散发如半导体功率器件生成的热的散热器。一些该类型的半导体模块还配备有鳍热沉，其与每个散热器集成地形成以便于增强半导体功率器件生成的热的散发。 散热器还被安装为使鳍热沉暴露于从安装在半导体模块中的冷却机制馈送的诸如水的冷却液以将热转移到冷却液。日本专利在先公布第2006-165534号公开了被设置为彼此面对的散热器。冷却剂在散热器之间流动以冷半导体功率器件。为了增强该冷却效率，散热器...
【技术保护点】
１．一种半导体模块，包括：树脂成型封装，包括树脂模型，所述树脂模型在其中嵌入功率半导体芯片、第一散热器、第二散热器以及电气接线端子，所述功率半导体芯片具有彼此相对的第一表面和第二表面并且其上制作有半导体功率器件，并且所述电气接线端子与所述半导体功率器件电气耦合，所述第一散热器具有第一表面和与该第一表面相对的第二平坦表面、并且在其第一表面处被设置为与所述功率半导体芯片的第一表面连接，所述第二散热器具有第一表面和与该第一表面相对的第二平坦表面、并且在其第一表面处被设置为与所述功率半导体芯片的第二表面连接，每个电气接线端子的一部分暴露在所述树脂模型外部，所述树脂模型还在其中形成冷...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：则武千景，新井裕明，山内芳幸，山崎康樱，杉本尚规，酒井泰幸，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP
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